Dossier “Império Português e Comunicações"

A relação entre as comunicações, os media e o império português é o tema principal do dossiê que se propõe. O volume tem uma base interdisciplinar, acolhendo estudos de comunicação, história, literatura, entre outros domínios dos estudos humanísticos e das ciências sociais, que contribuam para a melhor compreensão das relações entre as comunicações e a política imperial de Portugal desde o século XVIII até finais da década de 1970. A partir de uma perspectiva alargada de comunicação, que pode abranger as estruturas físicas de transporte e todas as formas de comunicação simbólica (correio, imprensa, mass media, literatura, arquitetura, iconografia, etc), encoraja-se a apresentação de estudos que esclareçam as articulações e tensões entre os mais diversos media e o estabelecimento e manutenção de um império português no Brasil, em Angola, Moçambique, São Tomé e Príncipe, Cabo Verde, Guiné-Bissau, India (Goa, Damão e Diu), Timor-Leste e Macau. Procuram-se pesquisas que privilegiem uma multiplicidade de perspectivas da metrópole e das colônias e que enfatizem as interações entre comunicação, política, economia, sociedade e identidades culturais e nacionais. Aceitam-se contribuições em tópicos como: Conjugações e conexões entre transportes e comunicação na dinâmica imperial; Relação entre missões exploratórias, cartografia, infraestruturas de comunicação e estabelecimento de um Império; Media e comemoracionismo; Imprensa, propaganda, opinião pública e domínio imperial; Imperialismo e cultura popular; Meios de comunicação nas colónias (imprensa, rádio, literatura), resistência e constituição de identidades nacionais.

Photo-induced instability of nanocrystalline silicon TFTs

We examine the instability behavior of nanocrystalline silicon (nc-Si) thin-film transistors (TFTs) in the presence of electrical and optical stress. The change in threshold voltage and sub-threshold slope is more significant under combined bias-and-light stress when compared to bias stress alone. The threshold voltage shift (Delta V-T) after 6 h of bias stress is about 7 times larger in the case with illumination than in the dark. Under bias stress alone, the primary instability mechanism is charge trapping at the semiconductor/insulator interface. In contrast, under combined bias-and-light stress, the prevailing mechanism appears to be the creation of defect states in the channel, and believed to take place in the amorphous phase, where the increase in the electron density induced by electrical bias enhances the non-radiative recombination of photo-excited electron-hole pairs. The results reported here are consistent with observations of photo-induced efficiency degradation in solar cells.

Phototransistor with nanocrystalline Si/amorphous Si bilayer channel

We report a field-effect phototransistor with a channel comprising a thin nanocrystalline silicon transport layer and a thicker hydrogenated amorphous silicon absorption layer. The semiconductor and dielectric layers were deposited by radio-frequency plasma enhanced chemical vapor deposition. The phototransistor with channel length of 24 microns and photosensitive area of 1.4 mm(2) shows an off-current of about 1 pA, and high photoconductive gain in the subthreshold region. Measurements of the quantum efficiency at different incident light intensities and biasing conditions, along with spectral-response characteristics, and threshold voltage stability characterization demonstrate the feasibility of the phototransistor for low light level detection.

Blue-enhanced thin-film photodiode for dual-screen x-ray imaging

This article reports on a-Si:H-based low-leakage blue-enhanced photodiodes for dual-screen x-ray imaging detectors. Doped nanocrystalline silicon was incorporated in both the n- and p-type regions to reduce absorption losses for light incoming from the top and bottom screens. The photodiode exhibits a dark current density of 900 pA/cm(2) and an external quantum efficiency up to 90% at a reverse bias of 5 V. In the case of illumination through the tailored p-layer, the quantum efficiency of 60% at a 400 nm wavelength is almost double that for the conventional a-Si:H n-i-p photodiode.

Nanocrystalline p-layer for a-Si:H p-i-n solar cells and photodiodes

We report on structural, electronic, and optical properties of boron-doped, hydrogenated nanocrystalline silicon (nc-Si:H) thin films deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) at a substrate temperature of 150 degrees C. Film properties were studied as a function of trimethylboron-to-silane ratio and film thickness. The absorption loss of 25% at a wavelength of 400 nm was measured for the 20 nm thick films on glass and glass/ZnO:Al substrates. By employing the p(+) nc-Si:H as a window layer, complete p-i-n structures were fabricated and characterized. Low leakage current and enhanced sensitivity in the UV/blue range were achieved by incorporating an a-SiC:H buffer between the p- and i-layers.

Estudo para a implementação de plataformas de e-learning no sistema de formação dos recursos humanos da saúde: o caso particular dos enfermeiros de um hospital privado

Mestrado em Intervenção Sócio-Organizacional na Saúde - Área de especialização: Políticas de Administração e Gestão de Serviços de Saúde.

Redes (des)conexas de intervenção local na violência infanto-juvenil

O objectivo deste estudo é apresentar os resultados de uma análise diagnóstica da atuação institucional relativamente às situações de violência infanto-juvenil em três territórios de um concelho da períferia de Lisboa(Portugal)

Vertical CNT-Si Photodiode Array

Agências financiadoras: National Natural Science Foundation of China - 61204077; Shenzhen Science and Technology Innovation Commission - JCYJ20120614150521967

Alumbramentos: investigação e escrita de argumento para documentário: trabalho de projeto

Trabalho de Projeto submetida(o) à Escola Superior de Teatro e Cinema para cumprimento dos requisitos necessários à obtenção do grau de Mestre em Desenvolvimento de Projecto Cinematográfico - especialização em Narrativas Cinematográficas.