Fully transparent ZnO thin-film transistor produced at room temperature

Advanced Materials, Vol. 17, nº 5

Contra os semi-sábios — notas sobre a racionalidade nos Pensamentos de Pascal

Ao longo dos Pensamentos, Pascal expressa a sua antipatia filosófica por alguns tipos de pensadores. Um desses tipos de pensadores corresponde à figura do "demi-savant". Os "demi-savants", ou semi-sábios, caracterizam-se essencialmente por uma pretensão de saber fracassada: são homens que julgam estar na posse de um saber que na verdade não possuem. O objectivo desta investigação é fixar, com o maior detalhe possível, o que está em causa na denúncia dos semi-sábios — um aspecto pouco trabalhado no âmbito dos estudos sobre o pensamento de Pascal. A primeira parte da investigação consiste assim na delimitação formal da categoria semi-sábios. Quais são as notas definitórias destes pensadores? Que tipo de erro está em jogo na sua atitude? Que opiniões fazem de alguém um semi-sábio? Estas perguntas acabam rapidamente por nos levar a outras, que dizem directamente respeito à tentativa de determinação do poder de fogo da razão humana. Com efeito, o fundamento filosófico da crítica aos semi-sábios é o diagnóstico arrasador que Pascal faz da capacidade da nossa razão na tarefa do conhecimento — de tal modo que estudar o problema que os semi-sábios representam é estudar sob um determinado ângulo o problema geral da procura da verdade. Nesse sentido, depois de esclarecido o significado da designação semi-sábio, analisamos dois argumentos apresentados nos Pensamentos que visam contestar a compreensão habitualmente constituída acerca das possibilidades do homem na tarefa do conhecimento. Procuramos ainda, por último, desfazer possíveis equívocos quanto à fixação da posição de Pascal no campo da epistemologia. Embora haja poucas referências aos semi-sábios nos textos que compõem os Pensamentos, trata-se de uma figura que funciona como ponto de cruzamento de vários aspectos relevantes de um problema que está no centro do projecto apologético de Pascal: o problema do modo de apuramento da verdade.

Al-doped ZnO ceramic sputtering targets based on nanocrystalline powders produced by emulsion detonation synthesis – deposition and application as a transparent conductive oxide material

Transparent conducting oxides (TCOs) have been largely used in the optoelectronic industry due to their singular combination of low electrical resistivity and high optical transmittance. They are usually deposited by magnetron sputtering systems being applied in several devices, specifically thin film solar cells (TFSCs). Sputtering targets are crucial components of the sputtering process, with many of the sputtered films properties dependent on the targets characteristics. The present thesis focuses on the development of high quality conductive Al-doped ZnO (AZO) ceramic sputtering targets based on nanostructured powders produced by emulsion detonation synthesis method (EDSM), and their application as a TCO. In this sense, the influence of several processing parameters was investigated from the targets raw-materials synthesis to the application of sputtered films in optoelectronic devices. The optimized manufactured AZO targets present a final density above 99 % with controlled grain size, an homogeneous microstructure with a well dispersed ZnAl2O4 spinel phase, and electrical resistivities of ~4 × 10-4 Ωcm independently on the Al-doping level among 0.5 and 2.0 wt. % Al2O3. Sintering conditions proved to have a great influence on the properties of the targets and their performance as a sputtering target. It was demonstrated that both deposition process and final properties of the films are related with the targets characteristics, which in turn depends on the initial powder properties. In parallel, the influence of several deposition parameters in the film´s properties sputtered from these targets was investigated. The sputtered AZO TCOs showed electrical properties at room temperature that are superior to simple oxides and comparable to a reference TCO – indium tin oxide (ITO), namely low electrical resistivity of 5.45 × 10-4 Ωcm, high carrier mobility (29.4 cm2V-1s-1), and high charge carrier concentration (3.97 × 1020 cm-3), and also average transmittance in the visible region > 80 %. These superior properties allowed their successful application in different optoelectronic devices.

The reasons behind the progression in PISA scores: An education production function approach using semi-parametric techniques

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