微重力池沸腾传热研究

对利用中国返回式卫星搭载开展的两次微重力池沸腾空间实验及地基常重力和落塔短时微重力实验的结果进行了评述.研究发现微重力时丝状加热器沸腾传热会略有强化,而平板力加热器则在高热流条件下明显恶化.微重力时,气泡脱落前存在沿加热面的横向运动,加剧了相邻气泡间的合并,合并气泡会在其表而振荡作用下从加热面脱落.Marangoni效应对于微重力气泡行为有重要影响.

一种高效热调谐共振腔增强型探测器及其制作方法

一种高效热调谐共振腔增强型探测器及其制作方法

一种抗抑郁药物及其应用

提供一种抗抑郁药物，含有苔黑酚-1-氧-β-D-葡萄糖吡喃苷或苔黑酚及其衍生物及可药用载体和/赋形剂，以及它在制备抗抑郁药物中的应用和在制备功能食品中的应用。

鱼类生长与生物能量学研究新进展

国家“九五”科技攻关项目(96-008-02-03); 中国科学院重大项目(KZ951-A1-102-01;KZ951-B1-104); 国家自然科学基金(39625006;39670573;39970584); 国家重点实验室基金(39823003); 广东海大畜牧水产有限公司的资助

不同溶剂和抽提方法测定脂肪含量的比较

采用不同方法测定了鱼粉、豆饼、鱼油、豆油的脂肪含量。结果表明,不同测定方法测定的值显著不同,测定鱼粉和豆饼时,以氯仿-甲醇为溶剂抽提测得的脂肪含量高。测定鱼油和豆油时,氯仿-甲醇冷抽提测定的值较高。

银鲫能量收支同步测定方法

国家自然科学基金96-008-02-03

保安湖麦穗鱼种群生物学Ⅳ.种群动态

1995年10月至1996年11月运用标志回捕法对保安湖1#试验围拦中麦穗鱼的种群数量作了11次估算，并对种群的动态特征进行了分析。 周年的种群数量变动于0.40－2.45ind·m-2，在5月份最高。不同世代的强度存在较大的差异，1996年世代最强，1996年11月为21，631ind，与同期的1995世代（14，431ind）相比增加了49.9%，死亡率在夏季较高。1995世代周年死亡率为71.7%，1996年11月的数量为4，084ind，与生活史中同期的1994世代（1，515ind）相比，增加了

保安湖沉水植被恢复及其渔业效益

通过消除对沉水植物生长有破坏作用的草食性鱼类和杂食性鱼类，在低水位的早春选择无风浪的天气移栽水草，于 １９９４年在保安湖一个面积为 ３ ．３ｈｍ~２网栏湖汊成功地恢复了绝迹 ８个月的水草群落，秋季水草覆盖率达 ５０％，同时研究了在无鱼类摄食破坏的条件下苦草和黄丝草的生长动态．于１９９４－１９９５年在保安湖另一个面积为１３３．３ｈｍ~２土栏湖汊（即肖四海）恢复了水草群落，１９９５年秋季水草覆盖率达７０％，由于水草群落的恢复，肖四海结束了施肥投草主养四大家鱼的养殖方式，而采用了以河蟹和鳜鱼为增养殖对象的优质高

中华绒螯蟹幼蟹蜕壳的生态学观察

本文对河蟹幼蟹蜕壳过程及蜕壳后的特征进行了比较详细的观察，并初步探讨了蜕壳与光照、温度及生境的关系对于０．５－２ｇ的幼蟹，蜕壳期大约需要３－６ｈ，软壳期需要２ｈ，薄壳期需要１５ｈ．幼蟹特别喜欢选择有草的生境作为蜕壳地点，也喜欢在池塘浅水区蜕壳，但是在２ｍ以内水深对蜕壳成功率没有影响．蜕壳存在明显的昼夜节律，白天蜕壳的数量显著高干夜间（Ｆ（１．３０）＝ １３. ４， Ｐ＝ ０． ０００９），蜕壳高峰发生在上午（０７： ００－ １１： ００），低谷一般发生在夜间（２３： ００－ ０３：００）．协方差分析（昼夜

用标志重捕法估算湖泊二龄河蟹种群数量

国家“九五”攻关课题96－008－02－03;中国科学院资源与环境局资助KZ951—A1—102

高功率14xx nm锥形增益区脊形波导结构量子阱激光器的研制

初步设计14xx nm锥形增益区脊形波导量子阱激光器材料和器件结构，利用MOCVD生长14xx nm In—GaAsP／InP量子阱激光器外延片，引入腔破坏凹槽（cavity—spoiling grooves）将有源层刻蚀断以隔离从锥形区反向传输回的高阶模，进一步改善远场光束质量．保持总腔长1900μm不变，改变脊形区的长度，其长度分别为450，700和950μm．对比三种情况的最高输出功率和远场特性，发现L_(RW)=700μm时，器件特性参数和远场光柬质量最优，斜率效率为0．32W／A，饱和输出功率为1．21W，其远场为近衍射极限的高斯分布，发散角为29°×9．6°．当固定脊形区长度为700μm，改变锥形区长度，发现当锥形区长度为1000μm时，器件特性参数进一步提高，斜率效率达0．328W／A，饱和输出功率为1．27W，远场仍为近似高斯分布．

低能氦离子注入引入的量子阱混杂带隙波长蓝移

提出了采用低能氦离子注入多量子阱（MQW）材料和合适的快速退火条件，实现了MQW带隙波长的蓝移．用这种材料制作了FP腔激光器，与未注入器件相比，实现了37nm的激射波长蓝移．

Uniformity Investigation in 3C-SiC Epitaxial Layers Grown on Si Substrates by Horizontal Hot-Wall CVD

50mm 3C-SiC epilayers are grown on （100） and （111） Si substrates in a newly developed horizontal lowpressure hot-wall CVD reactor under different growth pressures and flow rates of H_2 carrier gas. The structure,electrical properties, and thickness uniformity of the 3C-SiC epilayers are investigated by X-ray diffraction （XRD） ,sheet resistance measurement, and spectroscopic ellipsometry. XRD patterns show that the 3C-SiC films have excellent crystallinity. The narrowest full widths at half maximum of the SIC（200） and （111） peaks are 0.41° and 0.21°, respectively. The best electrical uniformity of the 50mm 3C-SiC films obtained by sheet resistance measurement is 2.15%. A σ/mean value of ± 5.7% in thickness uniformity is obtained.

The diphasic nc-Si/a-Si : H thin film with improved medium-range order

A series of silicon film samples were prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) near the threshold from amorphous to nanocrystalline state by adjusting the plasma parameters and properly increasing the reactions between the hydrogen plasma and the growing surface. The microstucture of the films was studied by micro-Raman and Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy. The influences of the hydrogen dilution ratio of silane (R-H = [H-2]/[SiH4]) and the substrate temperature (T-s) on the microstructural and photoelectronic properties of silicon films were investigated in detail. With the increase of RH from 10 to 100, a notable improvement in the medium-range order (MRO) of the films was observed, and then the phase transition from amorphous to nanocrystalline phase occurred, which lead to the formation of diatomic hydrogen complex, H-2* and their congeries. With the increase of T-s from 150 to 275 degreesC, both the short-range order and the medium range order of the silicon films are obviously improved. The photoconductivity spectra and the light induced changes of the films show that the diphasic nc-Si/a-Si:H films with fine medium-range order present a broader light spectral response range in the longer wavelength and a lower degradation upon illumination than conventional a-Si:H films. (C) 2004 Elsevier B.V. All rights reserved.