Multi-stacks of epitaxial GeSn self-assembled dots in Si: Structural analysis

We report on the growth and structural and morphologic characterization of stacked layers of self-assembled GeSn dots grown on Si (100) substrates by molecular beam epitaxy at low substrate temperature T = 350 °C. Samples consist of layers (from 1 up to 10) of Ge0.96Sn0.04 self-assembled dots separated by Si spacer layers, 10 nm thick. Their structural analysis was performed based on transmission electron microscopy, atomic force microscopy and Raman scattering. We found that up to 4 stacks of dots could be grown with good dot layer homogeneity, making the GeSn dots interesting candidates for optoelectronic device applications.

Titanium oxide adhesion layer for high temperature annealed Si/Si3N4/TiOx/Pt/LiCoO2 battery structures

This work describes the influence of a high annealing temperature of about 700C on the Si(substrate)/Si3N4/TiOx/Pt/LiCoO2 multilayer system for the fabrication of all-solid-state lithium ion thin film microbatteries. Such microbatteries typically utilize lithium cobalt oxide (LiCoO2) as cathode material with a platinum (Pt) current collector. Silicon nitride (Si3N4) is used to act as a barrier against Li diffusion into the substrate. For a good adherence between Si3N4 and Pt, commonly titanium (Ti) is used as intermediate layer. However, to achieve crystalline LiCoO2 the multilayer system has to be annealed at high temperature. This post-treatment initiates Ti diffusion into the Pt-collector and an oxidation to TiOx, leading to volume expansion and adhesion failures. To solve this adhesion problem, we introduce titanium oxide (TiOx) as an adhesion layer, avoiding the diffusion during the annealing process. LiCoO2, Pt and Si3N4 layers were deposited by magnetron sputtering and the TiOx layer by thermal oxidation of Ti layers deposited by e-beam technique. Asdeposited and annealed multilayer systems using various TiOx layer thicknesses were studied by scanning electron microscopy (SEM) and time-of-flight secondary ion mass spectrometry (ToF-SIMS) and x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The results revealed that an annealing process at temperature of 700C leads to different interactions of Ti atoms between the layers, for various TiOx layer thicknesses (25–45 nm).

Construção e validação de uma escala de autoconceito para estudantes universitários de Moçambique

O presente artigo apresenta a construção e validação de um questionário de avaliação do autoconceito para a população de adolescentes e jovens-adultos que frequentam o ensino universitário em Moçambique. A construção do questionário teve como base a análise de conteúdo de descrições de si, fornecidas por 15 estudantes, e que informaram acerca das categorias centrais ao autoconceito e seus principais descritores. Com base nos resultados deste primeiro estudo, foram elaborados 77 itens que foram sucessivamente aplicados a pequenos grupos de alunos/as e a diferentes amostras, realizando-se análises qualitativas e quantitativas das respostas aos itens de modo a proceder à definição de dimensionalidade da escala e escolha dos melhores itens. Num último estudo, a versão ultimada da escala foi administrada a uma amostra de 250 estudantes (Midade=29.0, DP= 7.70). Os resultados da análise de componentes principais identificaram 24 itens que se organizam em cinco dimensões de autoconceito: autoconceito religioso, artístico, académico, social e físico. Estas cinco dimensões explicam 56.8% da variância total dos itens retidos na versão final da escala. As propriedades psicométricas são favoráveis à utilização deste instrumento de avaliação do autoconceito em estudantes universitários de Moçambique.

Acreditação e certificação em Portugal: retrato da situação portuguesa atual e comparação entre os referenciais CHKS, JCI, ACSA e ISO 9001

Dissertação de mestrado integrado em Engenharia Biomédica (área de especialização em Engenharia Clínica)