High phosphorous doping and morphological evolution during Si growth by gas source molecular beam epitaxy (GSMBE)

Uniform and high phosphorous doping has been demonstrated during Si growth by GSMBE using disilane and phosphine. The p-n diodes, which consist of a n-Si layer and a p-SiGe layer grown on Si substrate, show a normal I-V characteristic. A roughening transition during P-doped Si growth is found. Ex situ SEM results show that thinner film is specular. When the film becomes thicker, there are small pits of different sizes randomly distributed on the flat surface. The average pit size increases, the pit density decreases, and the size distribution is narrower for even thicker film. No extended defects are found at the substrate interface or in the epilayer. Possible causes for the morphological evolution are discussed. (C) 1999 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

Correlation Between Lattice Strain and Energy Gap Bowing of AlxGa1-xN Epitaxial Thin Films

The correlation between the energy band-gap of AlxGa1-xN epitaxial thin films and lattice strain was investigated using both High Resolution X-ray Diffraction (HRXRD) and Spectroscopic Ellipsometry (SE). The Al fraction, lattice relaxation, and elastic lattice strain were determined for all AlxGa1-xN epilayers, and the energy gap as well. Given the type of intermediate layer, a correlation trend was found between energy band-gap bowing parameter and lattice mismatch, the higher the lattice mismatch is, the smaller the bowing parameter (b) will be.

RAM(h)模型下SpMV存储访问复杂度的分析

稀疏矩阵向量乘(SpMV)采取压缩行存储格式的算法性能非常差,而寄存器分块算法可以使得数据尽量在靠近处理器的存储层次中访问而提高性能.利用RAM(h)模型进行分析和比较不同算法形式的存储访问复杂度,可以比较两种算法的优劣.通过RAM(h)分析SpMV两种实现形式的存储访问复杂度,同时在奔腾四平台上,测试了7个稀疏矩阵的SpMV性能,并统计了这两种算法中L1,L2,和TLB的缺失率,实验结果与模型分析的数据一致.

基于Weil对的成对密钥协商协议

为了实现网络安全，一个重要的方法是网络用户传送加密和可鉴定的消息．此时，用来加密和鉴定的密钥应该由网络中的用户协商得到．提出了3个基于Weil对的成对密钥协商协议．在协议中，所有用户共享一个秘密信息，通过较少的步骤，同时实现密钥协商和用户认证．提出的协议满足如下的安全特性：部分密钥泄漏的安全性、完备的前向安全性、个人密钥泄漏的安全性、无不明的密钥共享和无法控制密钥等．

比例方程组与MPI同步通信静态死锁检测

介绍了一种MPI程序死锁检测的静态方法以及该方法所处理的程序模型.为实现该方法,提出了比例方程组(一种特殊线性方程组)的概念并设计了求解方程组最简解的线性时空复杂度的高效算法.算法由一个四遍扫描过程与一个主控程序构成.主控程序用来处理并行计算节点计算机构成的划分.四遍扫描过程采用深度优先搜索方法确定方程组中各变元之间的比例关系.通过该算法所获得的最简解,任意多个变元之间的比例关系能在常数时间内获得.证明了该算法的正确性,并采用Java语言实现了该算法的标准程序库.该程序库目前已运行于MPI同步通信静态死锁检测的软件框架中.

双手交互界面研究进展

用户界面的发展趋势已经从“以技术为中心”发展为“以用户为中心”的新阶段,双手交互作为适应这种趋势的一种主要界面形式,以其自然直观等特点逐渐受到人们重视.系统地阐述了这种界面的研究现状,从双手操作的行为学和心理学基础出发,由实验评估总结出双手交互界面的基本设计准则,分类比较几种典型的交互技术,最后指出了存在的问题和下一步的研究方向.

珠江口岸式波力试验电站

中国第一座波力试验电站——珠江口岸式波力电站于1990年2月15日试发电成功。该电站位于珠江口大万山岛的南岸，面向浩瀚南海。设计波况H1/10=1.5m，T=6.5s.计划装机容量为8kW，第一台为3kW无刷爪极式发电机组，输出110V直流电，第二台为5kW无刷单相交流同步发电机组，输出220V交流电。目前投入试发电的是3kW机组。本文将介绍该电站气室性能模型试验，空气透平与气室性能匹配设计，岩坎爆破施工，实海条件下电站气室性能试验和发电试验结果。

长期施用氮、磷和有机肥对不同种植体系土壤有效硫累积的影响

以22年定位试验为基础,研究了长期施用氮、磷和有机肥(NPM)对不同种植体系土壤有效硫在剖面上分布与累积状况。结果表明,在60—80 cm土层各处理出现第一个累积峰,累积峰值为粮饲轮作31.3,玉米连作29.2,小麦连作27.9,粮豆轮作25.6,苜蓿连作24.0 mg/kg;在140—180 cm土层各处理又出现有效硫的第二个累积峰,累积峰值为粮饲轮作44.7,粮豆轮作43.1,小麦连作41.0,玉米连作39.7,苜蓿连作36.5 mg/kg。第二累积峰值均大于第一累积峰值。0—200 cm土层有效硫总累积量粮饲轮作高达746.3 kg/hm~2,其次为玉米连作640.6,粮豆轮作为638.3,小麦连作为622.4,苜蓿连作最小为557.3 kg/hm~2。长期施用磷肥和有机肥是有效硫在土壤中累积的主要因素,有效硫在土壤剖面上有向深层迁移的趋势。不同作物对硫的吸收利用差异和不同种植方式对有效硫的累积与分布产生影响。

原状土通气培养法测定黄土高原土壤供氮能力的研究

评价原状土通气培养法在反映黄土高原土壤供氮能力方面的效果。【方法】以采自于黄土高原差异较大的11个农田耕层土壤为供试土样,以包括和不包括土壤起始NO3--N原状土盆栽黑麦草累积吸氮量为参比,进行室内原状土通气培养法测定土壤供氮能力的研究。【结果】以包括土壤起始NO3--N盆栽试验植物吸氮量为参比,通气培养前CaCl2所淋洗起始NO3--N和起始矿质氮与5期黑麦草地上部氮素累积量密切相关,相关系数分别为0.856和0.862,达1%显著水平;与此相反,通气培养30周所矿化氮素、土壤起始矿质氮+通气培养30周矿化氮素、氮素矿化势(N0)及N0+起始矿质氮与5期黑麦草地上部氮素累积量间无显著相关关系,相关系数分别仅为0.410、0.553、0.492和0.419。以不包括土壤起始NO3--N盆栽试验植物吸氮量为参比,通气培养前CaCl2淋洗起始NO3--N和起始矿质氮与五期黑麦草地上部氮素累积量间的相关性尽管有所降低,但相关性仍达5%显著水平,相关系数分别为0.613和0.607;而通气培养30周矿化氮素、土壤起始矿质氮+通气培养30周矿化氮素、N0及N0+起始矿质氮与五期黑麦草地上部吸氮量的相关系数却明显...

小鼠早期胚胎几种不同培养方法的比较

目的探讨小鼠胚胎体外发育中的最佳培养方案。方法将从超排的ICR雌鼠输卵管内收集的1-细胞放入无糖CZB中培养,分别于2-细胞、4-细胞、桑椹胚阶段更换入含3.0 mmol/L葡萄糖(最适浓度)的CZB中,以及胚胎培养全程均在含糖CZB中更换1次培养液、胚胎培养全程均在含糖CZB中不更换培养液,对照组胚胎培养全程均在无糖CZB中,观察记录胚胎的发育情况。结果2-细胞、4-细胞阶段换入含糖CZB中的序贯培养及培养全程在含糖CZB中单一培养,囊胚率均高于对照组(P<0.05);桑椹胚阶段换入含糖CZB中的序贯培养,囊胚率与对照组差异无统计学意义(P>0.05);2-细胞、4-细胞阶段换入含糖CZB中的序贯培养与全程在含糖CZB中的两步法单一培养及一步法单一培养,囊胚率分别为46.5%、38.4%、41.7%、56.6%,其差异无统计学意义(P>0.05)。结论在小鼠早期胚胎体外发育中,2-细胞至桑椹胚前对葡萄糖存在依赖性;尽管序贯培养是有效的,但并不一定优于一步单一培养。

深切悼念黄昆老师

黄昆先生从1951年回国以后，主要从事教育工作，把大部分精力放在教“普通物理”、“固体物理”和“半导体物理”等几门课上．1956年3月我国制定了12年科学技术发展规划，当时任北京大学物理系教授的黄昆先生参与了制定这个规划，他和其他专家一起建议

抽运腔在LD侧面抽运激光头中的应用

介绍了抽运腔在半导体侧面抽运固体激光头中的应用.运用光线追迹的方法,从理论上分析了抽运腔对抽运光在晶体中的吸收效率和相对强度分布的影响,然后对无抽运腔、有抽运腔、抽运腔内表面经过镀金处理、抽运腔内表面经过抛光和镀金处理四种情况进行了实验研究.从理论模拟和实验结果中可以看出,抽运腔及其内表面的处理质量对激光头输入输出性能有很大的影响.