Optimization of immunocytochemistry in cytology: comparison of two protocols for fixation and preservation on cytospin and smear preparations

Objective: A new protocol for fixation and slide preservation was evaluated in order to improve the quality of immunocytochemical reactions on cytology slides. Methods: The quality of immunoreactions was evaluated retrospectively on 186 cytology slides (130 direct smears, 56 cytospins) prepared from different cytology samples. Ninety-three of the slides were air dried, stored at -20 °C and fixed in acetone for 10 minutes (Protocol 1), whereas the other 93 were immediately fixed in methanol at -20 °C for at least 30 minutes, subsequently protected with polyethylene glycol (PEG) and stored at room temperature (Protocol 2). Immunocytochemical staining, with eight primary antibodies, was performed on a Ventana BenchMark Ultra instrument using an UltraView Universal DAB Detection Kit. The following parameters were evaluated for each immunoreaction: morphology preservation, intensity of specific staining, background and counterstain. The slides were blinded and independently scored by four observers with marks from 0 to 20. Results: The quality of immunoreactions was better on methanol-fixed slides protected with PEG than on air-dried slides stored in the freezer: X¯ = 14.44 ± 3.58 versus X¯ = 11.02 ± 3.86, respectively (P < 0.001). Conclusion: Immediate fixation of cytology slides in cold methanol with subsequent application of PEG is an easy and straightforward procedure that improves the quality of immunocytochemical reactions and allows the storage of the slides at room temperature.

O eterno retorno: estudos em homenagem a António Reis

António Fernando Marques Ribeiro Reis (Lisboa, 1948) tem um percurso de vida exemplar. Militante e dirigente político desde muito jovem, destacou-se como deputado à Assembleia Constituinte e como um dos mais activos membros do Secretariado Nacional do Partido Socialista nos anos da Revolução de 1974-1975. Institucionalizada a ordem democrática, desenvolve actividade política enquanto deputado do Grupo Parlamentar Socialista e Secretário de Estado da Cultura do II Governo Constitucional. Em termos académicos, inicia o seu percurso na área da Filosofia, mas foi na História que se notabilizou. Desde logo, como professor da licenciatura de História e do Mestrado em História Contemporânea da Faculdade de Ciências Sociais e Humanas da Universidade Nova de Lisboa. A sua ligação a esta instituição traduziu-se igualmente numa intensa actividade nos seus diferentes órgãos científicos e de gestão mas também no seu empenho na fundação e afirmação do Instituto de História Contemporânea, onde ocupou cargos directivos de 1993 a 2010. Impulsionador de áreas de estudo como a História da I República, das Oposições ao Estado Novo, da Revolução de Abril e da Transição para a Democracia.

"Jaime" de António Reis : o inesperado no cinema português

O projecto “Principais tendências no cinema português contemporâneo” nasceu no Departamento de Cinema da ESTC, com o objectivo de desenvolver investigação especializada a partir de um núcleo formado por alunos da Licenciatura em Cinema e do Mestrado em Desenvolvimento de Projecto Cinematográfico, a que se juntaram professores-investigadores membros do CIAC e convidados. O que agora se divulga corresponde a dois anos e meio de trabalho desenvolvido pela equipa de investigação, entre Abril de 2009 e Novembro de 2011. Dada a forma que ele foi adquirindo, preferimos renomeá-lo, para efeitos de divulgação, “Novas & velhas tendências no cinema português contemporâneo”.

Wavelength Selective a-SiC:H p-i-n/p-i-n Heterostructure for Fluorescent Proteins Detection

In this paper we present results on the optimization of multilayered a-SiC:H heterostructures that can be used as optical transducers for fluorescent proteins detection using the Fluorescence Resonance Energy Transfer approach. Double structures composed by pin based aSiC:H cells are analyzed. The color discrimination is achieved by ac photocurrent measurement under different externally applied bias. Experimental data on spectral response analysis, current-voltage characteristics and color and transmission rate discrimination are reported. An electrical model, supported by a numerical simulation gives insight into the device operation. Results show that the optimized a-SiC:H heterostructures act as voltage controlled optical filters in the visible spectrum. When the applied voltages are chosen appropriately those optical transducers can detect not only the selective excitation of specimen fluorophores, but also the subsequent weak acceptor fluorescent channel emission.

Construção do edifício Báltico Center, Parque das Nações

É uma inevitabilidade que, mesmo num curso de engenharia, a vertente académica seja preponderante sobre a vertente académica. A evolução dos materiais, das tecnologias e da própria construção a isso obrigam. No entanto, para se poder perceber os impactes dessa evolução, torna-se necessário ver in loco a sua aplicação. Assim, após seis anos de curso, um estágio numa empresa de construção foi o passo que me pareceu mais lógico e enriquecedor. O facto de ser em obra propôs-me um desafio extra por ser uma actividade com uma dinâmica totalmente diferente da que estava habituado. As 16 semanas de estágio foram essenciais para adquirir experiência e alguns conhecimentos extremamente úteis na futura vida profissional. Pretende-se, com este relatório, resumir de uma forma simples mas completa, essa experiência, descrevendo, ao longo de quatro capítulos, o projecto, as soluções técnicas propostas para resolver alguns problemas encontrados, a vivência de trabalhar numa obra e a sua organização; e, por último, uma solução de planeamento e gestão da obra inovadora em Portugal: o Building Information Modelling (B.I.M.).

Sistema de gestão de segurança para a prevenção de acidentes graves (SGSPAG): manual de implementação para o sector químico: volume I

A evolução dos acidentes graves envolvendo substâncias perigosas ocorridos no Sector Químico, não deixa dúvidas de que as características intrínsecas da própria actividade industrial podem estimular a ocorrência dos acidentes graves, proporcionando sérias consequências à Comunidade envolvente, à própria Propriedade e ao meio ambiente, cujas responsabilidades estão inseridas na Gestão Empresarial. Desta forma torna-se fundamental o desenvolvimento e implementação de um Sistema de Gestão de Segurança para a Prevenção de Acidentes Graves num Estabelecimento de Nível Superior de Perigosidade. O objectivo global deste trabalho, baseia-se no estabelecimento de um Quadro Metodológico de aplicação do Regime de Prevenção de Acidentes Graves ao Sector Químico, suportado num Sistema de Gestão de Segurança para a Prevenção de Acidentes Graves (SGSPAG) e no respectivo Manual de Implementação. Para tal foi realizado um enquadramento teórico, técnico-científico, e legal da prevenção de acidentes graves que envolvam substâncias perigosas, a concepção de um SGSPAG e elaboração do Manual de Implementação e a aplicação a um Caso de Estudo Industrial do SGSPAG com a correspondente análise crítica. O contexto específico foi o da Refinaria de Sines - Instalação de Dessulfuração de Gasóleo. A pesquisa foi acompanhada por um conjunto de métodos que permitiram uma visão mais actual do assunto no contexto seleccionado (dados adquiridos através de referências bibliográficas, da observação in-loco de auditorias de SGSPAG, da consulta de documentação relativa a auditorias SGSPAG e do estudo da legislação vigente e passada). Os resultados obtidos no Caso de Estudo Industrial, demonstraram que uma visão mais integradora e global podem contribuir para um melhor entendimento dos acidentes graves envolvendo substâncias perigosas e a sua prevenção, possibilitando um envolvimento maior e o comprometimento efectivo de todos, sejam eles trabalhadores (internos ou serviços subcontratados), Chefes de Secção, Responsáveis de Área, fornecedores, profissionais de outras áreas, Direcção da Empresa, representantes sindicais ou governamentais ou a própria Comunidade envolvente, estando o SGSPAG da Refinaria de Sines globalmente concebido, implementado e a demonstrar aptidão para, de uma forma consistente, cumprir os requisitos aplicáveis no DL nº 254/2007 e atingir os objectivos da Politica de Prevenção de Acidentes Graves.

Comportamento dinâmico da rede eléctrica da ilha de São Vicente em Cabo Verde: estabilidade de tensão

Neste trabalho é efectuado, não só o diagnóstico em regime permanente, mas também o estudo, simulação e análise do comportamento dinâmico da rede eléctrica da ilha de São Vicente em Cabo Verde. Os estudos de estabilidade transitória desempenham um importante papel, tanto no planeamento como na operação dos sistemas de potência. Tais estudos são realizados, em grande parte, através de simulação digital no domínio do tempo, utilizando integração numérica para resolver as equações não-lineares que modelam a dinâmica do sistema e dependem da existência de registos reais de perturbação (ex: osciloperturbografia). O objectivo do trabalho será também verificar a aplicabilidade dos requisitos técnicos que as unidades geradoras devem ter, no que concerne ao controlo de tensão, estabelecidos na futura regulamentação europeia desenvolvida pela ENTSO-E (European Network Transmission System Operator for Electricity). De entre os requisitos analisou-se a capacidade das máquinas existentes suportarem cavas de tensão decorrentes de curto-circuitos trifásicos simétricos, Fault Ride Through, no ponto de ligação à rede. Identificaram-se para o efeito os factores que influenciam a estabilidade desta rede, em regime perturbado nomeadamente: (i) duração do defeito, (ii) caracterização da carga, com e sem a presença do sistema de controlo de tensão (AVR) em unidades de geração síncronas. Na ausência de registos reais sobre o comportamento do sistema, conclui-se que este é sensível à elasticidade das cargas em particular do tipo potência constante, existindo risco de perda de estabilidade, neste caso, para defeitos superiores a 5ms sem AVR. A existência de AVR nesta rede afigura-se como indispensável para garantir estabilidade de tensão sendo contudo necessário proceder a uma correcta parametrização.

Nanocrystalline p-layer for a-Si:H p-i-n solar cells and photodiodes

We report on structural, electronic, and optical properties of boron-doped, hydrogenated nanocrystalline silicon (nc-Si:H) thin films deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) at a substrate temperature of 150 degrees C. Film properties were studied as a function of trimethylboron-to-silane ratio and film thickness. The absorption loss of 25% at a wavelength of 400 nm was measured for the 20 nm thick films on glass and glass/ZnO:Al substrates. By employing the p(+) nc-Si:H as a window layer, complete p-i-n structures were fabricated and characterized. Low leakage current and enhanced sensitivity in the UV/blue range were achieved by incorporating an a-SiC:H buffer between the p- and i-layers.

A 3-phase model for VIS/NIR mu C-Si : H p-i-n detectors

The spectral response and the photocurrent delivered by entirely microcrystalline p-i-n-Si:H detectors an analysed under different applied bias and light illumination conditions. The spectral response and the internal collection depend not only on the energy range but also on the illumination side. Under [p]- and [n]-side irradiation, the internal collection characteristics have an atypical shape. It is high for applied bias and lower than the open circuit voltage, shows a steep decrease near the open circuit voltage (higher under [n]-side illumination) and levels off for higher voltages. Additionally, the numerical modeling of the VIS/NIR detector, based on the band discontinuities near the grain boundaries and interfaces, complements the study and gives insight into the internal physical process.

A two terminal optical signal and image processing p-i-n/p-i-n image and colour sensor

A two terminal optically addressed image processing device based on two stacked sensing/switching p-i-n a-SiC:H diodes is presented. The charge packets are injected optically into the p-i-n sensing photodiode and confined at the illuminated regions changing locally the electrical field profile across the p-i-n switching diode. A red scanner is used for charge readout. The various design parameters and addressing architecture trade-offs are discussed. The influence on the transfer functions of an a-SiC:H sensing absorber optimized for red transmittance and blue collection or of a floating anode in between is analysed. Results show that the thin a-SiC:H sensing absorber confines the readout to the switching diode and filters the light allowing full colour detection at two appropriated voltages. When the floating anode is used the spectral response broadens, allowing B&W image recognition with improved light-to-dark sensitivity. A physical model supports the image and colour recognition process.

Bias dependent photocurrent collection in p-i-n a-Si : EVSiC : H heterojunction

A series of large area single layers and heterojunction cells in the assembly glass/ZnO:Al/p (SixC1-x:H)/i (Si:H)/n (SixC1-x:H)/Al (0 ion properties, carrier transport and photogeneration are investigated from dark and illuminated current-voltage and capacitance-voltage characteristics. For the heterojunction cells S-shaped J-V characteristics under different illumination conditions are observed leading to poor fill factors. High serial resistances around 10(5)Ohm are also measured Simulated results confirm the experimental findings suggesting that the transport in dark depends almost exclusively on field-aided drift while under illumination it is dependent mainly on minority carriers the diffusion.

Bias-dependent photocurrent collection in p-i-n a-Si : H/SiC : H heterojunction

A series of large area single layers and glass/ZnO:AVp(SixC1-x:H)/i(Si:H)/n(SixC1-x:H)/AI (0 < x < 1) heterojunction cells were produced by plasma-enhanced chemical vapour deposition (PE-CVD) at low temperature. Junction properties, carrier transport and photogeneration are investigated from dark and illuminated current-voltage (J-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristics. For the heterojunction cells atypical J-V characteristics under different illumination conditions are observed leading to poor fill factors. High series resistances around 106 Q are also measured. These experimental results were used as a basis for the numerical simulation of the energy band diagram, and the electrical field distribution of the structures. Further comparison with the sensor performance gave satisfactory agreement. Results show that the conduction band offset is the most limiting parameter for the optimal collection of the photogenerated carriers. As the optical gap increases and the conductivity of the doped layers decreases, the transport mechanism changes from a drift to a diffusion-limited process.

Colour filtering in a-SiC : H based p-i-n-p-i-n cells: A trade-off between bias polarity and absorption regions

A large area colour imager optically addressed is presented. The colour imager consists of a thin wide band gap p-i-n a-SiC:H filtering element deposited on the top of a thick large area a-SiC:H(-p)/a-Si:H(-i)/a-SiC:H(-n) image sensor, which reveals itself an intrinsic colour filter. In order to tune the external applied voltage for full colour discrimination the photocurrent generated by a modulated red light is measured under different optical and electrical bias. Results reveal that the integrated device behaves itself as an imager and a filter giving information not only on the position where the optical image is absorbed but also on it wavelength and intensity. The amplitude and sign of the image signals are electrically tuneable. In a wide range of incident fluxes and under reverse bias, the red and blue image signals are opposite in sign and the green signal is suppressed allowing blue and red colour recognition. The green information is obtained under forward bias, where the blue signal goes down to zero and the red and green remain constant. Combining the information obtained at this two applied voltages a RGB colour image picture can be acquired without the need of the usual colour filters or pixel architecture. A numerical simulation supports the colour filter analysis.

Image and color recognition using amorphous silicon p-i-n photodiodes

Large area hydrogenated amorphous silicon single and stacked p-i-n structures with low conductivity doped layers are proposed as monochrome and color image sensors. The layers of the structures are based on amorphous silicon alloys (a-Si(x)C(1-x):H). The current-voltage characteristics and the spectral sensitivity under different bias conditions are analyzed. The output characteristics are evaluated under different read-out voltages and scanner wavelengths. To extract information on image shape, intensity and color, a modulated light beam scans the sensor active area at three appropriate bias voltages and the photoresponse in each scanning position ("sub-pixel") is recorded. The investigation of the sensor output under different scanner wavelengths and varying electrical bias reveals that the response can be tuned, thus enabling color separation. The operation of the sensor is exemplified and supported by a numerical simulation.

New p-i-n Si : H imager configuration for spatial resolution improvement

Amorphous glass/ZnO-Al/p(a-Si:H)/i(a-Si:H)/n(a-Si1-xCx:H)/Al imagers with different n-layer resistivities were produced by plasma enhanced chemical vapour deposition technique (PE-CVD). An image is projected onto the sensing element and leads to spatially confined depletion regions that can be readout by scanning the photodiode with a low-power modulated laser beam. The essence of the scheme is the analog readout, and the absence of semiconductor arrays or electrode potential manipulations to transfer the information coming from the transducer. The influence of the intensity of the optical image projected onto the sensor surface is correlated with the sensor output characteristics (sensitivity, linearity blooming, resolution and signal-to-noise ratio) are analysed for different material compositions (0.5 < x < 1). The results show that the responsivity and the spatial resolution are limited by the conductivity of the doped layers. An enhancement of one order of magnitude in the image intensity signal and on the spatial resolution are achieved at 0.2 mW cm(-2) light flux by decreasing the n-layer conductivity by the same amount. A physical model supported by electrical simulation gives insight into the image-sensing technique used.