As manifestações rituais nas organizações e a legitimação dos procedimentos administrativos

Este trabalho objetiva, à luz do referencial teórico da Antropologia, descrever os rituais da Administração de Recursos Humanos levados a efeito na Rede Brasil Sul de Comunicações S/A (RBS), enfatizando-se os ritos de passagem e as celebrações. Por rito de passagem da Administração de Recursos Humanos entende-se o processo de admissão de um funcionário. O recrutamento e a seleção correspondem à fase de separação do rito de passagem; o período de experiência do funcionário que açambarca o treinamento de integração caracteriza a fase de margem; e a efetivação do funcionário configura a agregação. As festas de final de ano, os jubilados, os 25 anos da empresa, a festa do Dia dos Jornaleiros, dentre outros eventos comemorativos, enquadram-se na categoria das celebrações. Essas celebrações são realizadas, pela empresa, visando a união do seu quadro funcional em torno dos objetivos organizacionais. o mito do fundador é narrado, dado que, em todos os rituais executados na empresa, implícita ou explícitamente, ele se faz presente. Os simbolos por fazerem parte dos rituais, também foram referenciados ao longo da dissertação. Esta pesquisa pode ser classificada como um estudo exploratório, subtipo exploratório-descritivo combinados. A análise e a interpretação dos rituais da RBS extrapolaram para o contexto mais amplo, na medida em que o caso estudado representa uma manifestação particular de um fenômeno geral. No ritual o cotidiano é visto com outra roupagem, é onde determinados sentimentos de satisfação e de desagrado, apresentam-se manifestos, ao mesmo tempo em que outros aspectos, como a hierarquia e alguns preconceitos, são mascarados ou acentuados, tornando-se socialmente aceitos. Todavia, o ritual representa ainda, o locus capaz de permitir a externalização da forma de ser e de pensar da classe trabalhadora, não como um foco revolucionário, mas sim, como um espaço fragmentado, onde a rebelião e manutenção do "status quo" coexistem. Ao conhecer-se em detalhes os rituais engendrados pela empresa é possível fazer-se a leitura da sociedade na qual se vive e assim, compreender as representações dos indivíduos enquanto atores dessa construção social.

Estudo, desenvolvimento e caracterização de revestimentos do tipo super-rede de dureza

Nos últimos 10 anos, o desenvolvimento de técnicas de deposição e seus equipamentos permitiu o surgimento de novos tipos de filmes finos, principalmente voltados para aplicações mecânicas e tribológicas, que são multicamadas nanoestruturadas. Esses revestimentos apresentam propriedades que não são diretamente ligadas as propriedades das camadas individuais de cada material, geralmente apresentando valores de dureza extremamente elevados relacionados a um período de modulação crítico ΛC. Esses filmes demonstram um claro potencial para aplicações tribológicas mesmo com o seu comportamento de dureza ainda não completamente esclarecido. O objetivo deste trabalho é produzir multicamadas nanoestruturadas do tipo metal / nitreto pela técnica de magnetron sputtering usando Nb, Ta e TiN, visando obter uma estrutura com valores de dureza extremamente elevados, tipicamente observados em revestimentos do tipo super-redes. A estrutura periódica dos revestimentos com baixo valor de Λ (< 10 nm) foi caracterizada por XRR (Refletividade por Difração de Raios X) e por RBS (Espectrometria por Retroespalhamento Rutherford) para os valores altos de Λ. As propriedades mecânicas dos revestimentos foram avaliadas por testes instrumentados de dureza usando um equipamento Fischerscope HV100. Todas as multicamadas foram produzidas com sucesso e apresentaram uma periodicidade bem definida, o que foi confirmado pelos resultados de RBS e XRR. Os valores de dureza medidos apresentaram um comportamento tipicamente observado em superredes com um valor máximo maior que 50 GPa sempre relacionado a uma valor crítico de Λ. O valor ΛC foi 8 nm para as amostras de Nb/TiN e 4 nm para as amostras de Ta/TiN. A razão H/E indicou que o revestimento nanoestruturado mais adequado para aplicações tribológicas foram as multicamadas com maior valor de dureza. Esses resultados mostraram claramente a possibilidade de aplicação industrial destes revestimentos.

Formação e estabilidade térmica de nanocavidades produzidas pela implantação de He em Si

Nesta tese são apresentados os resultados de um estudo sistemático à respeito da formação e evolução térmica de nanocavidades de He em Si cristalino. O efeito da formação de nanocavidades de He no aprisionamento de impurezas em Si foi estudado inicialmente em distintas condições de fluência, temperatura e direção de implantação. Após as implantações, as amostras foram tratadas termicamente a 800°C e analisadas por espectroscopia de retroespalhamento Rutherford em condição de canalização (RBS/C), análise de detecção por recuo elástico (ERDA), espectroscopia por emissão de íons secundários (SIMS) e microscopia eletrônica de transmissão (TEM). Os resultados experimentais mostraram que implantações de He a temperatura ambiente (Ti=Tamb) levam à formação de defeitos numa região intermediária entre a superfície e a camada onde as bolhas se formam (Rp/2), sendo 5x1015He+cm-2 a fluência mínima para a observação do fenômeno. Sua origem foi atribuída à formação de pequenas cavidades nesta região. O mesmo não é observado em implantações a Ti=350°C devido ao efeito do recozimento dinâmico dos defeitos. Estes resultados mostraram a necessidade de um estudo mais profundo a respeito dos efeitos da temperatura de implantação (Ti) na formação de bolhas em Si. Este estudo foi feito a partir de implantações de He no intervalo de temperatura entre -196°C e 350°C, sendo a fluência e a energia de implantação de 2x1016He+cm-2 e 40keV respectivamente. O efeito da proximidade à superfície foi estudado com implantações a 15keV. As amostras foram analisadas pelas mesmas técnicas referidas anteriormente. Para o caso de implantações feitas a 40keV com TiTamb pequenas bolhas são formadas durante a implantação juntamente com defeitos estendidos do tipo {311}. A formação destes defeitos é atribuida ao mecanismo de formação das bolhas baseado na emissão de átomos auto-intersticiais de Si. Distintos regimes são observados após recozimento entre 400°C e 800°C por 600s. Para Ti≤250°C observa-se a dissolução do sistema de cavidades e defeitos devido à interação mutua entre os sistemas. Para Ti>250°C cavidades esféricas e anéis de discordância são observados após recozimentos a 800°C. Finalmente, se observou que a energia de implantação (15keV) não afeta a morfologia do sistema de bolhas e defeitos formados. Porém a perda de He é cinco vezes menor que no caso de amostras implantadas a 40 keV na mesma fluência. Um mecanismo baseado na difusão aumentada por danos de irradiação é sugerido neste trabalho.

Movimento dos sentidos : o discurso do jornal Zero Hora sobre o Partido dos Trabalhadores, durante a Comissão Parlamentar de Inquérito da Segurança Pública, realizada pela Assembléia Legislativa do Rio Grande do Sul, em 2001

Esta pesquisa de mestrado analisa o discurso do jornal Zero Hora sobre o Partido dos Trabalhadores, durante a Comissão Parlamentar de Inquérito da Segurança Pública, realizada pela Assembléia Legislativa do Rio Grande do Sul, de 18 de abril a 10 de novembro de 2001. Para compreender o funcionamento destes discursos nos amparamos em fundamentos teóricos e em procedimentos metodológicos consagrados pela Escola Francesa da Análise do Discurso e, também, nos cercamos de conceitos de comunicação, política e jornalismo. 7 RESUMO Construímos o corpus de nossa pesquisa, partindo das 48 edições do jornal Zero Hora subseqüentes às audiências da Comissão Parlamentar de Inquérito e mais a edição relativa à leitura do relatório final dos trabalhos desta Comissão, totalizando 49 exemplares, nas quais foram publicadas 110 matérias informativas sobre a Comissão Parlamentar de Inquérito. Deste total, subdividimos e classificamos as matérias exclusivas sobre o Partido dos Trabalhadores. Verificamos que o jornal Zero Hora, no período estudado, construiu um discurso de resistência e de oposição ao Partido dos Trabalhadores e ao poder político instituído no Estado, visando desestabilizar o capital simbólico deste partido - a sua credibilidade. Articulado com veículos da RBS, o jornal interferiu na pauta da CPI da Segurança Pública, fiscalizou as ações do PT, sugeriu rumos ao partido e usou ironias da oposição, no seu discurso jornalístico. A repetição e a disputa política pelas eleições de 2002 também estiveram presentes na discursividade do jornal. Partimos da perspectiva de que o discurso jornalístico não é um discurso da realidade, mas um discurso sobre a realidade. Assim, contestamos o mito da objetividade jornalística, embora esta visão ainda domine no campo da comunicação. E nos contrapomos ao argumento da neutralidade no discurso do jornal Zero Hora, utilizando o paradigma de Gaye Tuchman, segundo o qual os jornais e os jornalistas, em busca da imparcialidade jornalística, recorrem a determinados rituais estratégicos para se protegerem das críticas - como ouvir os dois lados, apresentar provas complementares, usar aspas e a pirâmide invertida, na elaboração das matérias jornalísticas. Identificamos no discurso do jornal Zero Hora sobre o Partido dos Trabalhadores, no período estudado, a existência de pelo menos duas formações discursivas: uma FD-petista e outra FD-antipetista, que em alguns momentos aparecem isoladas e, em outros se misturam e se mesclam. As principais marcas observadas em ambas linhas discursivas são relativas à ética e à democracia. Embora os enunciadores tenham sido múltiplos, o fio condutor destes discursos apontou para uma mesma direção de sentidos e a FD-antipetista se revelou com uma presença mais marcante.

Determinação da posição reticular de F em Si

Neste trabalho, estudamos a posição de átomos de F na estrutura cristalina do Si. As amostras foram pré-amorfizadas utilizando um feixe de Si de 200 keV e, após, implantadas com F. Então recristalizamos a camada amorfa através do processo de Epitaxia de Fase Sólida (EFS). Empregamos as técnicas de Espectrometria de Retroespalhamento Rutherford, na condição de canalização iônica, e de Análise por Reação Nuclear (NRA), através da reação ressonante ( ) O p F 16 19 , αγ , à 5 , 340 keV, para determinar a posição dos átomos de F e, depois, reproduzimos os resultados experimentais através do programa de simulação computacional chamado Simulação Adaptada de Canalização de Íons Rápidos em Sólidos (CASSIS - Channeling Adapted Simulation of Swift Ions in Solids). Os resultados obtidos apontam para duas possíveis combinações lineares distintas de sítios. Uma delas concorda com a proposta teórica de Hirose et al. (Materials Science & Engineering B – 91-92, 148, 2002), para uma condição experimental similar. Nessa configuração, os átomos de F estão na forma de complexos entre átomos de flúor e vacâncias (F-V). A outra combinação ainda não foi proposta na literatura e também pode ser pensada como um tipo de complexo F-V.

Estudo da perda de energia de Be, B e O em direções aleatórias e canalizadas de alvos de Si e determinação da respectiva contribuição Barkas

Neste trabalho de tese, foi estudada a perda de energia de íons de Be, B e O incidindo em direção aleatória e ao longo dos canais axiais <100> e <110> do Si. Os intervalos de energia nos quais as medidas experimentais foram realizadas variaram entre 0,5 e 10 MeV para Be, entre 0,23 e 9 MeV para B e entre 0,35 e 15 MeV para O. Posteriormente, o efeito do “straggling” (flutuação estatística da perda de energia) nas medidas em direção aleatória também foi analisado, para íons de Be e O, nas regiões de energia entre 0,8 e 5 MeV e 0,35 e 13,5 MeV, respectivamente. As medidas relacionadas à perda de energia em direção aleatória e ao “straggling” em função da energia dos íons foram realizadas combinando-se a técnica de retroespalhamento Rutherford (RBS) ao emprego de amostras de Si implantadas com marcadores de Bi. Os resultados relativos à perda de energia ao longo dos canais <100> e <110> do Si em função da energia dos íons foram obtidos através de medidas de RBS canalizado feitas em amostras tipo SIMOX (Separated by IMplanted OXygen). A perda de energia foi calculada teoricamente, através de três abordagens diferentes: a) a Aproximação de Convolução Unitária (UCA); b) o método não-linear baseado na seção de choque de transporte e na regra da soma de Friedel estendida (TCS-EFSR); c) a teoria binária. A combinação dos cálculos UCA com os resultados experimentais para a perda de energia canalizada de Be, B e O em Si permitiu isolar a contribuição do efeito Barkas para a perda de energia. Essa contribuição mostrou ser bastante grande, chegando a 45% do valor das outras contribuições para o caso do Be, 40% para o caso do B e 38% para o caso do O. Esses resultados são comparáveis aos previamente obtidos no Laboratório de Implantação Iônica da UFRGS para íons de He e Li. As teorias TCS-EFSR e binária permitiram o cálculo do efeito Barkas para a perda de energia devida aos elétrons de valência. Os resultados teóricos e experimentais para a contribuição Barkas total e relativa foram comparados e analisados em função da carga média e da energia dos íons para as energias de 300, 400, 500 e 700 keV/uma. O acordo teórico-experimental é razoável para as energias mais baixas, melhorando com o aumento da energia dos íons incidentes.

Caracterização de Fe granular em matriz de Al/sub 2/O/sub 3/

Neste trabalho é apresentada a caracterização de amostras de filmes finos granulares de Fe- Al2O3, obtidas por evaporação em ultra alto vácuo. Duas amostras com composições diferentes foram obtidas. A espectroscopia de Espalhamento de Rutherford (Rutherford Backscattering Spectroscopy - RBS) foi utilizada para determinar a fração volumétrica de metal e a espessura das amostras, cujos valores obtidos foram 43% e 34% respectivamente. A morfologia das amostras foi investigada por difração de raios-x a qual mostrou a existência de grãos de ferro com 30Å de diâmetro e orientação cristalina preferencial (110) embebidos em uma matriz amorfa de Al2O3. As medidas de magnetização também mostraram que as duas amostras apresentavam uma distribuição de tamanhos de grão de ferro com valor médio de 24Å, estando de acordo com os resultados obtidos por difração de raios-x. A magneto-resistência observada em temperatura ambiente pode ser explicada pelo tunelamento dependente de spin dos elétrons de condução entre os grãos de ferro. Os resultados das medidas de RxT e IxV mostraram que o principal mecanismo de transporte foi o tunelamento termicamente ativado, o que está de acordo com a teoria apresentada por Abeles.

Junções rasas em Si e SIMOX

Foi estudado o comportamento do As (dopante tipo n) em dois tipos diferentes de substratos de Si: bulk e SIMOX (Separation by IMplanted OXygen). Ambos os substratos receberam uma implantação de 5x1014 cm-2 de As+ com energia de 20 keV. Após as implantações, as amostras foram recozidas por um dos dois processos a seguir: recozimento rápido (RTA, Rapid Thermal Annealing) ou convencional (FA, Furnace Annealing). A caracterização física e elétrica foi feita através do uso de diversas técnicas: SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry), RBS (Rutherford Backscattering Spectrometry), MEIS (Medium Energy Ion Scattering), medidas de resistência de folha, medidas Hall e medidas de perfil de portadores por oxidação anódica. Na comparação entre os substratos SIMOX e Si bulk, os resultados indicaram que o SIMOX se mostrou superior ao Si bulk em todos os aspectos, ou seja, menor concentração de defeitos e menor perda de dopantes para a atmosfera após os recozimentos, maior concentração de portadores e menor resistência de folha. A substitucionalidade do As foi maior no SIMOX após RTA, mas semelhante nos dois substratos após FA. Na comparação entre RTA e FA, o primeiro método se mostrou mais eficiente em todos os aspectos mencionados acima. As explicações para o comportamento observado foram atribuídas à presença de maior concentração de vacâncias no SIMOX do que no Si bulk e à interação destas vacâncias com os dopantes.