Caracterización eléctrica de transistores basados en nitruros

[ES] Los transistores más rápidos se consiguen gracias al crecimiento de diferentes semiconductores apilados. Entre los semiconductores es posible confinar una elevada concentración de electrones de alta movilidad, dando lugar a transistores con gran velocidad de respuesta. Cuando se emplea el sistema AlGaN/GaN, los enlaces interatómicos poseen un elevado carácter iónico. Estos iones generan intensos campos eléctricos internos, que inducen entre el AlGaN y el GaN una concentración de electrones de 1013 cm-2, un orden de magnitud superior a la alcanzada con otras estructuras típicas (AlGaAs/GaAs, AlGaAs/InGaAs/GaAs, GaInP/InGaAs/GaAs, etc.). En este artículo se expone un análisis de los aspectos fundamentales relacionados con la distribución de los electrones bajo la puerta de los transistores basados en nitruros.

Inductores integrados planos sobre tecnologías de silicio

[ES] Las tecnologías de fabricación de circuitos integrados basadas en Silicio no han sido muy utilizadas en aplicaciones analógicas a frecuencias milimétricas, sin embargo son la alternativa para disminuir los costes. Las prestaciones de estos circuitos integrados son muy dependientes de la calidad de los elementos de circuito utilizados. Están disponibles transistores cuyas frecuencias de corte alcanzan los 60 gigahertzios., así como resistencias y capacitares capaces de operar en intervalos de frecuencia de unos giga-hertzios, sin embargo no ocurre así con los inductores. En este artículo se expone un análisis práctico de los aspectos fundamentales relacionados con el funcionamiento de los inductores integrados sobre silicio

La tetralogía de Ramón Pérez de Ayala : aspectos ético-estéticos, lectorales y genéricos

Programa de Doctorado: Filología Hispánica