273 resultados para SiO2-GeO2
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Lanthanum-modified bismuth titanate, Bi4-xLaxTi3O12 (BLT), with x ranging from 0 to 0.75 was grown on Pt/Ti/SiO2/Si substrates using a polymeric precursor solution and spin-coating method. The dielectric constant of highly doped bismuth titanate was equal to 148 while dielectric losses remained low (tan delta = 0.0018), and the films showed well-saturated polarization-electric field curves (2P(r) = 40.6 muC/cm(2) and V-c = 0.99 V). The leakage current densities improve for the lanthanum-doped system. For five-layered BLT films with x = 0.75, a charge storage density of 35 fC/mum(2) and a thickness of 320 nm were found. (C) 2004 Elsevier B.V. All rights reserved.
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Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)
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Ca(Zr0.05Ti0.95)O-3 (CZT) thin films were prepared by the polymeric precursor method by spin-coating process. The films were deposited on Pt(1 1 1)/Ti/SiO2/Si(1 0 0) substrates and annealed at 650 degrees C for 2,4, and 6 It in oxygen atmosphere. Structure and morphology of the CZT thin films were characterized by the X-ray diffraction (XRD), Fourier-transform infrared spectroscopy (FT-IR), atomic force microscopy (AFM) and field-emission scanning electron microscopy (FEG-SEM). XRD revealed that the film is free of secondary phases and crystallizes in the orthorhombic structure. The annealing time influences the grain size, lattices parameter and in the film thickness. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.
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Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)
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Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)
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Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)
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Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)
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Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)
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Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)
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Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)
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Multicolor and white light emissions have been achieved in Yb3+, Tm3+ and Ho3+ triply doped heavy metal oxide glasses upon laser excitation at 980 nm. The red (660 nm), green (547 nm) and blue (478 nm) up conversion emissions of the rare earth (RE) ions triply doped TeO2-GeO2-Bi2O3-K2O glass (TGBK) have been investigated as a function of the RE concentration and excitation power of the 980 nm laser diode. The most appropriate combination of RE in the TGBK glass host (1.6 wt% Yb2O3, 0.6 wt% Tm2O3 and 0.1 wt% Ho2O3) has been determined with the purpose to tune the primary colors (RGB) respective emissions and generate white light emission by varying the pump power. The involved infrared to visible up conversion mechanisms mainly consist in a three-photon blue up conversion of Tm3+ ions and a two-photon green and red up conversions of Ho3+ ions. The resulting multicolor emissions have been described according to the CIE-1931 standards. (C) 2011 Elsevier B.V. All rights reserved.
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Variações nos atributos do solo dependem da posição do solo na paisagem e processos de drenagem, erosão e deposição. Este estudo objetivou avaliar os atributos físicos e químicos do solo, em uma topossequência de origem basáltica, na região de Batatais (SP). A área possui relevo aplanado e altitude oscilando entre 740 m e 610 m, em região dominada por basaltos. Foi estabelecido caminhamento de 3.000 m, a partir do espigão da vertente, no seu declive mais suave. As superfícies geomórficas foram identificadas e delimitadas conforme critérios topográficos e estratigráficos, com base em intensas investigações detalhadas de campo. Foram coletadas amostras laterais aos perfis modais representativos das diversas superfícies geomórficas (S.G.) da topossequência (S.G. I = topo; S.G. II = meia encosta e sopé de transporte; S.G. III = ombro e sopé de deposição), totalizando 142 amostras. Além disto, foram abertas trincheiras, nos segmentos de vertente inseridos nas superfícies geomórficas mapeadas. As amostras coletadas foram analisadas quanto à densidade do solo, textura, bases trocáveis (Ca2+, K+ e Mg2+), soma de bases, capacidade de troca catiônica, saturação por bases, pH (água e KCl), SiO2, Al2O3, Fe2O3 (ataque por H2SO4), óxidos de Fe livres extraídos com ditionito-citrato-bicarbonato e Fe mal cristalizado extraído com oxalato de amônio. Os resultados revelaram que os solos oriundos de basalto apresentaram atributos físicos e químicos com comportamento dependente das formas do relevo. Com o uso de técnicas estatísticas multivariadas, foi possível distinguir três diferentes ambientes, que equivalem às três superfícies geomórficas.
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O conhecimento detalhado do solo e de seus atributos, ao longo da paisagem, é uma demanda permanente dos sistemas urbanos e agroindustriais, para o planejamento sustentável de uso e ocupação. O presente trabalho objetivou estudar o potencial de modelos de paisagem e susceptibilidade magnética na identificação e caracterização de latossolos, em Guariba (SP). Foram coletadas 514 amostras de solo, em 110,0 ha, às profundidades de 0,0-0,20 m e 0,60-0,80 m. Foram identificados diferentes compartimentos de paisagem, com base no modelo de superfície geomórfica e segmento de vertente. em cada compartimento de paisagem, foram abertas trincheiras, para classificação do solo. As amostras foram analisadas quanto à granulometria e atributos químicos, pH (água, CaCl2 e KCl), matéria orgânica, P extraível, K+, Ca2+, Mg2+ e H+ + Al3+. Também foram determinados os teores de SiO2, Al2O3, Fe2O3 e óxidos de Fe livres (Fe d) e pouco cristalizados (Fe o), nas amostras das trincheiras, além da susceptibilidade magnética (SM). Solos taxonomicamente iguais, porém em diferentes compartimentos da paisagem, apresentaram valores distintos, para os atributos estudados, indicando que os modelos de paisagem e a susceptibilidade magnética podem ser viáveis, como técnica de campo, para auxiliar no detalhamento da variação dos atributos do solo. A susceptibilidade magnética demonstrou ter potencial para delimitação das superfícies geomórficas mapeadas no campo, o que indica o seu potencial de uso, na identificação e caracterização de áreas mais homogêneas.
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Filmes finos de SrBi2Ta2O9 foram depositados em substratos de Pt/Ti/SiO2/Si e, pela primeira vez, sinterizados em forno microondas doméstico. Os padrões de difração de raios X mostraram que os filmes são policristalinos. O processamento por microondas permite utilizar baixa temperatura na síntese e obter filmes com boas propriedades elétricas. Ensaios de microscopia eletrônica de varredura (MEV) e de Força Atômica (MFA) revelam boa aderência entre filme e substrato, com microestrutura de superfície apresentando grãos finos e esféricos e rugosidade de 4,7 nm. A constante dielétrica e o fator de dissipação, para freqüência de 100 KHz, à temperatura ambiente, foram de 77 e 0,04, respectivamente. A polarização remanescente (2Pr) e o campo coercitivo (Ec) foram 1,04 miC/cm² e 33 kV/cm. O comportamento da densidade de corrente de fuga revela três mecanismos de condução: linear, ôhmico e outro mecanismo que pode ser atribuído à corrente de Schottky. Dos padrões de DRX, análises das imagens por MEV e topografia de superfície por MFA observa-se que 10 min de tratamento térmico a 550 ºC, em forno microondas, é tempo suficiente para se obter a cristalização do filme.
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Ferroelectric SrBi2Ta2O9 thin films on Pt/Ti/SiO2/Si were successfully synthesized by the modified polymeric precursor method. The films were deposited by spin coating and crystallized by rapid thermal annealing in a halogen lamp furnace, followed by postannealing at temperatures ranging from 700 degreesC to 800 degreesC in an oxygen atmosphere. Microstructural and phase evaluations were followed by x-ray diffraction and atomic force microscopy. The films displayed spherical grain structures with a superficial roughness of approximately 3-6 nm. The dielectric constant values were 121 and 248 for films treated at 700 degreesC and 800 degreesC, respectively. The P-E curve showed a voltage shift toward the positive side, which was attributed to crystallization under the halogen illumination. The remanent polarization (2P(r)) and coercive field (E-c) were 7.1 muC/cm(2) and 113 kV/cm, and 18.8 muC/cm(2) and 93 kV/cm for the films treated at 700 degreesC and 800 degreesC, respectively. (C) 2001 American Institute of Physics.