Classifying A-field and B-field configurations in the presence of D-branes. Part II: Stacks of D-branes

In the paper of Bonora et al. (2008) [3] we have shown, in the context of type II superstring theory, the classification of the allowed B-field and A-field configurations in the presence of anomaly-free D-branes, the mathematical framework being provided by the geometry of gerbes. Here we complete the discussion considering in detail the case of a stack of D-branes, carrying a non-abelian gauge theory, which was just sketched in Bonora et al. (2008) [3]. In this case we have to mix the geometry of abelian gerbes, describing the B-field, with the one of higher-rank bundles, ordinary or twisted. We describe in detail the various cases that arise according to such a classification, as we did for a single D-brane, showing under which hypotheses the A-field turns out to be a connection on a canonical gauge bundle. We also generalize to the non-abelian setting the discussion about "gauge bundles with non-integral Chern classes", relating them to twisted bundles with connection. Finally, we analyze the geometrical nature of the Wilson loop for each kind of gauge theory on a D-brane or stack of D-branes.

GIDL behavior of p- and n-MuGFET devices with different TiN metal gate thickness and high-k gate dielectrics

This work studies the gate-induced drain leakage (GIDL) in p- and n-MuGFET structures with different TiN metal gate thickness and high-k gate dielectrics. As a result of this analysis, it was observed that a thinner TiN metal gate showed a larger GIDL due to the different gate oxide thickness and a reduced metal gate work function. In addition, replacing SiON by a high-k dielectric (HfSiON) results for nMuGFETs in a decrease of the GIDL On the other hand, the impact of the gate dielectric on the GIDL for p-channel MuGFETs is marginal. The effect of the channel width was also studied, whereby narrow fin devices exhibit a reduced GIDL current in spite of the larger vertical electric field expected for these devices. Finally, comparing the effect of the channel type, an enhanced GIDL current for pMuGFET devices was observed. (C) 2011 Elsevier Ltd. All rights reserved.

Estudo eletroquímico da recuperação de metais de pilhas e de baterias descartadas após o uso

O objetivo da pesquisa é recuperar os principais metais presentes em um lote com uma mistura de diversos tipos de pilhas e de baterias descartadas após o uso, lote obtido em um posto de coleta. Para esse estudo, o resíduo das pilhas e das baterias foi moído, reduzido em forno elétrico, submetido à separação magnética e lixiviado. A composição química, após a lixiviação, foi reproduzida em uma solução sintética, que foi submetida à extração por solventes e reextração sendo que as soluções obtidas, após as reextrações, foram utilizadas como eletrólitos. Manganês, cobre, cobalto e níquel são recuperados na forma metálica após um tratamento que inclui as etapas pirometalúrgica, hidrometalúrgica e eletroquímica. Estudos anteriores definiram os parâmetros das etapas pirometalúrgica, lixiviação e extração por solventes que proporcionaram separação mais seletiva dos íons metálicos que se pretende recuperar. A contribuição do presente estudo é encontrar um processo que trate de todos os tipos de pilhas e de baterias juntos e recuperar seus metais mais importantes, evitando, assim, a etapa de separação prévia das baterias. Os filmes foram analisados quanto à sua espessura e composição.