The effect of AlN growth time on the electrical properties of Al0.38Ga0.62N/AlN/GaN HEMT structures

Al0.38Ga0.62N/AIN/GaN HEMT structures have been grown by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) on 2-inch sapphire substrates. Samples with AIN growth time of 0s (without AIN interlayer), 12, 15, 18 and 24s are characterized and compared. The electrical properties of two-dimensional electron gas (2DEG) are improved by introducing AIN interlayers. The AIN growth time in the range of 12-18s, corresponding to the AIN thickness of 1-1.5 nm, is appropriate for the design of Al0.38Ga0.62N/AIN/GaN HEMT structures. The lowest sheet resistance of 277 Omega sq(-1) and highest room temperature 2DEG mobility of 1460 cm(2)V(-1) s(-1) are obtained on structure with AIN growth time of 12s. The structure with AIN growth time of 15s exhibits the highest 2DEG concentration of 1.59 x 10(13) cm(-2) and the smallest RMS surface roughness of 0.2 nm. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.

Field-aided collection in GaInP2 top solar cells

This paper reports the study on a field-aided collection in p-on-n GaInP2 top cells. The cells were produced by metalorganic vapor phase epitaxy at a low gas pressure. In order to optimize the device configuration, numerical simulations have been performed for the impacts of field-aided collection on the performance of the top cells. On the basis of the modeling results, a modified p(+)-p(-)-n(-)-n(+) configuration is introduced for GaInP2 top cells. This modification has brought out improved photovoltaic performance of the top cells, with conversion efficiency EFF = 14.26% (AM0, 2 x 2 cm(2), 25degreesC). (C) 2003 Elsevier B.V. All rights reserved.

Study on optical band gap of boron-doped nc-Si : H film

The optical band gap (E-g) of the boron (B)-doped hydrogenated nano-crystalline silicon (nc-Si:H) films fabricated using plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) was investigated in this work. The transmittance of the films were measured by spectrophotometric and the E-g was evaluated utilizing three different relations for comparison, namely: alphahnu=C(hnu-E-g)(3), alphahnu=B-0(hnu-E-g)(2), alphahnu=C-0(hnu-E-g)(2). Result showed that E-g decreases with the increasing of Boron doping ratio, hydrogen concentration, and substrate's temperature (T-s), respectively. E-g raises up with rf power density (P-d) from 0.45W.cm(-2) to 0.60w.cm(-2) and then drops to the end. These can be explained for E-g decreases with disorder in the films.

Pressure behavior of Te isoelectronic centers in ZnS : Te

ZnS:Te epilayers with Te concentration from 0.5% to 3.1% were studied by photoluminescence under hydrostatic pressure at 15 K. Two emission bands related to the isolated Te-1 and Te-2 pair isoelectronic centers were observed in the samples with Te concentrations of 0.5% and 0.65%. For the samples with Te concentrations of 1.4% and 3.1%, only the Te-2-related peak was observed. The pressure coefficients of all the Te-1-related bands were found to be unexpectedly much larger than that of the ZnS band gap. The pressure coefficients for all the Te-2-related bands are, however, rather smaller than that of ZnS band gap as usually observed. Analysis based on a Koster-Slater model indicates that an increase of the valence bandwidth with pressure is the main reason for the faster pressure shift of the Te-1 centers, and the huge difference in the pressure behavior of the Te-1 and Te-2 centers is due mainly to the difference in the pressure-induced enhancement of the impurity potential on the Te-1 and Te-2 centers. (C) 2002 American Institute of Physics.

Very low-pressure VLP-CVD growth of high quality gamma-Al2O3 films on silicon by multi-step process

gamma-Al2O3 films were grown on Si (10 0) substrates using the sources of TMA (AI(CH3)(3)) and O-2 by very low-pressure chemical vapor deposition. The effects of temperature control on the crystalline quality, surface morphology, uniformity and dielectricity were investigated. It has been found that the,gamma-Al2O3 film prepared at a temperature of 1000degreesC has a good crystalline quality, but the surface morphology, uniformity and dielectricity were poor due to the etching reaction between 0, and Si substrate in the initial growth stage. However, under a temperature-varied multi-step process the properties Of gamma-Al2O3 film were improved. The films have a mirror-like surface and the dielectricity was superior to that grown under a single-step process. The uniformity of gamma-Al2O3 films for 2-in epi-wafer was <5%, it is better than that disclosed elsewhere. In order to improve the crystalline quality, the gamma-Al2O3 films were annealed for I h in O-2 atmosphere. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

High-quality GaN grown by gas-source MBE

High-quality GaN epilayers were consistently obtained using a home-made gas-sourer MBE system on sapphire substrates. Room-temperature electron mobility of the grown GaN film is 300 cm(2)/V s with a background electron concentration as low as 2 x 10(17) cm(-3) The full-width at half-maximum of the GaN (0 0 0 2) double-crystal X-ray rocking curve is 6 arcmin. At low temperature (3.5 K), the FWHM of the: near-band-edge photoluminescence emission line is 10 meV. Furthermore, using piezoelectric effect alone with the high-quality films, two-dimensional electron gas was formed in a GaN/AlN/GaN/sapphire structure. Its room-temperature and low-temperature (77 K) electron mobility is 680 cm(2)/V s and 1700 cm(2)/V s, and the corresponding sheet electron density is 3.2 x 10(13) and 2.6 x 10(13) cm(-2), respectively. (C) 2001 Published by Elsevier Science.

Structure and visible luminescence of ZnO nanoparticles

ZnO nanoparticles were synthesized in ethanolic solution using a sol-gel method. The structural and optical properties were investigated by X-ray diffraction, transmission electron microscopy, UV absorption, and photoluminescence. After annealing at 200 degrees C, the particle size is increased and the peak of defect luminescence in the visible region is changed. A yellow emission was observed in the as-prepared sample and a green emission in the annealed sample. The change of the visible emission is related to oxygen defects. Annealing in the absence of oxygen would increase oxygen vacancies. (c) 2006 Elsevier Ltd. All rights reserved.

使用压缩函数的非平衡Feistel结构的伪随机性和超伪随机性

从可证明安全的角度研究使用压缩函数的非平衡Feistel结构(UFN-C)的安全性,证明了k+1轮UFN-C是伪随机的,k+2轮UFN-C是超伪随机的;进一步地,探讨了UFN-C的有效构造,降低了Naor和Reingold在1999年文章中类似结构对伪随机函数个数的要求.最后,针对一类具体的UFN-C--SMs4,分析其广义形式SMS4-like结构的伪随机性和超伪随机性,为设计与使用该类结构的分组密码提供了可证明安全的理论依据.

Novel biodiesel production technology from soybean soapstock

This paper describes an attractive method to make biodiesel from soybean soapstock (SS). A novel recovery technology of acid oil (AO) from SS has been developed with only sulfuric acid solution under the ambient temperature (25 +/- 2 degrees C). After drying, AO contained 50.0% FFA, 15.5% TAG 6.9% DAG 3.1% MAG 0.8% water and other inert materials. The recovery yield of AO was about 97% (w/w) based on the total fatty acids of the SS. The acid oil could be directly converted into biodiesel at 95 degrees C in a pressurized reactor within 5 hours. Optimal esterification conditions were determined to be a weight ratio of 1 : 1.5 : 0.1 of AO/methanol/sulfuric acid. Higher reaction temperature helps to shorten the reaction time and requires less catalyst and methanol. Ester content of the biodiesel derived from AO through one-step acid catalyzed reaction is around 92%. After distillation, the purity of the biodiesel produced from AO is 97.6% which meets the Biodiesel Specification of Korea. The yield of purified biodiesel was 94% (w/w) based on the total fatty acids of the soapstock.

Preparation and luminescence properties of Eu2+ in SiO2 xerogels

Al-doped and B, Al co-doped SiO2 xerogels with Eu2+ ions were prepared only by sol-gel reaction in air without reducing heat-treatment or post-doping. The luminescence characteristics and mechanism of europium doping SiO2 xerogels were studied as a function of the concentration of Al, B, the europium concentration and the host composition. The emission spectra of the Al-doped and B, Al codoped samples all show an efficient emission broad band in the blue violet range. The blue emission of the Al-doped sample was centered at 437 nm, whereas the B, Al co-doped xerogel emission maximum shifted to 423 nm and the intensity became weaker. Concentration quenching effect occurred in both the Al-doped and B, Al co-doped samples, which probably is the result of the transfer of the excitation energy from Eu2+ ions to defects. The highest Eu2+ emission intensity was observed for samples with the Si(OC2H5)(4):C2H5OH:H2O molar ratio of 1:2:4. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.

杯芳烃羧酸萃取稀土、钍与含杯配合物结构研究

本文以大环化合物杯芳烃羧酸为萃取体系，系统考察稀土元素在该体系中的萃取分离性能，比较了钍与稀土元素的萃取性质差异，从而为杯芳烃羧酸在该分离领域中的应用提供一定的实验数据，此外，采用无机水热合成制备了含杯[8]芳烃的三元超分子配位聚合物并表征其结构，具体研究内容如下： 1、 合成杯芳烃并进行化学修饰得萃取剂杯芳烃羧酸，采用熔点测定、元素分析、TG-DTA、FT-IR和1H-NMR等分析方法表征，并利用两相滴定法测定了杯芳烃羧酸的基本常数。 2、 研究杯芳烃羧酸-CHCl3/RE-HCl萃取体系碱金属离子、离子强度、酸度、温度和萃取剂浓度对Eu(III)的萃取分配比影响，并分析其萃取机理。在此基础上，探索杯芳烃羧酸的协同萃取性能，发现杯[4]芳烃羧酸与伯胺N1923的ABC酸碱耦合协萃体系对轻、中、重稀土有不同的协萃能力，协萃系数与原子序数呈“双峰效应”。 3、 在萃取热力学基础上，利用层流恒界面池研究杯[4]芳烃羧酸萃取Nd(III)的动力学性质，确定了萃取反应控制模式随条件不同有所变化，化学反应在相界面上进行，并获得了萃取反应速率方程。 4、 以杯芳烃羧酸-CHCl3/Th-HCl体系研究钍的萃取性能，考察了碱金属离子、离子强度、酸度、温度和萃取剂浓度对Th(IV)的萃取影响，比较其与稀土萃取性能的差异，并在此基础上进一步研究与伯胺N1923协同萃取钍的性能，分析了协同萃取反应机制。 5、 水热合成并表征了含磺化杯[8]芳烃，2，2’-联吡啶与镍的三元超分子配合物。磺化杯[8]在该配合物中呈“双-反向锥式”构型，分子间由氢键和C-H…π相互作用将四核Ni簇连接成三维超分子结构。

酶生物燃料电池载体选择及其应用基础研究

酶生物燃料电池（EBFC）是利用酶作为催化剂将化学能转化为电能的装置。由于氧化还原蛋白质和酶通常具有复杂的空间结构，活性中心深埋在它们的肽链中，很难与基底电极进行直接电子传递，从而影响了电池的性能。但使用适当的载体对电极表面进行修饰，可以实现直接的、快速的电子传递。因此，开发稳定性好、成本低、能够有效促进氧化还原蛋白质或酶与基底电极进行直接电子传递的载体成为EBFC发展中的重要课题之一。 本论文主要集中于EBFC中蛋白质或酶载体的选择方面的研究。探讨不同性质的载体，包括半导体电物质、生物相容性物质和导电物质对氧化还原蛋白质或酶的直接电子传递的影响。同时以SiO2纳米粒子为例，探讨了载体促进氧化还原蛋白质直接电子传递的作用机理。通过对不同载体的考察，最终选择了一种合适的材料组装成葡萄糖/O2 EBFC，并考察了EBFC的性能。主要结果如下： 1．将SiO2纳米粒子固定在GC电极上，成功实现了细胞色素c（Cyt c）的准可逆的直接电化学反应，并在这基础上提出双功能机理模型，说明了半导体对氧化还原蛋白质和电极之间的直接电子迁移的影响。 2．发现Cyt c能够在SBA-15膜修饰的电极上实现准可逆的直接电化学反应，并能够对H2O2产生较好的电催化还原效果。 3．以生物相容性物质壳聚糖为载体，分别研究了Cyt c、微过氧化物酶（MP-11）和葡萄糖氧化酶（GOD）的准可逆的直接电化学反应。并发现固载在壳聚糖上的Cyt c和MP-11对H2O2和O2还原有很好的电催化活性，而固载在壳聚糖上的GOD对葡萄糖氧化有很好的电催化活性。 4．以碳纳米管（CNT）为载体，实现了GOD的准可逆的直接电化学反应。并在氧化还原媒介体的作用下实现了其对葡萄糖的电催化氧化。 5．将筛选出的最佳载体组装成葡萄糖/O2 EBFC，分别以葡萄糖氧化酶和漆酶作为阳极和阴极的催化剂，制得有隔膜和无隔膜的EBFC。

分子间链缠结与高聚物的转变和松驰

玻璃化转变与结构松驰是高聚物的两个非常重要的现象，对高聚物的许多物理性质、使用温度范围、以及长期使用性能等都起着至关重要的决定作用。影响高聚物的玻璃化转变温度的因素有高聚物结构单元的化学结构，分子量的大小以及分布，分子链间的交联以及结晶等，而高聚物的链缠结对其玻璃化转变湿度也有着重要的影响。高聚物的链缠结概念首先是由高聚物的分子量--粘度之间的关系得出的。1940 年 Flory 首先发现对于柔性链聚合物而言，其液态的零切粘度同其分子量成正比；此后，1948 年 Fox 和 Flory 发现当聚合物链的长度超过某一临界值时，粘度与分子量的 3.4 次方成正比，而在临界值之下时粘度与他子量的 1 次方成正比。Bueche 于 1952 年首次提出了高聚物链缠结的概念，并对粘度与分子量的关系进行了成功的解释。链缠结从此之后就成为线性高聚物的一个重要特征并成为控制熔（溶）体流变和固体形变机制的关键因素。关于链缠结的理论也有许多，其中应用最为广泛的有蛇链模型（Reptation Model）和管子模型（Tube Model）等。1969年 Flory 提出聚合物的性质同其均方无扰尺寸有关，此后Doi 和 Edwards 得出了高聚物的链缠结同其无扰尺寸的关系。在通常情况下高聚物在本体状态下是以无规线团的形式彼此相互缠绕在一起的，根本无法相互区分开。而通过特殊的方法可以将在极稀溶液中保持彼此孤立的聚合物分子从溶液中分离出来，并且保持在溶液中的相互孤立状态，从而得到单链高聚物。在单链状态下高聚物分子之间是相互分离的，不存在分子间的链缠结作用，因此通过测定单链高聚物的性质，并与本体状态进行比较，就可以得出分子间链缠结对高聚物性质的影响。我们在本工作中采用了一种新的方法－－快速蒸发法来制备高聚物的单链状态样品。具体步骤就是将由沸点远低于 100 ℃ 的溶剂所制成的高分子溶液逐滴滴加到在恒温槽中保持沸腾的水中，溶剂就会在瞬间蒸发出去，而高聚物则基本上保持在溶液中的状态析出。对于几种链段僵硬性不同的高聚物在不同浓度下进行快速蒸发而得到的样品，在相同的升温速率下，用 DSC 方法测定其玻璃化转变温度，发现这些高聚物的玻璃化转变温度随制备溶液浓度的变化都有相同的变化趋势，即在其临界浓度之上时，制备样品的玻璃化转变温度基本上不随浓度的变化而改变，并且同本体状态下的样品的 Tg 温度相近。而在临界浓度以下时，样品的玻璃化温度则随制备溶液浓度的降低而明显下降，在些浓度范围内玻璃化温度与溶液浓度的对数大致成一线性关系。在我们所研究的三种高聚物中，样品的玻璃化温度受制备溶液浓度的影响程度是不一样的，对 PS 的玻璃化转变湿度的影响最大，而对于 PES-C 的影响最小。为了定量地描述制备溶液的浓度变化对样品玻璃化转变温度的影响，我们定义了一个参数 s , s 的值越大，则表明浓度的降低对玻璃化温度下降的影响越明显。对于我们所研究的三种聚合物，S_(PS)>S_(PC)>S_(PES-C)。我们在本工作中还对单链状态对高聚物的结构松弛行为的影响进行了初步的研究，发现同本体样品相比，单链样品的热焓松弛峰所处的温度也比较低，这同其玻璃化转变温度较低相对应。并且同本体样品的焓松弛峰相比，单链样品松弛峰的峰高较低，峰的面积（同松弛焓相对应）也比本体样品的要小，但松弛峰的峰宽却变宽。由 KWW 方程及 TNM 现象学模型通过曲线拟合得出了本体样品与单链样品的结构松弛参数，发现对于所研究的三种高聚物，单链样品的松弛焓相对本体而言都有显著的降低，而特征时间并没有明显的变化，这其中的原因可能是单链状态下的高聚物，发现单链状态对其松弛焓的降低的影响程度也有差异，对于 PS 的影响最为显著，而对 PES－C 的影响最小，这同单链状态对玻璃化转变温度的影响相一致。在研究 PES－C 的分子量的变化对其结构松弛行为的影响时，通过 DSC 方法测出了 PES－C 在不同升温速率下的玻璃化温度，得到了玻璃化转变温度对升温速率的变化曲线，由 1/Tg 对 logQ_h这一直线的斜率，得出了 PES－C 样品的结构松弛的活化能 Δh~*，并且发现对于不同分子量的 PES－C 样品，尽管 Δh~* 和 Tg 的值各不相同，但是 Δh~*/Tg~2 的值却近似为一常数。这样，我们只要知道 PES-C 在某一分子量下的 Tg 以及 Δh~* 值，就可以推算出其它分子量的 PES-C 样品的 Δh~* 值。对于 PES-C 在不同退火温度下的焓变 ΔH(t) 对松弛时间 ta 的曲线进行拟合，并用 KWW 方程（Kraulsch — Watts — Williams）以及结构松弛的 NM（Narayanaswamy — Moynihan）现象学模型进行解析，得出了 PES-C 的结构松弛参数，如极限焓松弛 ΔH_∞，非指数性参数 β，特征结构松弛时间 logτ_c，非线性参数 x 等。并且发现对于不同分子量的样品，其结构弛行为对分子量的大小有着很强的依赖性，在退火间隔温度（Tg — Ta）相同时，特征松弛时间 logτ_c 随着分子量的增加而增加，极限焓松弛 ΔH_∞ 则随着 PES-C 分子量的增加而降低。这些都同 PC 和 PS 有着明显的区别。我们用分子链的运动性随分子量的变化对此作了解释，同普通柔性链高聚物相比，PES－C 的分子链的中间部分所受的限制更为强烈，相对只有链端部分可以相对自由运动。链端的数目随着分子量的降低而增加，因此当分子量降低时，样品在松弛过程中更加容易重排，因此相应的极限焓松弛 ΔH_∞ 也更大。

可生物隆解聚合物的辐射交联及其生物降解性的研究

近年来，塑料废弃物污染环境的问题日趋严重。对于环境的关心，已经使越来越多的科研人员对于研究环境友好化合物的发展产生了极大的兴趣。聚唬拍酸丁二醋(PBS)，商品名Bionolle，是通过二醇例如乙二醇和丁二醇与脂肪族二梭酸如琉拍酸和己二酸作为主要原料进行缩合反应得到的。日本昭和高分子与昭和电工共同于1993年11月建成年产3000吨的这类脂肪族聚醋系的生物降解塑料的生产装置。由于经济或加工工艺等原因限制了生物降解聚合物的应用和推广，经常是由于它们不良的耐热变形性。目前，脂肪族聚脂尚未能单独用作塑料制品，原因是它们的熔点大都低于100℃。在通常情况下，聚醋的熔点只有高于100℃，经过加工成型后，得到的塑料制品才具有使用价值。辐射交联技术是一种很好的用于提高聚合物某些性能的方法。本工作研究了聚琉拍酸丁二醋的辐射交联行为和它的热稳定行为、生物降解行为。同时，通过辐射手段使用另一种可生物降解聚合物聚。一己内酷（PCL）和纤维布制备了一种可重复节省资源、且对环境无害的复合材料。产得到了如下的结果：1)系统地研究了聚唬泊酸丁二酷的辐射交联行为，发现高分子量的聚唬泊酸丁二醋相比其它两种熔点高的聚琉伯酸丁二醋更易产生交联，在 熔点以上有利于聚唬T}酸丁二酷的交联。由于交联结构的产生，聚合物的力学性能降低。2）两步法辐照（预先在室温下交联，然后在100"C辐照），没有加入任何添加剂，得到了较高的凝胶含量，而且所得的样品不含有气泡。比同剂量下直接在室温辐照凝胶含量提高了20％，比在熔融状态下辐照凝胶含量提高了10%0两步法辐照所得的样品的耐热变形性有了很大的提3）在100℃加入10% PCL对PBS 1的交联有利于交联，而且力学性能没有太大的变化。在210kGy辐照下，比没有加入PCL之前，室温凝胶含量提高120/0，熔融状态（1001,C)提高了22%o（4）生物降解试验，系统地考察了聚唬拍酸丁二醋的结构、厚度、凝胶含量等对于酶降解性的影响，以及温度的影响。发现聚唬拍酸丁二酷（PBS1)很容易被酶所降解，即使有交联结构的存在。在土埋降解试验中通过样品在一定时间的失重率的研究，PBS 1能够被土壤里存在的微生物、细菌所侵蚀。(5）通过形态结构的研究，发现在酶降解中，酶首先侵蚀聚合物的非晶相，但同时也作用于聚合物的结晶相。(6)我们通过辐射技术制备了生物降解聚合物／纤维布复合材料，聚合物可生物降解，纤维布作为回收资源再利用。复合材料的机械性能既依赖于辐射产生的凝胶含量，而且与纤维布的体积分数也相关。本工作所采用的两步法辐射，没有添加任何添加剂得到了比其它辐射条件高的凝胶含量，交联样品有很好的耐热变形性和生物降解性。并且通过辐射方法制备了生物降解聚合物／纤维布复合材料。

稀土墩子和稀土氧化物对甲醇在Pt催化剂上电催化氧化性能的影响

直接甲醇燃料电池( DMFC )具有甲醇来源丰富，价格低廉，在常温常压下是液体，易于携带储存；体积小，重量轻，结构简单，容易操作；维修方便，价格低等优点，近年来得到普遍的关注。然而，要达到DMFC的商品化还存在一些问题。其中一个是阳极催化剂的电催化活性低和易被甲醇氧化的中间产物，如CO毒化。对于甲醇阳极电催化剂人们进行了大量的研究，比较有效的都是Pt－过渡金属或金属氧化物复合催化剂，如Pt－Ru、 Pt－Sn、Pt佩Rh、Pt－Pd、Pt佩Re、Pt－Ru－Sn－W、Pt－WO。和Pt－TIO。等。本文研究了电解液中的稀土离子和与Pt形成复合催化剂的稀土氧化物对甲醇电催化氧化反应的促进作用，得到了如下的结果：1．电解液中的稀土Ho, Eu, Gd或Dy离子对甲醇在光滑Pt电极或DMFC中使用的Pt/C电极上的电催化氧化反应有促进作用，主要表现在的起始氧化电位负移和氧化电流增加。而电解液中加入其它种类的稀土离子对甲醇在光滑Pt电极或Pt/C电极上的电催化氧化反应有阻碍作用，如起始氧化电位正移，峰电流降低。Fu、H食Dy或Gd离子对一甲醇在Pt上的电催化氧化反应有促进作用的主要原因可能与这些稀土离子与甲醇生成配合物能力有关。2．不同Pt一稀土氧化物／C催化剂对甲醇电催化氧化反应有不同的影响。当稀土氧化物是Eu, Ho, Dy或Gd的氧化物时，甲醇在Pt一稀土氧化物／C催化剂上甲醇电催化氧化反应的极化性能和稳定性要优于在Pt/C催化剂上，而在其它的Pt-稀土氧化物／C催化剂上，甲醇电催化氧化的极化性能和稳定性要差于Pt/C电极。用不同方法制备的Pt一稀土氧化物／C催化剂对甲醇电催化氧化反应的促进作用取决于催化剂的制备方法。如先在活性碳上还原沉积Pt，再沉积上稀土氧化物所得的Pt－稀土氧化物／C催化剂的促进作用要优于先在稀土氧化物上还原沉积Pt，再一起沉积到活性碳上或先再活性碳上沉积稀土氧化物，再还原沉积上Pt的方法。另外，Pt和稀上氧化物的原子比为2：1时，pt－稀土氧化物／c催化剂对甲醇电催化氧化反应的催化活性最佳。稀土氧化物对pt／C催化剂对甲醇氧化反应的电催化性质的影响与稀土离子相似。但用稀土离子的方法比较简便，因此，相比之下，用稀土离子来促进甲醇在Pt上的电催化氧化反应方法较好。3．用Eu, Gd, Dy, Ho的氧化物制得的Pt-稀土氧化物／C复合催化剂对co的电催化氧化反应的催化活性要高于Pt/C催化剂。相对于的情况，在co在Eu, Gd, Dy,Ho的氧化物的Pt／稀土氧化物／C复合催化剂电极上的循环伏安图中，CO的氧化峰峰电位比在Pt/C电极的有不同程度的负移。吸．初步确定了电极和单体电池制备的较好的工艺参数和工作条件。在发明一种薄电极制备方法，确定最佳的电极催化层配方等的基础上，制得的单体电池，在25℃工作时，输出功率密度峰值达到28 mW/cm~2。