与标准集成电路工艺兼容的硅基光学器件研究

着重介绍了与标准集成电路工艺兼容的硅基光学器件的最新研究进展,包括硅基光发射器、硅基光波导和调制器件、硅基光电探测器和接收机以及硅基光电子集成回路的工作原理、制作工艺和集成技术.与标准集成电路工艺兼容的硅基光电子集成回路能有效地解决电互连芯片内部串扰、带宽和能耗等问题,并能够充分利用现有成熟的集成电路工艺,实现大规模生产,具有广阔的实用前景.

LPCVD Growth of 3C-SiC on Si Mesas and SiO2/Si Substrates for MEMS Applications

This paper presents the development of LPCVD growth of 3C-SiC thin films grown on Si mesas and thermally oxidized SiO2 masks over Si with an area of 150 × 100μm^2 and SiO2/Si substrates. The growth has been performed via chemical vapor deposition using SiH4 and C2H4 precursor gases with carrier gas of H2. 3C-SiC films on these substrates were characterized by optical microscopy, X-ray diffraction （ XRD ）, X-ray photoelectron spectroscopy （ XPS ）, scanning electron microscopy （SEM） and room temperature Hall effect measurements. It is shown that there were no voids at the interface between 3C-SiC and SiO2.

基于电吸收调制器波长变换技术的实验研究

实现了基于国产电吸收调制器中交叉吸收调制效应的波长变换，波长变换范围超过30nm，同时对实现波长变换的工作投机倒把进行了实验研究。

GaNAs/GaAs量子阱的静压光致发光研究

在15K和0-9GPa静压范围下测量了GaN0.015As0.985/GaAs量子阱的光致发光谱。观察到了GaNAs阱和GaAs垒的发光，发现GaNAs阱发光峰随压力的变化比GaAs垒发光峰要小很多。当压力超过2.5GPa后还观察到了与GaAs中的N等电子陷阱有关的一组新发光峰。用二能级模型及测得的GaAs带边和N等电子能级的压力行为计算了GaNAs发光峰随压力的变化，但计算结果与实验结果相差甚大，表明二能级模型并不安全适用。对观察到的GaNAs发光峰的强度和半宽随压力的变化也进行了简短讨论。

RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料

于2010-11-23批量导入

GaAs/GaAlAs超晶格的Wannier Stark效应

国家自然科学基金

量子阱中δ掺杂的光谱特性

中科院基金,其它基金

Optical transitions in GaNAs/GaAs single quantum well

We have investigated GaNAs/GaAs single quantum wells (SQWs) grown by molecular beam epitaxy (MBE) using photoluminescence (PL), time-resolved PL (TRPL) and photovoltaic (PV) techniques. The low temperature PL is dominated by spatially direct transitions involving electrons confined in GaNAs well and holes localized in the same GaNAs layer. This assignment was supported by PL decay time measurements and absorption line-shape analysis derived from the PV measurements. By fitting the experimental data with a simple calculation, the band offset of the GaN0.015As0.985/GaAS heterostructure was estimated, and a type II band lineup in GaN0.015As0.985/GaAs QWs was suggested. Moreover, DeltaE(C), the discontinuity of conductor band, is found to be a nonlinear function of the nitrogen (N) composition (x), and the average variation of DeltaE(C) is about 0.110eV per %N, The measured band bowing coefficient shows a strong function of x, giving an experimental support to the theoretic calculation of Wei et al [Ref.2].

不同处理方式采伐剩余物的分解及其对森林更新的影响

采伐迹地上运走大径级的原木所剩下的枝桠物质是生态系统养分能量的来源；是动力，植物和微生物物栖息地。在本世纪五十年代就有人（A. A. Loman）对择伐和皆伐迹地上的枝桠进行了研究，用以比较它们树皮存留率的差异，但详细深入的研究是在八十年代以后，以R. L. Edmonds, C. E. Pertson为代表研究不同层次，不同径级研究枝桠的分解速率，我国在此领域的研究尚属空白。本文以长白山阔叶红松林带的四个树种：红松，白桦，落叶松，色木为对象探讨了它们枝桠的生物量，分解速率，分解过程中的养分动态以及枝桠堆对更新和火灾的影响。采伐后0-14后间，迹地上枝桠干重为31.96-9.60T/ha，通过对7个年代采伐迹地上枝桠堆面积估算后得知，枝桠堆平均占地为11.53%，以1CM直径累计值对应的枝桠堆的高度（Y：CM）为因变量，分解时间（X, yr）为自变量，则枝桠堆高度随时间变化的过程可以描述为：Y = 1.288 - 0.000889 X~2 r = -0.9896。本文以密度（Y: g/CM~3）随分解年令（X: yr）的变化来表示分解速率。四十年代样品用排水法求出来的密度与用园柱法求出的密度有如下相关关系：Y排 = 0.0129 +2.316 Y园，r = 0.94 Y表示密度（g/CM~3）。我们用单项指数模型描述分解速率：落叶松：Y = 0.4701 * exp (-0.01783 X) r = -0.927 色木: Y = 0.6742 * exp (-0.07824 X) r = -0.988 红松：Y = 0.5349 * exp (-0.03421 X) r = -0.927 桦树：Y = 0.5316 * exp (-0.1139 X) r = -0.992 红松树皮的分解模型近似于直线：Y = 0.5258 - 0.01133 X r = -0.984 落叶松，红松，色木，桦树的分解常数分别为：0.01783, 0.0.41, 0.0782, 0.1139。依此预测分解原密度的95%所需要的时间分别为：168年，87.6年，38.3年，26年。可以看出这四个树种分解从难到易的顺序为：落叶松 > 红松 > 色木 > 桦树。对枝桠密度的差民显著性检验可以说明：红松样品层次对分解的影响显著而径级对分解的影响仅在下层显著。随着分解的进行，样品的重量损失，我们也探讨了密度的降低与失重百分率之间的关系。桦树样品下层失重比上层快，说明淋溶作用对桦树样品失重的贡献不大。温湿度是影响分解的最主要的生态因子。枝桠堆上下层的湿度差异特别明显。分解时间越长，径级对含水量的影响越显著。水分含量（Y：%）随年代（X: yr）变化的趋势为：Y = 36.18 - 0.004337 X~2 (4-7cm径级）Y = 33.64 - 0.01097 X~2 (1-4cm径级） 温，湿度影响土壤动物及微生物种群分布及数量，进而影响到枝桠的分解速率，分解过程中元素动态变化是：C基本上恒定，全N含量趋于增高。径级对红松N的累积有影响。下层4-6cm径极累积最快，其次是上层4-6cm。层次的影响仅限于红松，除72年以外上层 > 下层。其它元素如P, Mg++， Ca++总的趋势是随分解过程而增加。土壤中的C元素含量受立地条件的影响，但是枝桠堆下面土壤C值高于对照。枝桠堆对森林更新和火灾均有影响。枝桠是林火的燃料，枝桠堆面积占采伐迹地的11.53%，这样减少更新面积。