986 resultados para Mussato, Albertino, 1261-1329.
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本文系统地论述了目前世界上利用太阳能技术的最新进展,并展示了其诱人的前景。未来10年,太阳能的研究与利用会“火热”一阵,以后会更热,直到聚变核能实现商业化。预计,太阳能将成为21世纪的主要能源,到2030年世界电力的50%将依靠太阳能。
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近年来,高功率1319 nm波长全固态激光器成为激光领域的研究热点之一,它可以广泛应用于光纤通信、激光医疗、频率转换、激光武器等领域.本实验室采用独特的双棒串接热补偿技术,通过对Nd:YAG激光晶体主振荡波长1064 nm及次振荡波长的抑制,实现了最高输出功率为1261 W的1319 nm波长激光输出,光光转换效率为21.7%.
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通过有限元法,在ANSYS环境下,利用二维模型对自组织应变外延异质结透镜形量子点的应力应变分布情况进行了系统分析。分析过程分别考虑了孤立量子点系统、单层多量子点系统以及量子点超晶格系统3种情况,结果表明单层和超晶格多量子点系统衬底之间存在的长程相互作用力对量子点及其周围的应力应变分布有显著影响。在计算应变对多量子点系统的电子结构的影响时,必须将多量子点系统整体考虑。
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室温下在单晶Si中注入(0.6-1.5)at%的C原子,部分样品在C离子注入之前在其中注入~(29)Si~+离子产生损伤,然后在相同条件下利用高温退火固相外延了Si_(1-x)C_x合金,研究了预注入对Si_(1-x)C_x合金形成的影响。如果注入C离子的剂量小于引起Si非晶化的剂量,在950℃退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇,难于形成Si_(1-x)C_x合金,预注入形成的损伤有利于合金的形成。随着C离子剂量的增大,注入产生的损伤增强,预注入反而不利于Si_(1-x)C_x合金的形成,但当注入C原子的浓度超过固相外延的溶解度时,预注入的影响可以忽略。退火温度升高到1050℃,无论预注入还是未预注入样品,C含量低的合金相仍然保留,而C含量高的合金相大部分消失。
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报道了一种新的半导体体效应器件——体等离子体器件,它是由很薄的高纯GaAs层构成(1-2μm),在强电场(大于200kV/cm)下产生雪崩击穿,形成一个由电子和空穴组成的等离子体,这一等离子体有较宽的等离子体振荡频率,并强烈地依赖于外磁场,因此可以做成振荡器及磁敏传感器,有广泛的用途。
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We report some investigations on vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) arrays and VCSEL based optoelectronic smart photonic multiple chip modules (MCM), consisting of 1x16 vertical cavity surface emitting laser array and 16-channel lasers driver 0.35 Pin CMOS circuit. The hybrid integrated multiple chip modules based on VCSEL operate at more than 2GHz in -3dB frequency bandwidth.