Impianti valvolari transcatetere: stato dell'arte e potenzialità

La sostituzione valvolare aortica (TAVI) è un trattamento che negli ultimi anni ha dimostrato essere una valida opzione per la cura di pazienti affetti da grave stenosi aortica. Il suo vantaggio è quello di essere un’alternativa alla procedura chirurgica (surgical aortic valve replacement-SAVR), la quale può esporre il paziente a numerosi rischi. Dal primo prototipo di valvola espandibile a palloncino e poi con la successiva introduzione della tipologia di valvola autoespandibile, nel corso degli anni gli impianti valvolari aortici hanno subito una notevole evoluzione per quanto concerne il design e le nuove tipologie di valvola, rendendo la TAVI sempre più competitiva e dimostrando numerose potenzialità. La sua efficacia si osserva soprattutto in pazienti ad alto rischio di operabilità, ma grazie alla collaborazione di un preparato team multidisciplinare questa procedura ha avuto la possibilità di estendersi anche su pazienti esposti a minor rischio, dimostrando risultati promettenti per il futuro. Verranno illustrati due studi clinici che dimostreranno l’efficacia della TAVI e soprattutto la sua non inferiorità rispetto all’intervento chirurgico, confermandosi un trattamento innovativo e con un notevole potenziale per la cura della stenosi aortica.

Nuovi modelli organizzativi: il caso Valve Corporation

La tesi espone il caso della Valve Corporation, una azienda produttrice e distributrice di Videogiochi. Questa azienda, leader nel suo settore, ha adottato una organizzazione di tipo "flat" ed ha ideato particolari e innovative soluzioni per la produzione dei suoi software. Ha inoltre sviluppato una piattaforma di distribuzione digitale per la vendita online di Videogiochi.

Produzione e funzionamento di un dispositivo spin valve

Il fenomeno della magnetoresistenza gigante (GMR) consiste nella marcata variazione della resistenza elettrica di una struttura in forma di film sottile, composta da un’alternanza di strati metallici ferromagnetici (FM) e non magnetici (NM), per effetto di un campo magnetico esterno. Esso è alla base di un gran numero di sensori e dispositivi magnetoelettronici (come ad esempio magnetiche ad accesso casuale, MRAM, ad alta densità) ed ulteriori innovazioni tecnologiche sono in via di elaborazione. Particolarmente rilevanti sono diventate le Spin Valve, dispositivi composti da due strati FM separati da uno spaziatore NM, metallico. Uno dei due film FM (free layer) è magneticamente più soffice rispetto all’altro (reference layer), la cui magnetizzazione è fissata mediante accoppiamento di scambio all’interfaccia con uno strato antiferromagnetico (AFM) adiacente. Tale accoppiamento causa l’insorgenza di una anisotropia magnetica unidirezionale (anisotropia di scambio) per lo strato FM, che si manifesta in uno shift orizzontale del ciclo di isteresi ad esso associato (effetto di exchange bias), solitamente accompagnato anche da un aumento del campo coercitivo. Questo lavoro di tesi riporta la deposizione e la caratterizzazione magnetica e magnetoresistiva di due valvole spin, una a struttura top (SVT) composta da strati di Si/Cu[5 nm]/Py[5 nm]/Cu[5 nm]/Py[5 nm]/IrMn[10 nm], ed una a struttura bottom (SVB), di composizione Si/Cu[5 nm]/IrMn[10 nm]/Py[5 nm]/Cu[5 nm]/Py[5 nm], allo scopo di verificare il comportamento magnetoresistivo gigante del dispositivo per questa particolare scelta dei materiali. I campioni sono stati depositati mediante DC Magnetron sputtering, e caratterizzati magneticamente mediante magnetometro SQUID; la caratterizzazione resistiva è stata eseguita tramite metodo di van der Pawn. Vengono infine presentati i risultati sperimentali, in cui si osserva una variazione di magnetoresistenza nei campioni nell’ordine del punto percentuale.