Plataforma distribuida para la clasificación de clases de isomorfia de curvas hiperelípticas de género 2 sobre cuerpos finitos de característica 2

Análisis, desarrollo e implementación de una plataforma distribuida constituida por varios ordenadores de una red local en un sistema Grid, utilizando la técnica de Harvesting. De forma concreta lo que se calculará con la plataforma será un problema matemático consistente en la clasificación de curvas hiperelípticas de género 2 sobre cuerpos binarios. Los resultados de este proyecto pueden ser válidos con fines criptográficos de forma general. Se pretende separar el cálculo matemático de la plataforma, para que ésta sea reutilizable.

Calorimetry of dehydrogenation and dangling-bond recombination in several hydrogenated amorphous silicon materials

Differential scanning calorimetry (DSC) was used to study the dehydrogenation processes that take place in three hydrogenated amorphous silicon materials: nanoparticles, polymorphous silicon, and conventional device-quality amorphous silicon. Comparison of DSC thermograms with evolved gas analysis (EGA) has led to the identification of four dehydrogenation processes arising from polymeric chains (A), SiH groups at the surfaces of internal voids (A'), SiH groups at interfaces (B), and in the bulk (C). All of them are slightly exothermic with enthalpies below 50 meV/H atoms , indicating that, after dissociation of any SiH group, most dangling bonds recombine. The kinetics of the three low-temperature processes [with DSC peak temperatures at around 320 (A),360 (A'), and 430°C (B)] exhibit a kinetic-compensation effect characterized by a linea relationship between the activation entropy and enthalpy, which constitutes their signature. Their Si-H bond-dissociation energies have been determined to be E (Si-H)0=3.14 (A), 3.19 (A'), and 3.28 eV (B). In these cases it was possible to extract the formation energy E(DB) of the dangling bonds that recombine after Si-H bond breaking [0.97 (A), 1.05 (A'), and 1.12 (B)]. It is concluded that E(DB) increases with the degree of confinement and that E(DB)>1.10 eV for the isolated dangling bond in the bulk. After Si-H dissociation and for the low-temperature processes, hydrogen is transported in molecular form and a low relaxation of the silicon network is promoted. This is in contrast to the high-temperature process for which the diffusion of H in atomic form induces a substantial lattice relaxation that, for the conventional amorphous sample, releases energy of around 600 meV per H atom. It is argued that the density of sites in the Si network for H trapping diminishes during atomic diffusion

Avaluació de l'aplicació de la biomassa produïda a la Vall d'Alinyà per la producció d'energia calorífica

L’estudi analitza detalladament les energies que s’utilitzen actualment a la població d’Alinyà (Lleida, Catalunya, Espanya). Les energies més utilitzades amb fins calorífics provenen d’energies fòssils (95,3%). Aquest tipus d’energia, des de un punt de vista econòmic, és inviable donat l’augment continuat dels preus d’aquest tipus de combustibles. A més a més el petroli ha arribat al peak oil. Tenint en compte la delicada situació que viuen actualment els combustibles fòssils, en particular el petroli, fa pensar que el futur està encaminat a produir energia a partir d’altres fonts. Una bona opció és començar a utilitzar biomassa com a font energètica. La zona d’estudi presenta un stock de biomassa 8,4 vegades superior a la que es necessitaria a Alinyà per produir calor i ACS a totes les llars. Per això, en aquest estudi, s’estimen possibles escenaris on es podria aplicar la biomassa que es produeix a la Vall d’Alinyà. S’estima que les calderes individuals serien l’escenari més viable, ja que tècnicament són eficients i s’adeqüen a les característiques de les llars d’aquesta població. Posteriorment, es realitza un estudi de les emissions de CO2 i s’observa que, si s’utilitzés biomassa com a font energètica a Alinyà ,es reduirien 11,3 vegades (91,11%) les emissions de CO2.

Análisis, comparativa y visualización de redes sociales on-line representadas como grafos

El presente documento conduce a un análisis y comparativa de diferentes y variados conjuntos de redes sociales on-line. Para ello, primero se explica la base teórica de teoría de grafos para su interpretación y comprensión, así como de la base matemática que fundamenta el tipo específico de red estudiada y las diferentes métricas (estadísticas) extraídas de estas. Luego, se ofrece una detallada explicación del entorno de trabajo tanto para la aplicación informática desarrollada, como para posterior visualización y también una explicación y los algoritmos utilizados en las funciones implementadas con tales fines. Para finalizar el documento, se realiza una inmersión particular en cada red social on-line, puntualizando sus características y finalizando con una comparativa general entre todas ellas, siempre acompañadas con sus respectivas visualizaciones en el espacio 2D representadas en forma de grafo.

En busca del ciudadano Kane : los dueños de medios de comunicación y su utilización política

Aquesta recerca té com a objecte d'estudi la utilització dels mitjans de comunicació per a finalitats polítiques i intenta analitzar la relació que els polítics professionals mantenen amb els mitjans i com aquests poden ser importants dins d'un procés polític-electoral i per a la formació de l'opinió pública. El nostre objectiu general és, entre d’altres, analitzar l'estructura d’aquests mitjans i grups polítics i descriure com estan situats, utilitzant com a exemple l'estat del Rio Grande do Norte (RN), al Nord-est de Brasil. Partint de les preguntes, ¿a qui pertanyen els mitjans de comunicació i qui té el poder d'informar en l'aquest Estat? anem construïm el marc teòric, analitzant el monopoli i oligopoli en la comunicació a Brasil, especialment a la radiodifusió, en la qual hi ha una gran concentració de concessions públiques en propietat dels polítics professionals amb mandats electius i/o de grups partidaris, què pot ser anomenat de ‘coronelismo electrònic’

Escacs, un sistema intel·ligent

Des dels inicis dels ordinadors com a màquines programables, l’home ha intentat dotar-los de certa intel•ligència per tal de pensar o raonar el més semblant possible als humans. Un d’aquests intents ha sigut fer que la màquina sigui capaç de pensar de tal manera que estudiï jugades i guanyi partides d’escacs. En l’actualitat amb els actuals sistemes multi tasca, orientat a objectes i accés a memòria i gràcies al potent hardware del que disposem, comptem amb una gran varietat de programes que es dediquen a jugar a escacs. Però no hi ha només programes petits, hi ha fins i tot màquines senceres dedicades a calcular i estudiar jugades per tal de guanyar als millors jugadors del món. L’objectiu del meu treball és dur a terme un estudi i implementació d’un d’aquests programes, per això es divideix en dues parts. La part teòrica o de l’estudi, consta d’un estudi dels sistemes d’intel•ligència artificial que es dediquen a jugar a escacs, estudi i cerca d’una funció d’avaluació vàlida i estudi dels algorismes de cerca. La part pràctica del treball es basa en la implementació d’un sistema intel•ligent capaç de jugar a escacs amb certa lògica. Aquesta implementació es porta a terme amb l’ajuda de les llibreries SDL, utilitzant l’algorisme minimax amb poda alfa-beta i codi c++. Com a conclusió del projecte m’agradaria remarcar que l’estudi realitzat m’ha deixat veure que crear un joc d’escacs no era tan fàcil com jo pensava però m’ha aportat la satisfacció d’aplicar tot el que he après durant la carrera i de descobrir moltes altres coses noves.

Ética ecológica y bioética: algunos apuntes

Desde fines del siglo XX muchos autores se han dedicado a reflexionar los alcances de la técnica humana y la acción del hombre en el mundo, desde diferentes matices. En lí­neas gruesas, se aprecia la reflexión de la ética aplicada en dos ámbitos: la bioética y la ética ecológica. Ambas son complementarias entanto una ética relacionada a la vida humana y los diferentes retos a los que la enfrenta su manipulación técnica, se vincula estrechamente con las conceptualizaciones y alcances prácticos de la manipulación técnica del ecosistema y la Biósfera, así­ como de los destinos de los componentes de estosecosistemas, considerados tanto a nivel de comunidades como de seres o entidades individuales. No podemos hablar de una Bioética centrada en los problemas de la vida humana, ni de una Ética ambiental centrada en las dinámicas y procesos colectivos, sin interpelar a ambas dimensiones y definir espacios de reflexióncomunes. Es una tarea acuciante para la ética aplicada huir de lo uní­voco y pensar desde la complejidad de lo real. Para ello, es necesario generar unas reflexiones que relacionan la especie humana con otros individuos y con otras especies, re-pensar el lugar que el hombre tiene en el cosmos y las conductas que puede asumir en función de la libertad y la racionalidad que lo caracterizan.A efectos prácticos, en la primera parte del trabajo analizará conceptos relevantes de la ética ecológica, en una segunda parte sus principales corrientes, los desarrollos conceptuales de cada cual y las crí­ticas internas relacionadas a sus contenidos y alcances prácticos. En la tercera parte analizará la relación de la ética ecológica y sus conceptos con la bioética, para delinear algunos escenarios analí­ticos deseables y posibles para el desarrollo de una bioética a la altura de la complejidad de los tiempos que hoy vivimos.

Perpendicular magnetic anisotropy in chemically disordered FePd-FeV(100) alloy thin films

We find that the use of V(100) buffer layers on MgO(001) substrates for the epitaxy of FePd binary alloys yields to the formation at intermediate and high deposition temperatures of a FePd¿FeV mixed phase due to strong V diffusion accompanied by a loss of layer continuity and strong increase of its mosaic spread. Contrary to what is usually found in this kind of systems, these mixed phase structures exhibit perpendicular magnetic anisotropy (PMA) which is not correlated with the presence of chemical order, almost totally absent in all the fabricated structures, even at deposition temperatures where it is usually obtained with other buffer layers. Thus the observed PMA can be ascribed to the V interdiffusion and the formation of a FeV alloy, being the global sample saturation magnetization also reduced.

Conduction mechanisms and charge storage in Si-nanocrystals metal-oxide-semiconductor memory devices studied with conducting atomic force microscopy

In this work, we demonstrate that conductive atomic force microscopy (C-AFM) is a very powerful tool to investigate, at the nanoscale, metal-oxide-semiconductor structures with silicon nanocrystals (Si-nc) embedded in the gate oxide as memory devices. The high lateral resolution of this technique allows us to study extremely small areas ( ~ 300nm2) and, therefore, the electrical properties of a reduced number of Si-nc. C-AFM experiments have demonstrated that Si-nc enhance the gate oxide electrical conduction due to trap-assisted tunneling. On the other hand, Si-nc can act as trapping centers. The amount of charge stored in Si-nc has been estimated through the change induced in the barrier height measured from the I-V characteristics. The results show that only ~ 20% of the Si-nc are charged, demonstrating that the electrical behavior at the nanoscale is consistent with the macroscopic characterization.

Transport properties across the La2/3Ca1/3MnO3/SrTiO3 heterointerface

The transport properties across La2/3Ca1/3MnO3/SrTiO3 (LCMO/STO) heterostructures with different thicknesses of the STO insulating barrier have been studied by using atomic force microscopy measurements in the current sensing (CS) mode. To avoid intrinsic problems of the CS method we have developed a nanostructured contact geometry of Au dots. The conduction process across the LCMO/STO interface exhibits the typical features of a tunneling process.

Microstructure and secondary phases in coevaporated CuInS2 films: Dependence on growth temperature and chemical composition

The microstructure of CuInS2-(CIS2) polycrystalline films deposited onto Mo-coated glass has been analyzed by Raman scattering, Auger electron spectroscopy (AES), transmission electron microscopy, and x-ray diffraction techniques. Samples were obtained by a coevaporation procedure that allows different Cu-to-In composition ratios (from Cu-rich to Cu-poor films). Films were grown at different temperatures between 370 and 520-°C. The combination of micro-Raman and AES techniques onto Ar+-sputtered samples has allowed us to identify the main secondary phases from Cu-poor films such as CuIn5S8 (at the central region of the layer) and MoS2 (at the CIS2/Mo interface). For Cu-rich films, secondary phases are CuS at the surface of as-grown layers and MoS2 at the CIS2/Mo interface. The lower intensity of the MoS2 modes from the Raman spectra measured at these samples suggests excess Cu to inhibit MoS2 interface formation. Decreasing the temperature of deposition to 420-°C leads to an inhibition in observing these secondary phases. This inhibition is also accompanied by a significant broadening and blueshift of the main A1 Raman mode from CIS2, as well as by an increase in the contribution of an additional mode at about 305 cm-1. The experimental data suggest that these effects are related to a decrease in structural quality of the CIS2 films obtained under low-temperature deposition conditions, which are likely connected to the inhibition in the measured spectra of secondary-phase vibrational modes.

Properties of nitrogen doped silicon films deposited by low-pressure chemical vapor deposition from silane and ammonia

Nitrogen doped silicon (NIDOS) films have been deposited by low-pressure chemical vapor deposition from silane SiH4 and ammonia NH3 at high temperature (750°C) and the influences of the NH3/SiH4 gas ratio on the films deposition rate, refractive index, stoichiometry, microstructure, electrical conductivity, and thermomechanical stress are studied. The chemical species derived from silylene SiH2 into the gaseous phase are shown to be responsible for the deposition of NIDOS and/or (silicon rich) silicon nitride. The competition between these two deposition phenomena leads finally to very high deposition rates (100 nm/min) for low NH3/SiH4 gas ratio (R¿0.1). Moreover, complex variations of NIDOS film properties are evidenced and related to the dual behavior of the nitrogen atom into silicon, either n-type substitutional impurity or insulative intersticial impurity, according to the Si¿N atomic bound. Finally, the use of NIDOS deposition for the realization of microelectromechanical systems is investigated.

Structural and optical properties of dilute InAsN grown by molecular beam epitaxy

We perform a structural and optical characterization of InAs1¿xNx epilayers grown by molecular beam epitaxy on InAs substrates x 2.2% . High-resolution x-ray diffraction HRXRD is used to obtain information about the crystal quality and the strain state of the samples and to determine the N content of the films. The composition of two of the samples investigated is also obtained with time-of-flight secondary ion mass spectroscopy ToF-SIMS measurements. The combined analysis of the HRXRD and ToF-SIMS data suggests that the lattice parameter of InAsN might significantly deviate from Vegard"s law. Raman scattering and far-infrared reflectivity measurements have been carried out to investigate the incorporation of N into the InAsN alloy. N-related local vibrational modes are detected in the samples with higher N content. The origin of the observed features is discussed. We study the compositional dependence of the room-temperature band gap energy of the InAsN alloy. For this purpose, photoluminescence and optical absorption measurements are presented. The results are analyzed in terms of the band-anticrossing BAC model. We find that the room-temperature coupling parameter for InAsN within the BAC model is CNM=2.0 0.1 eV.

Cationic Diffusion in La2/3Ca1/3MnO3 Thin Films Grown on LaAlO3 (001) Substrates.

Microstructural features of La2/3Ca1/3MnO3 layers of various thicknesses grown on top of 001 LaAlO3 substrates are studied by using transmission electron microscopy and electron energy loss spectroscopy. Films are of high microstructural quality but exhibit some structural relaxation and mosaicity both when increasing thickness or after annealing processes. The existence of a cationic segregation process of La atoms toward free surface has been detected, as well as a Mn oxidation state variation through layer thickness. La diffusion would lead to a Mn valence change and, in turn, to reduced magnetization.

Strain-induced stabilization of new magnetic spinel structures in epitaxial oxide heterostructures.

We report here on the growth of NiFe2O4 epitaxial thin films of different thickness (3 nm ¿ t ¿ 32 nm) on single crystalline substrates having spinel (MgAl2O4) or perovskite (SrTiO3) structure. Ultrathin films, grown on any of those substrates, display a huge enhancement of the saturation magnetization: we will show that partial cationic inversion may account for this enhancement, although we will argue that suppression of antiparallel collinear spin alignment due to size-effects cannot be excluded. Besides, for thicker films, the magnetization of films on MAO is found to be similar to that of bulk ferrite; in contrast, the magnetization of films on STO is substantially lower than bulk. We discuss on the possible mechanisms leading to this remarkable difference of magnetization.