19 resultados para ion implantation and irradiation
Resumo:
Visual perception is initiated in the photoreceptor cells of the retina via the phototransduction system.This system has shown marked evolution during mammalian divergence in such complex attributes as activation time and recovery time. We have performed a molecular evolutionary analysis of proteins involved in mammalianphototransduction in order to unravel how the action of natural selection has been distributed throughout thesystem to evolve such traits. We found selective pressures to be non-randomly distributed according to both a simple protein classification scheme and a protein-interaction network representation of the signaling pathway. Proteins which are topologically central in the signaling pathway, such as the G proteins, as well as retinoid cycle chaperones and proteins involved in photoreceptor cell-type determination, were found to be more constrained in their evolution. Proteins peripheral to the pathway, such as ion channels and exchangers, as well as the retinoid cycle enzymes, have experienced a relaxation of selective pressures. Furthermore, signals of positive selection were detected in two genes: the short-wave (blue) opsin (OPN1SW) in hominids and the rod-specific Na+/Ca2+,K+ ion exchanger (SLC24A1) in rodents. The functions of the proteins involved in phototransduction and the topology of the interactions between them have imposed non-random constraints on their evolution. Thus, in shaping or conserving system-level phototransduction traits, natural selection has targeted the underlying proteins in a concerted manner.
Resumo:
En este trabajo se investiga la síntesis de estructuras SiC/Si mediante implantación iónica de carbono en Si. Las implantaciones se han realizado a energías entre 25 y 300 keV y las dosis en el rango lO^^ylO^^ cm , manteniendo el substrato a temperatura ambiente o 500°C. Algunas estructuras han sido recocidas a 1150°C. Los resultados indican que implantando a temperatura ambiente se forma una capa de SiC amorfa y de composición gradual, que recristaliza formando precipitados de ß-SiC con orientaciones aleatorias después del recocido. Además se forma un capa superficial rica en carbono, debida a la difusión del carbono hacia la superficie durante la implantación, y que desaparece con el recocido. Implantando a 500°C se forma directamente una capa con una muy alta densidad de precipitados de ß-SiC orientados preferencialmente con la matriz de silicio. Dada la estabilidad térmica y química de dicha capa se han realizado membranas de SiC mediante técnicas fotolitográficas y ataque químico selectivo, cuya rugosidad superficial es inferior a 6 nm. Estas membranas muestran unos gradientes de tensiones residuales, que prácticamente desaparecen después del recocido. Los resultados confirman la potencialidad de la implantación iónica para la formación de estructuras microme-cánicas de SiC sobre Si.
Resumo:
Se ha n realizado implantaciones de silicio y de carbono + silicio en matrices aislantes de SÍO2 térmico, las cuales, después de un recocido a alta temperatura precipitan en forma de nanocristales de tamaños comprendidos entre 30 y 60 Á. Estas estructuras presentan una intensa fotoluminiscencia en el rojo profundo (1.4-1.6 eV) y el verde (2.0-2.2 eV). La energía e intensidad de las bandas depende fuertemente de la temperatura y duración del recocido. Diferentes comportamientos se han encontrado para las bandas roja y verde, incluyendo la cinética de desexcitación y el origen estructural. Los experimentos de absorción infrarroja, Raman y microscopía electrónica demuestran que los nanocristales son los responsables de la banda roja mientras que agregados amorfos de carbono son los responsables de la verde.