3 resultados para 141-863
em Universidad del Rosario, Colombia
Resumo:
En el presente texto se busca mostrar las capacidades explicativas que puede tener la conjunción entre las perspectivas de la ética hacker y la defensa de la propiedad intelectual para dar cuenta de las reacciones generalizadas de rechazo ante las normatividades de derechos de autor en el espacio digital. Así, se lleva a cabo un resumen de los principios de cada una de estas perspectivas dando cuenta de sus capacidades explicativas y características teóricas para, posteriormente, aplicarlas a la realidad empresarial, laboral y de opinión en el marco social contemporáneo. Cómo conclusión de este trabajo se logra observar que a pesar de que en principio ambas perspectivas podrían parecer contradictorias, existen aspectos comunes que permiten vislumbrar como un trabajo en conjunto permitiría generar normatividades que se acoplen a las realidades contemporáneas.
Resumo:
La creación de conocimiento al interior de las organizaciones es visible mediante la dirección adecuada del conocimiento de los individuos, sin embargo, cada individuo debe interactuar de tal manera que forme una red o sistema de conocimiento organizacional que consolide a largo plazo las empresas en el entorno en el que se desenvuelven. Este documento revisa elementos centrales acerca de la gestión de conocimiento visto desde varios autores y perspectivas e identifica puntos clave para diseñar un modelo de gestión de conocimiento para una empresa del sector de insumos químicos para la industria farmacéutica, cosmética y de alimentos de la ciudad de Bogotá.
Resumo:
Se presentan los modelos de hopping de rango variable (variable range hopping; VRH), vecinos cercanos (nearest neighbor hopping; NNH) y barreras de potencial presentes en las fronteras de grano; como mecanismos de transporte eléctrico predominantes en los materiales semiconductores para aplicaciones fotovoltaicas. Las medidas de conductividad a oscuras en función de temperatura fueron realizadas para región de bajas temperaturas entre 120 y 400 K con Si y compuestos Cu3BiS2 y Cu2ZnSnSe4. Siguiendo la teoría de percolación, se obtuvieron parámetros hopping y la densidad de estados cerca del nivel de Fermi, N(EF), para todas las muestras. A partir de los planteamientos dados por Mott para VRH, se presentó el modelo difusional, que permitió establecer la relación entre la conductividad y la densidad de estados de defecto o estados localizados en el gap del material. El análisis comparativo entre modelos, evidenció, que es posible obtener mejora hasta de un orden de magnitud en valores para cada uno de los parámetros hopping que caracterizan el material.