SAP: Ensamblado a la medida de GM Colmotores

Los sistemas y las tecnologías de información son un elemento vital de las organizaciones exitosas. Por eso constituyen un área esencial de estudio en la administración y dirección de un negocio. Actualmente, la investigación sobre la TI y el desempeño de negocios ha descubierto que cuanto más tenga éxito una empresa para alinear la tecnología de la información con sus objetivos de negocios, mayor será su rentabilidad, y solo una cuarta parte de las empresas logran una alineación entre la TI y los negocios (Luffman, 2003) Esta fuerte tendencia ha tenido un auge interesante en compañías colombianas de todos los tamaños y sectores de la economía; por esta razón hemos buscado abordar una compañía colombiana de talla internacional para describir el proceso de implementación de su sistema de gestión de recursos empresariales (ERP) SAP ECC y su integración dentro de General Motors Colmotores; principalmente con el fin de realizar un análisis del uso que la compañía le está dando a los principales módulos y sub-módulos de contabilidad, ventas y compras de SAP. Este proyecto es muy pertinente especialmente para todos aquellos estudiantes e interesados en el uso y aprovechamiento de los sistemas de información de una compañía, por lo cual se sintetizara la experiencia durante su preparación para la implementación, el desarrollo de la misma y los principales resultados, percibidos por los empleados directamente involucrados, los cuales serán abordados por medio de visitas programadas y entrevistas a profundidad; esto facilitara y permitirá evidenciar de cerca la realidad de la compañía General Motors Colmotores con SAP.

Procesos hopping a través del modelo difusional en materiales nanocristalinos usados para aplicaciones fotovoltaicas

Se presentan los modelos de hopping de rango variable (variable range hopping; VRH), vecinos cercanos (nearest neighbor hopping; NNH) y barreras de potencial presentes en las fronteras de grano; como mecanismos de transporte eléctrico predominantes en los materiales semiconductores para aplicaciones fotovoltaicas. Las medidas de conductividad a oscuras en función de temperatura fueron realizadas para región de bajas temperaturas entre 120 y 400 K con Si y compuestos Cu3BiS2 y Cu2ZnSnSe4. Siguiendo la teoría de percolación, se obtuvieron parámetros hopping y la densidad de estados cerca del nivel de Fermi, N(EF), para todas las muestras. A partir de los planteamientos dados por Mott para VRH, se presentó el modelo difusional, que permitió establecer la relación entre la conductividad y la densidad de estados de defecto o estados localizados en el gap del material. El análisis comparativo entre modelos, evidenció, que es posible obtener mejora hasta de un orden de magnitud en valores para cada uno de los parámetros hopping que caracterizan el material.