Studio di rivestimenti antiriflesso da sol-gel dip-coating per impianti solari termodinamici

Negli impianti utilizzati per la produzione di energia elettrica che sfruttano l'energia solare, quali la tecnologia solare a concentrazione (Solare Termodinamico) sviluppata da ENEA, per minimizzare le dispersioni di calore è necessaria una elevata selettività spettrale. Per ottimizzare l'efficienza dell'impianto è quindi necessario lo sviluppo di materiali innovativi, in grado di minimizzare la quantità di energia dispersa per riflessione. In questo studio, per incrementare la trasmittanza solare dei componenti in vetro presenti nei tubi ricevitori dell'impianto, sono state utilizzate tipologie diverse di rivestimenti antiriflesso (multistrato e a singolo strato poroso). I rivestimenti sono stati ottenuti mediante via umida, con tecnica di sol-gel dip-coating. I sol coprenti sono stati preparati da alcossidi o sali metallici precursori degli ossidi che costituiscono il rivestimento. Sono state approfondite sia la fase di sintesi dei sol coprenti, sia la fase di deposizione sul substrato, che ha richiesto la progettazione e realizzazione di una apparecchiatura prototipale, ossia di un dip-coater in grado di garantire un accurato controllo della velocità di emersione e dell'ambiente di deposizione (temperatura e umidità). Il materiale multistrato applicato su vetro non ha migliorato la trasmittanza del substrato nell'intervallo di lunghezze d'onda dello spettro solare, pur presentando buone caratteristiche antiriflesso nell'intervallo dell'UV-Vis. Al contrario, l'ottimizzazione del rivestimento a base di silice porosa, ha portato all'ottenimento di indici di rifrazione molto bassi (1.15 to 1.18) e ad un incremento della trasmittanza solare dal 91.5% al 96.8%, efficienza superiore agli attuali rivestimenti disponibili in commercio.

4H silicon carbide particle detectors: study of the defects induced by high energy neutron irradiation

During the last decade advances in the field of sensor design and improved base materials have pushed the radiation hardness of the current silicon detector technology to impressive performance. It should allow operation of the tracking systems of the Large Hadron Collider (LHC) experiments at nominal luminosity (1034 cm-2s-1) for about 10 years. The current silicon detectors are unable to cope with such an environment. Silicon carbide (SiC), which has recently been recognized as potentially radiation hard, is now studied. In this work it was analyzed the effect of high energy neutron irradiation on 4H-SiC particle detectors. Schottky and junction particle detectors were irradiated with 1 MeV neutrons up to fluence of 1016 cm-2. It is well known that the degradation of the detectors with irradiation, independently of the structure used for their realization, is caused by lattice defects, like creation of point-like defect, dopant deactivation and dead layer formation and that a crucial aspect for the understanding of the defect kinetics at a microscopic level is the correct identification of the crystal defects in terms of their electrical activity. In order to clarify the defect kinetic it were carried out a thermal transient spectroscopy (DLTS and PICTS) analysis of different samples irradiated at increasing fluences. The defect evolution was correlated with the transport properties of the irradiated detector, always comparing with the un-irradiated one. The charge collection efficiency degradation of Schottky detectors induced by neutron irradiation was related to the increasing concentration of defects as function of the neutron fluence.

The incomplete ionization of substitutional dopants in Silicon Carbide

This thesis analyzes theoretically and computationally the phenomenon of partial ionization of the substitutional dopants in Silicon Carbide at thermal equilibrium. It is based on the solution of the charge neutrality equation and takes into account the following phenomena: several energy levels in the bandgap; Fermi-Dirac statistics for free carriers; screening effects on the dopant ionization energies; the formation of impurity bands. A self-consistent model and a corresponding simulation software have been realized. A preliminary comparison of our calculations with existing experimental results is carried out.