Caracterización eléctrica de transistores basados en nitruros

[ES] Los transistores más rápidos se consiguen gracias al crecimiento de diferentes semiconductores apilados. Entre los semiconductores es posible confinar una elevada concentración de electrones de alta movilidad, dando lugar a transistores con gran velocidad de respuesta. Cuando se emplea el sistema AlGaN/GaN, los enlaces interatómicos poseen un elevado carácter iónico. Estos iones generan intensos campos eléctricos internos, que inducen entre el AlGaN y el GaN una concentración de electrones de 1013 cm-2, un orden de magnitud superior a la alcanzada con otras estructuras típicas (AlGaAs/GaAs, AlGaAs/InGaAs/GaAs, GaInP/InGaAs/GaAs, etc.). En este artículo se expone un análisis de los aspectos fundamentales relacionados con la distribución de los electrones bajo la puerta de los transistores basados en nitruros.

Potencia máxima de un haz láser pulsante para la caracterización del arseniuro de galio

[ES] En este trabajo se indican los límites de utilización de una técnica de caracterización de semiconductores basada en la iluminación del material con un haz láser. Algunas propiedades físicas de los materiales semiconductores pueden medirse mediante iluminación con radiación láser y el posterior tratamiento de los fenómenos de conducción producidos.

Análisis, modelado e identificación de los condensadores electroquímicos de doble capa

Programa de doctorado: Ingeniería de Telecomunicación Avanzada.

Aportaciones a la metodología de diseño basada en Síntesis de Alto Nivel. Aportaciones al diseño de IPs para procesado de eventos complejos y codificación de vídeo

Programa de doctorado: Ingeniería de Telecomunicación Avanzada. La fecha de publicación es la fecha de lectura