Métodos de extracción de parámetros de un circuito equivalente de pequeña señal para transistores LDMOS de potencia para aplicaciones de RF

En la actualidad, la gran cantidad de aplicaciones que surgen dentro del ámbito de la radiofrecuencia hacen que el desarrollo de dispositivos dentro de este campo sea constante. Estos dispositivos cada vez requieren mayor potencia para frecuencias de trabajo elevadas, lo que sugiere abrir vías de investigación sobre dispositivos de potencia que ofrezcan los resultados deseados para altas frecuencias de operación (GHz). Dentro de este ámbito, el objetivo principal de este proyecto es el de realizar un estudio sobre este tipo de dispositivos, siendo el transistor LDMOS el candidato elegido para tal efecto, debido a su buen comportamiento en frecuencia para tensiones elevadas de funcionamiento.

Analyzing the effects of transient faults into applications

As computer chips implementation technologies evolve to obtain more performance, those computer chips are using smaller components, with bigger density of transistors and working with lower power voltages. All these factors turn the computer chips less robust and increase the probability of a transient fault. Transient faults may occur once and never more happen the same way in a computer system lifetime. There are distinct consequences when a transient fault occurs: the operating system might abort the execution if the change produced by the fault is detected by bad behavior of the application, but the biggest risk is that the fault produces an undetected data corruption that modifies the application final result without warnings (for example a bit flip in some crucial data). With the objective of researching transient faults in computer system’s processor registers and memory we have developed an extension of HP’s and AMD joint full system simulation environment, named COTSon. This extension allows the injection of faults that change a single bit in processor registers and memory of the simulated computer. The developed fault injection system makes it possible to: evaluate the effects of single bit flip transient faults in an application, analyze an application robustness against single bit flip transient faults and validate fault detection mechanism and strategies.

Control de instrumentos mediante el bus GPIB programado con MATLAB

El proyecto que se expone a continuación está dedicado al control de instrumentos mediante el bus de instrumentación GPIB programado con el software Matlab. Está dividido en dos partes. La primera, será llevada a cabo en el laboratorio de docencia y el objetivo será controlar el osciloscopio y el generador de funciones. Como ejemplo del control realizado se desarrollará una aplicación que permitirá obtener el diagrama de Bode de módulo de cualquier sistema electrónico. La segunda parte será llevada a cabo en el laboratorio de investigación y el objetivo será controlar el analizador de semiconductores. En este caso, la aplicación desarrollada permitirá la realización de medidas para la caracterización de transistores. Las aplicaciones de ambas partes estarán realizadas mediante una interfaz gráfica de usuario diseñada con la herramienta GUIDE de Matlab.

Desarrollo de software para el procesado numérico en tarjetas gráficas

Debido al gran número de transistores por mm2 que hoy en día podemos encontrar en las GPU convencionales, en los últimos años éstas se vienen utilizando para propósitos generales gracias a que ofrecen un mayor rendimiento para computación paralela. Este proyecto implementa el producto sparse matrix-vector sobre OpenCL. En los primeros capítulos hacemos una revisión de la base teórica necesaria para comprender el problema. Después veremos los fundamentos de OpenCL y del hardware sobre el que se ejecutarán las librerías desarrolladas. En el siguiente capítulo seguiremos con una descripción del código de los kernels y de su flujo de datos. Finalmente, el software es evaluado basándose en comparativas con la CPU.

Afrontamiento positivo a la salud mental en pacientes diagnosticados de bipolaridad

El objetivo es llevar a cabo una serie de actividades, actuaciones necesarias que me permitiránconocer a los participantes y a partir de ello, diseñar unas sesiones grupales donde sefomentará la mejora del mal afrontamiento a la patología, Trastornos Bipolares, de lospacientes seleccionados.Introducción: Tras valorar las necesidades personales que me llevaron a seleccionar lapatología estudiada, me plantee la realización de un estudio que me permitieradesarrollar una intervención enfermera dirigida al afrontamiento de ésta nuevasituación de vida en personas a las que se le había diagnosticado.Métodos: Diseño cualitativo a través de un grupo de participantes diagnosticados de trastornobipolar que muestran un afrontamiento inefectivo de la nueva situación de salud. Seprocederá a realizar una encuesta a cada uno de los participantes para poder conocer aquellostemas que más les preocupan, aquello que les hace mantener ese afrontamiento negativo,para posteriormente realizar entrevistas individuales donde se trataran los temas clave de lasencuestas para profundizar los temas y aclarar dudas. Posteriormente a partir de aquí seanalizarán los datos y se podrán desarrollar las sesiones grupales.Participarán aproximadamente 15 personas, entre 20 y 24 años sin diferenciación entre sexos,todos ellos extraídos de la asociación ABV. Todas ellas diagnosticadas de Trastorno Bipolar conafrontamiento inefectivo. Se pedirá consentimiento informado, para la participación en elestudio, así como para algunas intervenciones como grabación de conversaciones.

Validez convergente y estructural del NEO-PI-R : baremos orientativos

El estudio que se presenta se diseñó para estudiar la validez convergen-te y de estructura del NEO-PI-R en una muestra amplia de universitarios y de la población general. Los resultados muestran una robusta estructura de cinco factores y buena validez convergente con los adjetivos bipolares de Goldberg. Se realiza un análisis comparativo de los resultados obtenidos en este estudio con los del estudio original americano y en el estudio normativo realizado en España. Se concluye que las medias de las cinco dimensiones son parecidas al comparar las muestras del estudio actual con el americano, pero muy diferentes respecto al estudio normativo español. Ello es probablemente debido a la naturaleza de las muestras empleadas en el estudio normativo español provenientes de selección de personal, inadecuadas para un estudio normativo. La procedencia de las muestras no afecta la estructura ni la fiabilidad del NEO-PI-R, pero si afecta los baremos obtenidos. A efectos de la interpretación del test en población sana española se proporcionan baremos en percentiles y notas T.

Caracterización estructural de capas epitaxiadas de InGaAs/InAlAs crecidas sobre substratos (111) de InP

Se ha analizado por microscopía electrónica en transmisión (TEM) la estructura de transistores HEMT basados en un pozo cuántico tensionado de InGaAs/InAlAs crecido sobre un sustrato {111} de InP. Se han observado dislocaciones filiformes y defectos planares que cruzan la capa superior hacia la superficie, así como maclas paralelas a la interficie y grandes complejos defectivos en forma de V que se nuclean unos pocos nanometres por encima de la interficie entre el pozo cuántico y la capa superior que lo confina. La estructura de los defectos es muy diferente de la observada en heteroestructuras similares crecidas sobre sustratos {100}, hecho que sugiere que hay que tener en cuenta consideraciones sobre el proceso mismo de nucleación de los defectos junto con las convencionales relacionadas con el desajuste de redes.