Problemas y consecuencias del resurgir del pragmatismo norteamericano: 1952-1976

Revisión crítica de la ‘versión heredada’ sobre el resurgir del pragmatismo norteamericano. Aquí sostengo que ésta es una narrativa sobre la historia de la filosofía que puede ser usada para “reivindicar” la continuidad o para “añorar” la pérdida de esa tradición. Presento tres argumentos a favor de mi tesis sobre la versión heredada: i) es insuficiente para explicar el surgimiento del pragmatismo; ii) es un tipo de narrativa que hace plausible una imagen de la filosofía; iii) impide apreciar que la formación del canon obedece a los propósitos de los seguidores del movimiento.

Procesos hopping a través del modelo difusional en materiales nanocristalinos usados para aplicaciones fotovoltaicas

Se presentan los modelos de hopping de rango variable (variable range hopping; VRH), vecinos cercanos (nearest neighbor hopping; NNH) y barreras de potencial presentes en las fronteras de grano; como mecanismos de transporte eléctrico predominantes en los materiales semiconductores para aplicaciones fotovoltaicas. Las medidas de conductividad a oscuras en función de temperatura fueron realizadas para región de bajas temperaturas entre 120 y 400 K con Si y compuestos Cu3BiS2 y Cu2ZnSnSe4. Siguiendo la teoría de percolación, se obtuvieron parámetros hopping y la densidad de estados cerca del nivel de Fermi, N(EF), para todas las muestras. A partir de los planteamientos dados por Mott para VRH, se presentó el modelo difusional, que permitió establecer la relación entre la conductividad y la densidad de estados de defecto o estados localizados en el gap del material. El análisis comparativo entre modelos, evidenció, que es posible obtener mejora hasta de un orden de magnitud en valores para cada uno de los parámetros hopping que caracterizan el material.