Determinação da posição reticular de F em Si

Neste trabalho, estudamos a posição de átomos de F na estrutura cristalina do Si. As amostras foram pré-amorfizadas utilizando um feixe de Si de 200 keV e, após, implantadas com F. Então recristalizamos a camada amorfa através do processo de Epitaxia de Fase Sólida (EFS). Empregamos as técnicas de Espectrometria de Retroespalhamento Rutherford, na condição de canalização iônica, e de Análise por Reação Nuclear (NRA), através da reação ressonante ( ) O p F 16 19 , αγ , à 5 , 340 keV, para determinar a posição dos átomos de F e, depois, reproduzimos os resultados experimentais através do programa de simulação computacional chamado Simulação Adaptada de Canalização de Íons Rápidos em Sólidos (CASSIS - Channeling Adapted Simulation of Swift Ions in Solids). Os resultados obtidos apontam para duas possíveis combinações lineares distintas de sítios. Uma delas concorda com a proposta teórica de Hirose et al. (Materials Science & Engineering B – 91-92, 148, 2002), para uma condição experimental similar. Nessa configuração, os átomos de F estão na forma de complexos entre átomos de flúor e vacâncias (F-V). A outra combinação ainda não foi proposta na literatura e também pode ser pensada como um tipo de complexo F-V.

Estratégias composicionais de um autor brasileiro : um estudo sobre a ironia, a paródia e a sátira em contos de Machado de Assis

Nesta tese, pretendo desenvolver um estudo comparatista com o objetivo de demonstrar o efeito de crítica cultural implícito no uso da ironia e da paródia de discursos não-literários em contos de Machado de Assis. Este trabalho visa também investigar a relação das narrativas desse autor com o gênero sátira – a partir do manejo das referidas estratégias composicionais – e, assim, ressaltar a especificidade do seu realismo e a natureza de sua perspectiva satírica, quando comparada às que se apresentam nas sátiras de Voltaire (Cândido) e de Swift (As Viagens de Gulliver).