Diseño de un amplificador con emisor común.

Se describe una práctica para realizar en las clases de física y química, sobre cómo fabricar un amplificador con emisor común, con un transistor de unión NPN.

El desarrollo de la electrónica.

Se hace un recorrido por las tres etapas que se distinguen en el desarrollo de la electrónica. Así, el primer periodo comienza con la invención y fabricación industrial del tubo de vacío; el segundo periodo comienza con la invención de un nuevo componente, el transistor, de gran importancia por tratarse de un componente de estado sólido; y la tercera etapa, donde aparece el circuito integrado, debido al desarrollo de la tecnología del componente y del soporte de interconexión.

Nuevas tecnolog??as en el ??rea de EPV y Dibujo T??cnico

Se hace un recorrido por la evoluci??n de las nuevas tecnolog??as y la inform??tica seg??n las vivencias del autor, que a modo de carta, hace un paralelismo con las edades de las historia, detallando los inventos tecnol??gicos de forma cronol??gica. Desde la Edad Paleol??tica, pasando por la Edad del Transistor hasta llegar a la Edad Imposible, se va descubriendo el devenir de la ciencia y la tecnolog??a desde la mirada de un profesor de Educaci??n Pl??stica y Visual.

Si3N4 single-crystal nanowires grown from silicon micro- and nanoparticles near the threshold of passive oxidation

A simple and most promising oxide-assisted catalyst-free method is used to prepare silicon nitride nanowires that give rise to high yield in a short time. After a brief analysis of the state of the art, we reveal the crucial role played by the oxygen partial pressure: when oxygen partial pressure is slightly below the threshold of passive oxidation, a high yield inhibiting the formation of any silica layer covering the nanowires occurs and thanks to the synthesis temperature one can control nanowire dimensions

The role of citrate precursors on the morphology of lanthanide oxides obtained by thermal decomposition

Two series of lanthanide oxides with different morphologies were synthesized through calcinations of two types of citrate polymeric precursors. These oxides were characterized by XRD patterns, SEM electronic microscopy, and N(2) adsorption isotherms. SEM microscopy analysis showed that the calcination of crystalline fibrous precursors [Ln(2)(LH)(3)center dot 2H(2)O] (L = citrate) originated fibrous shaped particles. On the other hand, the calcination of irregular shaped particles of precursors [LnL center dot xH(2)O] originated irregular shaped particles of oxide, pointing out a morphological template effect of precursors on the formation of the respective oxides.

Reversible and irreversible magnetization components behavior in Ni nanowires

Polycrystalline Ni nanowires were electrodeposited in nanoporous anodized alumina membranes with mean diameter of approximately 42 nm. Their magnetic properties were studied at 300 K, by measurements of recoil curves from demagnetized state and also from saturated state. M(rev) and M(irr) components were obtained and M(rev)(M(irr)) H curves were constructed from the experimental data. These curves showed a behavior that suggests a non-uniform reversal mode influenced by the presence of dipolar interactions in the system. A qualitative approach to this behavior is obtained using a Stoner-Wohlfarth model modified by a mean field term and local interaction fields. (C) 2008 Elsevier B.V. All rights reserved.

Characterizing magnetic interactions in Ni nanowires by FORC analysis

Polycrystalline Ni nanowires with different diameters were electrodeposited in nanoporous anodized alumina membranes. First-Order Reversal Curves (FORCs) were measured and FORC distributions were calculated. They clearly showed an asymmetric behavior with a strong maximum at negative interaction fields, evidencing the dominant demagnetizing interactions which depend on the geometry of the nanowires. (C) 2008 Elsevier B.V. All rights reserved.

Effects of Side-Chain and Electron Exchange Correlation on the Band Structure of Perylene Diimide Liquid Crystals: A Density Functional Study

The structural and electronic properties of perylene diimide liquid crystal PPEEB are studied using ab initio methods based on the density functional theory (I)FT). Using available experimental crystallographic data as a guide, we propose a detailed structural model for the packing of solid PPEEB. We find that due to the localized nature of the band edge wave function, theoretical approaches beyond the standard method, such as hybrid functional (PBE0), are required to correctly characterize the band structure of this material. Moreover, unlike previous assumptions, we observe the formation of hydrogen bonds between the side chains of different molecules, which leads to a dispersion of the energy levels. This result indicates that the side chains of the molecular crystal not only are responsible for its structural conformation but also can be used for tuning the electronic and optical properties of these materials.

Immobilization of Poly(propylene imine) Dendrimer/Nickel Phtalocyanine as Nanostructured Multilayer Films To Be Used as Gate Membranes for SEGFET pH Sensors

We describe the assembly of layer-by-layer films based on the poly(propylene imine) dendrimer (PPID) generation 3 and nickel tetrasulfonated phthalocyanine (NiTsPc) for application as chemically sensitive membranes in sepal alive extended-gate field effect transistor (SEGFET) pH sensors PPID/NiTsPc films wet e adsorbed on quartz, glass. indium tin oxide. or gold (Au)-covered glass substrates Multilayer formation was monitored via UV-vis absorption upon following the increment in the Q-band intensity (615 nm) of NiTsPc The nanostructured membranes were very stable in a pH range of 4-10 and displayed a good sensitivity toward H(+), ca 30 mV/pH for PPID/N(1)TsPc films deposited on Au-covered substrates For films deposited on ITO, the sensitivity was ca 52 4 mV/pH. close to the expected theoretical value for ton-sensitive membranes. The use of chemically stable PPID/NiTsPc films as gate membranes in SEGFETs, as introduced here, may represent an alternative for the fabrication of nanostructured, porous platforms for enzyme immobilization to be used in enzymatic biosensors.

Thermal dependence of the zero-bias conductance through a nanostructure

We show that the conductance of a quantum wire side-coupled to a quantum dot, with a gate potential favoring the formation of a dot magnetic moment, is a universal function of the temperature. Universality prevails even if the currents through the dot and the wire interfere. We apply this result to the experimental data of Sato et al. (Phys. Rev. Lett., 95 (2005) 066801). Copyright (C) EPLA, 2009

Uma ferramenta para automação da geração do leiaute de circuitos analógicos sobre uma matriz de transistores MOS pré-difundidos

Este trabalho apresenta o LIT, uma ferramenta de auxílio ao projeto de circuitos integrados analógicos que utiliza a técnica da associação trapezoidal de transistores (TAT) sobre uma matriz digital pré-difundida. A principal característica é a conversão de cada transistor simples de um circuito analógico em uma associação TAT equivalente, seguido da síntese automática do leiaute da associação séria-paralela de transistores. A ferramenta é baseada na matriz SOT (sea-of-transistors), cuja arquitetura é voltada para o projeto de circuitos digitais. A matriz é formada somente por transistores unitários de canal curto de dimensões fixas. Através da técnica TAT, entretanto, é possível criar associações série-paralelas cujo comportamento DC aproxima-se dos transistores de dimensões diferentes dos unitários. O LIT é capaz de gerar automaticamente o leiaute da matriz SOT e dos TATs, além de células analógicas básicas, como par diferencial e espelho de corrente, respeitando as regras de casamento de transistores. O cálculo dos TATs equivalentes também é realizado pela ferramenta. Ela permite a interação com o usuário no momento da escolha da melhor associação. Uma lista de possíveis associações é fornecida, cabendo ao projetista escolher a melhor. Além disso, foi incluído na ferramenta um ambiente gráfico para posicionamento das células sobre a matriz e um roteador global automático. Com isso, é possível realizar todo o fluxo de projeto de um circuito analógico com TATs dentro do mesmo ambiente, sem a necessidade de migração para outras ferramentas. Foi realizado também um estudo sobre o cálculo do TAT equivalente, sendo que dois métodos foram implementados: aproximação por resistores lineares (válida para transistores unitários de canal longo) e aproximação pelo modelo analítico da corrente de dreno através do modelo BSIM3. Três diferentes critérios para a escolha da melhor associação foram abordados e discutidos: menor diferença de corrente entre o TAT e o transistor simples, menor número de transistores unitários e menor condutância de saída. Como circuito de teste, foi realizado o projeto com TATs de um amplificador operacional de dois estágios (amplificador Miller) e a sua comparação com o mesmo projeto utilizando transistores full-custom. Os resultados demonstram que se pode obter bons resultados usando esta técnica, principalmente em termos de desempenho em freqüência. A contribuição da ferramenta LIT ao projeto de circuitos analógicos reside na redução do tempo de projeto, sendo que as tarefas mais suscetíveis a erro são automatizadas, como a geração do leiaute da matriz e das células e o roteamento global. O ambiente de projeto, totalmente gráfico, permite que mesmo projetistas analógicos menos experientes realizem projetos com rapidez e qualidade. Além disso, a ferramenta também pode ser usada para fins educacionais, já que as facilidades proporcionadas ajudam na compreensão da metodologia de projeto.

Filmes finos dielétricos para a tecnologia do silício : processamento térmico e caracterização

O rápido avanço tecnológico coloca a tecnologia do Si diante de um grande desafio: substituir o dielétrico de porta utilizado por mais de 40 anos em dispositivos MOSFET (transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor), o óxido de silício (SiO2), por um material alternativo com maior constante dielétrica. Nesse contexto, vários materiais têm sido investigados. Nesta tese concentramos nossa atenção em três candidatos: o óxido de alumínio (Al2O3), o silicato de zircônio (ZrSixOy) e o aluminato de zircônio (ZrAlxOy). Nossos resultados experimentais baseiam-se em técnicas de análise com feixes de íons ou raios-X e de microscopia de força atômica. No caso do Al2O3, investigamos a difusão e reação de oxigênio através de filmes relativamente espessos (35 nm) quando submetidos a tratamento térmico em atmosfera oxidante, e os efeitos que esses processos provocam em filmes finos (6,5 nm) de Al2O3 depositados sobre uma estrutura SiO2/Si. Observamos que o processo de difusão-reação em filmes de Al2O3 é diferente do observado em filmes de SiO2: no primeiro caso, oxigênio difunde e incorpora-se em todo o volume do filme, enquanto que em filmes de SiO2, oxigênio difunde através do filme, sem incorporar-se em seu volume, em direção à interface SiO2/Si, onde reage. Além disso, quando oxigênio atinge a interface Al2O3/Si e reage com o Si, além da formação de SiO2, parte do Si migra em direção ao Al2O3, deslocando parte dos átomos de Al e de O. Modelos baseados em difusão e reação foram capazes de descrever qualitativamente os resultados experimentais em ambos os casos. A deposição de filmes de Al2O3 sobre Si por deposição química de camada atômica a partir de vapor também foi investigada, e uma nova rotina de deposição baseada em préexposição dos substratos de Si ao precursor de Al foi proposta. As estruturas ZrSixOy/Si e ZrAlxOy/Si (ligas pseudobinárias (ZrO2)z(SiO2)1-z e (ZrO2)z(Al2O3)1-z depositadas sobre Si) foram submetidas a tratamentos térmicos em oxigênio ou vácuo com o objetivo de investigar possíveis instabilidades. Os tratamentos térmicos não provocaram instabilidades na distribuição de Zr, mas migração e incorporação de Si no filme dielétrico foram observadas durante os dois tratamentos para ambos os materiais.

Transporte atômico e incorporação de oxigênio em filmes de HfSiO e HfSiON depositados sobre Si

Esse trabalho estuda a estabilidade térmica e o transporte atômico em filmes dielétricos de HfSiO e HfSiON depositados por sputtering reativo sobre c-Si. Esses materiais possuem alta constante dielétrica (high- ) e são candidatos a substituir o óxido de silício como dielétrico de porta em dispositivos do tipo transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFETs). Esses filmes foram submetidos a diferentes seqüências de tratamentos térmicos em atmosferas inerte e de O2, e foram caracterizados através de análises de feixe de íons e espectroscopia de fotoelétrons induzidos por raios-X (XPS). Nesse estudo foi observado que a incorporação de oxigênio se dá através da troca com N ou O previamente existente nos filmes. Em filmes de aproximadamente 50 nm de espessura foi observado que a presença do N limita a difusão de oxigênio de forma que a frente de incorporação avança em direção ao interior do filme com o aumento do tempo de tratamento, enquanto nos filmes de HfSiO/Si o oxigênio é incorporado ao longo de todo o filme, mesmo para o tempo mais curto de tratamento. Diferentemente de outros materiais high- estudados, não foi possível observar migração de Si do substrato em direção a superfície dos filmes de HfSiON/Si com aproximadamente 2,5 nm de espessura. Os resultados obtidos nesse trabalho mostram que filmes de HfSiON/Si são mais estáveis termicamente quando comparados com outros filmes dielétricos depositados sobre Si anteriormente estudados, mas antes que ele se torne o dielético de porta é ainda necessário que se controle a difusão de N em direção ao substrato como observado nesse trabalho.

Relaxação estrutural de camadas pseudomórficas de SiGe/Si(100) induzida pela implantação iônica de He ou Si e tratamento térmico

O Si tensionado (sSi) é um material com propriedades de transporte eletrônico bastante superiores as do Si, sendo considerado como uma alternativa importante para a produção de dispositivos MOSFET (transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor) de mais alta performance (e.g. freqüências de operação f>100 GHz). O sSi é obtido através do crescimento epitaxial de Si sobre um substrato de mesma estrutura cristalina, porém com parâmetro de rede diferente. Esta tese apresenta uma investigação detalhada de um novo método que possibilita a produção de camadas relaxadas de Si1xGex com espessuras inferiores a 300 nm, consideradas como a melhor alternativa tecnológica para a produção de sSi. Este método envolve a implantação de íons de He+ ou de Si+ em heteroestruturas pseudomórficas de Si1-xGex/Si(001) e tratamentos térmicos. Foram estudados os efeitos dos diversos parâmetros experimentais de implantação e tratamentos térmicos sobre o processo de relaxação estrutural, utilizando-se heteroestruturas pseudomórficas de Si1-xGex/Si(001) crescidas via deposição de vapor químico, com distintas concentrações de Ge (0,19x 0,29) e com espessuras entre 70 e 425 nm. Com base no presente estudo foi possível identificar diversos mecanismos atômicos que influenciam o processo de relaxação estrutural das camadas de Si1-xGex/Si(001). O processo de relaxação é discutido em termos de um mecanismo complexo que envolve formação, propagação e interação de discordâncias a partir de defeitos introduzidos pela implantação. No caso das implantações de He, por exemplo, descobrimos que podem ocorrer perdas de He durante as implantações e que este efeito influencia negativamente a relaxação de camadas finas. Além disso, também demonstramos que os melhores resultados são obtidos para energias e fluências de implantação que resultam na formação de bolhas planas localizadas no substrato de Si a uma distância da interface equivalente a uma vez a espessura da camada de SiGe. O grau de relaxação satura em 50% para camadas de SiGe com espessura 100 nm. Este resultado é discutido em termos da energia elástica acumulada na camada de SiGe e da retenção de He. No caso de implantações de Si, discutimos a formação de defeitos tipo {311} e sua transformação térmica em discordâncias. Este estudo resultou numa visão abrangente dos principais fatores limitantes do processo, bem como na otimização dos valores de parâmetros experimentais para a produção de camadas de SiGe com alto grau de relaxação e com baixa densidade de defeitos.

Uma fonte chaveada de 50kW com correção de fator de potência para alimentação de uma tocha de plasma Indutiva utilizando técnicas de controle digital

This work deals with the development of an experimental study on a power supply of high frequency that provides the toch plasmica to be implemented in PLASPETRO project, which consists of two static converters developed by using Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT). The drivers used to control these keys are triggered by Digital Signal Processor (DSP) through optical fibers to reduce problems with electromagnetic interference (EMI). The first stage consists of a pre-regulator in the form of an AC to DC converter with three-phase boost power factor correction which is the main theme of this work, while the second is the source of high frequency itself. A series-resonant inverter consists of four (4) cell inverters operating in a frequency around 115 kHz each one in soft switching mode, alternating itself to supply the load (plasma torch) an alternating current with a frequency of 450 kHz. The first stage has the function of providing the series-resonant inverter a DC voltage, with the value controlled from the power supply provided by the electrical system of the utility, and correct the power factor of the system as a whole. This level of DC bus voltage at the output of the first stage will be used to control the power transferred by the inverter to the load, and it may vary from 550 VDC to a maximum of 800 VDC. To control the voltage level of DC bus driver used a proportional integral (PI) controller and to achieve the unity power factor it was used two other proportional integral currents controllers. Computational simulations were performed to assist in sizing and forecasting performance. All the control and communications needed to stage supervisory were implemented on a DSP