12 resultados para InN

em Repositório Institucional UNESP - Universidade Estadual Paulista "Julio de Mesquita Filho"


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Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

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Il s'agit d'examiner l'origine des représentations fondamentales (formes de la réceptivité et formes intelectuelles )face à la critique faite par Kant des idées innées et abstraites.

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We report on first-order micro-Raman and resonant micro-Raman scattering measurements on c-InxGa1-xN (0 ≤ x ≤ 0.31) epitaxial layers. We have found that both, the transverse-optical (TO) and longitudinal-optical (LO) phonons of InxGa1-xN alloy exhibit a one-mode-type behavior. Their frequencies at Γ lie on straight lines connecting the corresponding values obtained for the c-GaN and c-InN binary compounds. Evidence for phase separation is shown in the sample with the alloy composition x = 0.31. The Raman spectra, with excitation energy close to 2.4 eV, show an enhanced additional peak, with frequency between the values found for the LO and TO phonon modes of the C-In0.31Ga0.69N epitaxial layer. We ascribed this peak to the LO phonon mode of a minority phase with In content of ≈0.80.

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Pós-graduação em Pesquisa e Desenvolvimento (Biotecnologia Médica) - FMB

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Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

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Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

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Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

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Pós-graduação em Geografia - IGCE

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Pós-graduação em Geografia - FCT

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Pós-graduação em Física - IFT

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Pós-graduação em Física - IFT