3 resultados para Travel time (Traffic engineering)
em Biblioteca Digital da Produção Intelectual da Universidade de São Paulo
Resumo:
OBJETIVO: Analisar a associação entre indicadores de exposição à poluição por tráfego veicular e mortalidade por doenças do aparelho circulatório em homens adultos. MÉTODOS: Foram analisadas informações sobre vias e volume de tráfego no ano de 2007 fornecidas pela companhia de engenharia de tráfego local. Mortalidade por doenças do aparelho circulatório no ano de 2005 entre homens ≥ 40 anos foram obtidas do registro de mortalidade do Programa de Aprimoramento de Informações de Mortalidade do Município de São Paulo, SP. Dados socioeconômicos do Censo 2000 e informações sobre a localização dos serviços de saúde também foram coletados. A exposição foi avaliada pela densidade de vias e volume de tráfego para cada distrito administrativo. Foi calculada regressão (α = 5%) entre esses indicadores de exposição e as taxas de mortalidade padronizadas, ajustando os modelos para variáveis socioeconômicas, número de serviços de saúde nos distritos e autocorrelação espacial. RESULTADOS: A correlação entre densidade de vias e volume de tráfego foi modesta (r² = 0,28). Os distritos do centro apresentaram os maiores valores de densidade de vias. O modelo de regressão espacial de densidade de vias indicou associação com mortalidade por doenças do aparelho circulatório (p = 0,017). Não se observou associação no modelo de volume de tráfego. Em ambos os modelos – vias e volume de tráfego (veículos leves/pesados) – a variável socioeconômica foi estatisticamente signifi cante. CONCLUSÕES: A associação entre mortalidade por doenças do aparelho circulatório e densidade de vias converge com a literatura e encoraja a realização de mais estudos epidemiológicos em nível individual e com métodos mais acurados de avaliação da exposição.
Resumo:
Abstract Background Air pollution in São Paulo is constantly being measured by the State of Sao Paulo Environmental Agency, however there is no information on the variation between places with different traffic densities. This study was intended to identify a gradient of exposure to traffic-related air pollution within different areas in São Paulo to provide information for future epidemiological studies. Methods We measured NO2 using Palmes' diffusion tubes in 36 sites on streets chosen to be representative of different road types and traffic densities in São Paulo in two one-week periods (July and August 2000). In each study period, two tubes were installed in each site, and two additional tubes were installed in 10 control sites. Results Average NO2 concentrations were related to traffic density, observed on the spot, to number of vehicles counted, and to traffic density strata defined by the city Traffic Engineering Company (CET). Average NO2concentrations were 63μg/m3 and 49μg/m3 in the first and second periods, respectively. Dividing the sites by the observed traffic density, we found: heavy traffic (n = 17): 64μg/m3 (95% CI: 59μg/m3 – 68μg/m3); local traffic (n = 16): 48μg/m3 (95% CI: 44μg/m3 – 52μg/m3) (p < 0.001). Conclusion The differences in NO2 levels between heavy and local traffic sites are large enough to suggest the use of a more refined classification of exposure in epidemiological studies in the city. Number of vehicles counted, traffic density observed on the spot and traffic density strata defined by the CET might be used as a proxy for traffic exposure in São Paulo when more accurate measurements are not available.
Resumo:
The floating-body-RAM sense margin and retention-time dependence on the gate length is investigated in UTBOX devices using BJT programming combined with a positive back bias (so-called V th feedback). It is shown that the sense margin and the retention time can be kept constant versus the gate length by using a positive back bias. Nevertheless, below a critical L, there is no room for optimization, and the memory performances suddenly drop. The mechanism behind this degradation is attributed to GIDL current amplification by the lateral bipolar transistor with a narrow base. The gate length can be further scaled using underlap junctions.