Thermal dependence of the zero-bias conductance through a nanostructure
| Contribuinte(s) |
UNIVERSIDADE DE SÃO PAULO |
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| Data(s) |
20/10/2012
20/10/2012
2009
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| Resumo |
We show that the conductance of a quantum wire side-coupled to a quantum dot, with a gate potential favoring the formation of a dot magnetic moment, is a universal function of the temperature. Universality prevails even if the currents through the dot and the wire interfere. We apply this result to the experimental data of Sato et al. (Phys. Rev. Lett., 95 (2005) 066801). Copyright (C) EPLA, 2009 CNPq, FAPESP[01/14974-0] Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP) Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq) Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP) Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq) CNPq, FAPESP[04/08928-3] IBEM IBEM |
| Identificador |
EPL, v.86, n.6, 2009 0295-5075 http://producao.usp.br/handle/BDPI/29943 10.1209/0295-5075/86/67006 |
| Idioma(s) |
eng |
| Publicador |
EDP SCIENCES S A |
| Relação |
Epl |
| Direitos |
restrictedAccess Copyright EDP SCIENCES S A |
| Palavras-Chave | #NUMERICAL RENORMALIZATION-GROUP #SINGLE-ELECTRON TRANSISTOR #DILUTE MAGNETIC-ALLOYS #ANDERSON MODEL #QUANTUM DOTS #KONDO MODEL #STATIC PROPERTIES #IMPURITY STATES #TRANSPORT #Physics, Multidisciplinary |
| Tipo |
article original article publishedVersion |
