改进三维CE/SE算法在气相爆轰中的应用

本文推导了一种改进三维CE/SE格式,用二步模型对氢氧(2H2+O2)气相爆轰进行了数值模拟,得到了氢氧爆轰的三维数值胞格结构。数值结果表明:1.本文的CE/SE格式能很好的适用于有化学反应存在的流动;2.氢氧爆轰具有复杂的三维结构。

从CsCl靶中分离I、Ba和Ce的化学流程

用47MeV/nucleon的12C离子轰击133Cs靶,产生许多种不同元素的同位素。利用经典的化学分离方法,从大量的Cs和其它反应产物混合物中分离出I、Ba和Ce等。使用离线γ谱学方法,完成I、Ba、Ce等样品的γ活性测量。根据每种元素不同同位素的特征γ射线峰的强度和丰度,对I、Ba和Ce等样品中杂质的含量进行分析。结果显示该流程对杂质元素去污的效果是满意的。

~(139)Ce的多准粒子激发态

利用能量为50MeV的12C束流,通过反应130Te(12C,3n)布居了139Ce的高自旋态．基于标准在束核谱学实验测量结果,扩展并更新了139Ce的能级纲图．139Ce的能级结构具有球形原子核的典型特征,其高自旋态由单粒子激发形成．利用经验壳模型计算了139Ce的多准粒子激发态能量,研究了其高自旋激发态的多准粒子特性．

短寿命缺中子同位素~(130,129,128)Ce的(EC+β~+)衰变

首次报道130Ce、129Ce和128Ce的(EC+β+)衰变纲图,其中包括核素的产生、核素的分离鉴别以及纲图的建立。着重补充了一些重要的技术细节,更新了129Ce的衰变纲图,并对这些纲图中涉及的物理问题进行了讨论。

基于Windows CE的HIRFL-CSR前端控制系统设计与实现

介绍了一个基于WindowsCE的嵌入式分布控制系统,系统基于以太网和现场总线连接,节点用嵌入式平板计算机实现。给出了系统的硬件组成和软件设计,该系统已应用于HIRFL-CSR前端控制系统。

~(142)Ce的新激发态及其经验壳模型研究

利用 42 0MeV　82 Se轰击1 39La引起的深部非弹反应和在束γ谱学方法研究了1 4 2 Ce的中高自旋激发态 .识别出了激发能为 2 62 5,2 995和 3 83 4keV的 3个新能级 ,自旋、宇称分别被指定为 8+,9(- ) 和 1 1 (- ) .发现这些能级非常好地符合N=84偶偶核转晕能级的系统性 .利用经验壳模型计算了1 4 2 Ce的中高自旋激发态的激发能 ,计算结果比较好地重现了实验值 .对它们的结构进行了讨论 ,表明在1 4 2 Ce的中高自旋激发态中以单粒子激发为主

~(130)Ce(EC+β~+)衰变研究及其放射化学分离

利用兰州SFC加速的16O束轰击同位素118Sn ,由熔合蒸发 4n反应产生目标核13 0 Ce。为了消除本底干扰并指定13 0 Ce核 ,采用溶剂萃取法对He - jet带传输系统从靶室传输出来的反应产物进行了离线分离与纯化。将目标核13 0 Ce从大量的靶材料、反应产物及母核中分离出来 ,快速制成薄源后在铅室中进行γ单谱测量及X -γ、γ -γ符合测量。从化学分离后的产物中观察到了半衰期为 2 2 .9min的 10 8条γ射线 ,其中 10 7条是新发现的 ,该活性被指定为13 0 Ce。在此基础上 ,进一步研究这些γ线的级联关系 ,建立了缺中子同位素13 0 Ce较完整的 (EC + β+ )衰变纲图。为118Sn(16O ,4n) 13 0 Ce反应体系建立的放化分离流程的分离时间仅 10min ,化学产额大于70 %。化学分离除去 98%以上的核反应生成的13 0 La ,对其它杂质的去污完全满足13 0 Ce(EC + β+ )衰变研究的要求。

缺中子核素~(129)Ce的(EC/β~+)衰变

利用 10 2MeV16O6+束轰击同位素靶117Sn ,通过熔合蒸发 4n反应产生核素12 9Ce.由氦喷嘴快速带传输系统将反应产物送到低本底区 .通过化学分离来制备待测的Ce样品 ,与此同时用16O束轰击117Sn的两种相邻的同位素靶118Sn和116Sn ,并比较上述 3种反应中的产物来进一步区分元素Ce的不同的同位素 .结果一种半衰期为 4.1min的活性被鉴定为12 9Ce.基于X -γ -t和γ -γ -t符合测量 ,建议了包括 5 1条射线在内的12 9Ce的 (EC/ β+)衰变纲图 .其中 ,12 9Ce基态直接馈送到12 9La基态的份额 ( 2 6± 7) %是用观测到的12 9La衰变的 2 78.6keV的γ射线的生长和衰变曲线估计出来的 .另外还给出了用La Kα X射线和6 8.2keVγ射线开门的γ谱以及典型的衰变γ射线的时间谱