112 resultados para 1700-1750


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提出了一种自动检测C语言程序中是否含有死循环的方法.该方法基于程序分析技术,包括循环展开和路径可行性分析技术.该方法首先通过遍历控制流图生成待查循环的检验路径;之后通过分析检验路径的可行性以及路径之间的联系,判断这些路径是否符合死循环模式.在此方法基础上实现了原型工具LoopAnalyzer,并对一组基准程序进行测试.实验结果表明此工具能有效地检测出C语言程序中的死循环,并且准确率较高.

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目前,国内外对于铕和铽等稀土配合物的可见区发光和应用都有大量研究,但对具有近红外发光(800-1700 nm)性能的稀土配合物的研究还处于起步阶段。由于稀土的近红外发光在光纤通讯、激光系统及诊断学等方面应用具有特殊的优点,越来越引起人们的兴趣和重视。 稀土近红外发光配合物的致命弱点是其光、热和化学稳定性较差,从而限制了其在很多领域的实际应用。而溶胶-凝胶材料和介孔材料具有良好的光、热和化学稳定性,能改善客体分子的结构环境和化学微环境,从而能有效提高客体分子的发光性能。因此,本论文将具有优良近红外发光性能的稀土配合物分别与上述两种基质复合,从实验和理论研究稀土近红外发光杂化材料的性能和应用价值,制备出具有良好稳定性的高效稀土近红外发光杂化材料,以期为光纤通讯、激光等领域提供潜在的候选材料。围绕这一宗旨,开展了如下工作: 通过原位技术分别得到了掺杂和嫁接[Ln(dbm)3phen]化合物(Ln = Er, Nd, Yb)的杂化凝胶材料,Ln-D-P gel和Xerogel-Ln。通过对其近红外发光性能的研究,表明材料中配体能很好的保护稀土离子,并将能量有效的传递给稀土离子。采用Judd-Ofelt理论对所得部分材料进行了光谱分析,基于实验数据和理论分析表明其具有潜在的光放大和激光应用价值。 选择了两种含全氟化烷基链的β-二酮配体Hhfth和Htfnb,通过功能化的phen-Si配体,将三元配合物[Ln(hfth)3phen] (Ln = Er, Nd, Yb, Sm)和[Pr(tfnb)3phen]成功共价嫁接到介孔MCM-41和SBA-15杂化材料中,得到的衍生材料Ln(hfth)3phen–MCM-41、Pr(tfnb)3phen–MCM-41和Ln(hfth)3phen–SBA-15、Pr(tfnb)3phen–SBA-15都保持了高度有序的介孔p6mm结构,并展现出稀土离子特征的近红外发射。所得稀土配合物功能化的材料的发射光谱能完全覆盖对光通讯极具应用价值的1300-1600nm区域。 通过对Er(dbm)3phen–M41(X, Y) (X = 1~14, Y = 3, 6, 12, 18, 24 h)材料系统的比较研究,选择了X = 12, Y = 6作为合成目标材料的优化参数,通过功能化的phen-Si配体将[Ln(dbm)3phen]配合物共价嫁接于有序介孔MCM-41和SBA-15中(Ln = Er, Nd, Yb),所得两类材料Ln(dbm)3phenM41和Ln(dbm)3phenS15都保持了很好的介孔有序性,并具有良好的近红外发光性能。通过对Ln(dbm)3phenM41和Ln(dbm)3phenS15两类材料发光行为的比较,以及两类材料中稀土离子的含量及孔结构的分析,推出以SBA-15为载体得到的材料在相对发光强度和荧光寿命上,均比以MCM-41为载体的材料有所提高。 通过对8-羟基喹啉配体进行改性,合成了具有双功能的配体Q-Si,继而合成了共价嫁接8-羟基喹啉衍生物的介孔杂化材料Q–SBA-15,其形貌均一,并具有高度有序的介孔p6mm结构。通过配体交换反应,得到了嫁接稀土喹啉配合物的具有近红外发光性能的介孔杂化材料LnQ3–SBA-15 (Ln = Er, Nd, Yb),其仍然保持高度有序的介孔结构,且外形呈现与母体材料Q–SBA-15相似的弯曲圆柱状。激发配体的吸收,LnQ3–SBA-15材料都分别展现出相应稀土离子特征的近红外发射,并详细分析和讨论了所得介孔杂化材料的近红外发光性能。

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DMSO是一个很好的配位体,有氧原子和硫原子两个配位原子,通过这两个配位原子,DMSO可以和许多过渡金属和稀土金属的离子发生络合,形成稳定的金属络合物。稀土金属离子的络合物,角过氯酸盐、卤化物,高铼酸盐六氟磷化物等,曾有人进行了研究,它们的光谱研究表明,二甲亚砜是通过氧原子同稀土络合,O、N、S三原子的络合能力是O>N>S。在稀土硝酸盐的二甲亚砜的络合物中,由于即存在DMSO的配位,也存在硝基的配位,所在情况比较复杂。它们的振动光谱研究了可以在1967年Ramalingan和1977年Kawcuno的工作中得知一些,前者研究了La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Ho、Yb、Y九个元素的络合物,后者研究了La、Nd、Er、Yb、Lu五个元素的络合物,所有络合物的光谱数据都很不完全,他们都认为DMSO与NO_3都与稀土离子络合,并肯定是通过氧原子络合,但是对于NO_3的络合方式没有一致的结论。Ramalingan等认为络合物分子中,硝根既有双基配位,又有单基配位,和X光衍射实验的结果不相符,Kawano通过研究全氘化二甲亚砜(DMSO-d_6)的稀土硝酸盐络合物,认为三个NO_3都是通过两个氧原子同稀土相配位,是双基配位基。硝基的配位方式是一个长期争论的振动光谱问题,不少学者曾对硝基的各种振动模式的谱带位置和吸收强度进行探讨,很难得出一致的结论。在络合物中氧与稀土离子的络合键Ln-O的振动频率位置问题,亦存在争论,Kawanv认为这个配位键的振动频率在180 cm~(-1)附近,但是日本的岩濑秋雄等人,在研究稀土高氯酸盐的二甲亚砜络合物时,则认为400 cm~(-1)附近的谱带为Ln-O的振动频率在研究稀土的无水硝酸盐的红外光谱的工作中。A.Walker等人也把180 cm~(-1)谱带归属为Ln-O络合键。J.R.Ferraro等人在研究Ln(NO_3)_3·3DBP络合物时,也认为Ln-O配位键在180 cm~(-1)附近,但是我们考察了他们的数据与稀土动量L的关系,未发现四分组现和“斜W”效应。我们研究了除P_m 以外的十四个稀土元素并Y的硝酸盐DMSO络合物的付氏变换红外光和激光拉曼光谱,4000 cm~(-1)-80 cm~(-1)的红外光谱图和4000 cm~(-1)-50 cm~(-1)的拉曼光谱图提供了较完整的数据,除了肯定了NO_3和DMSO都以氧原子与稀土络合外,还肯定了NO_3的配位方式和利用红外数据区别不同类型的配位的方法找出了金属离子配位数不同的光谱特征,做了Ln-O络合键的振动频率的归属及其与稀土物化性质间的规律关系。根据DMSO的简正坐标计算结果,可以归属出DMSO及其络合物的许多谱带,其中S=0伸缩振动频率在990-1018 cm~(-1)之间,随原子序数增加无明显规律性变化,在Gd络合物以后,分裂为三条谱带。C-S的伸缩振动移问低波数,变化随原子序数增加而增加,但无明显的线性变化,C-S-O变形振动频率向高频方向移动约16 cm~(-1),与原子序数无关,C-S-C变形振动移向高波数5 cm~(-1),与原子序数无关。此外,在~3000 cm~(-1)是Vc-H,~1400 cm~(-1)是CH_3变形振动频率谱带,~950 cm~(-1)是CH_3摇摆,络合后上述谱带变化不大,可见络合对CH_3基团的振动无大的影响。通过考察S=0振动频率变化,可以看出十配位络合物和九配位络合物之间的光谱区别在于十配位络合物S=0伸缩振动仍为一条谱带,而九配位络合物的S=0振动频率则分裂为两条谱带。已知十配位的Ln-O多面体为双帽正多棱柱,九配位络合物则为三帽三角柱,考虑到氧原子的不同,前者为C_(2v)对称性,后者为C_3对称性,不同配位数的络合物所显示谱带分裂不能用对称性来说明,因为这两种群均没有简并的群表示,利用X光衍射数据计算了La和Yb的络合物中DMSO间氧原子的距离,可以看出,十配位络合物中DMSO的配位氧原子间距离大,而九配位络合物中氧原子间距离小,两者之间相差近两倍。所以S=0振动频率分裂可能是相同基团因距离近而产生了振动耦合。利用此结果可以区分不同配位数的络合物,这种现象,在以往的DMSO络合物的研究中没有发现。硝基离子属于D_(3h)群,有四个振动模式,其中三个是红外活性,分别为V_2(A")=823-817 cm~(-1),V_3(E')=1368-1355 cm~(-1),V_4(E')=702-718 cm~(-1),V_1、V_3、V_4是拉曼活性的,络合以后,NO_3对称性变为C_(2v)群,有六条红外谱线,同时也是拉曼活性,其中N-O伸缩振动在1460 cm~(-1) (A,S),No_2反对称伸缩振动在1340-1329cm~(-1)(B,S),NO_2,对称伸缩振动在1037.7 cm~(-1)附近,NO_3的对称面内弯曲振动在817 cm~(-1)(A,S),反对称面内弯曲振动在767.7 cm~(-1),NO_3的面外变形振动在710 cm~(-1)(B_2 W),由此可知硝基在络合物中确实参加了配位。存在络合物中的三个硝基的配位类型在红外上如何区别我们进行了初步探讨。单基配位基和双基配位基同属C_(2v)对称性所以在基频上很难区别,Lever等人在研究过渡金属络合物中发现,No_3的组频1750 cm~(-1) (V_1+V_4)在络合以后发生了分裂,双基配位基分裂在22-66cm~(-1)范围,而单基配位基则在5-26cm~(-1)范围,可以以此来区别NO_3的配位类型,这种方法适用于很多络合物,我们把这种方法应用于稀土络合物中发现,这个组频分裂现象在络合物中普遍存在,分裂在25-44.4cm~(-1)范围,所以络合物的硝基是双基配位体,在此波数区间内只有分裂很好的两个峰,所以可以断定无单基配位的硝基存在,这与X光衍射实验结果相一致,分裂距离随原子序数增加而增加,但无“斜W”效应。Ce和Lu的络合物分裂较小。由此可知这种方法适用于稀土二甲亚砜络合物。对有可能归属为Ln-O配位键的180 cm~(-1)和400 cm~(-1)附近的两条谱带进行考查,~400 cm~(-1)附近的谱带随原子序数增加总趋势增加,在Gd络合物开始分裂为两条,这条谱带与稀土离子总角动量L之间存在“斜W”效应,Shyama P. Sinha在研究稀土元素的性质时发现,稀土很多性质都具有“斜W”效应。其中包括配位键振动频率。利用V=1/(2πC)(F/(-1~n))~(1/2),用乙酰丙酮络合物的F_(Ln-O)近似计算V_(Ln-O)可以算得V_(Ln-O)在400.8-418.49cm~(-1)范围,所以可以认为~400 cm~(-1)附近的谱带可以归属为Ln-O键伸缩振动。~200 cm~(-1)的谱带在S_m络合物以后分开,此谱带亦随原子序数增加而增加,但无“斜W”效应,Kawano把它们归属为Ln-O,J.R.Ferraro在研究Ln(NO_3)_3(TBP)_3时,也认为Ln-O键伸缩振动在此位置,但也无“斜W”效应,这条谱带能否归属于Ln-O键,有待寻找更进一步的证据。通过稀土二甲亚砜络合物的研究,我们可以得知,NO_3的组频在1750 cm~(-1)谱带在络合以后发生了分裂,分裂范围在25-44.4 cm~(-1),从而证明了NO_3为双基配位基。DMSO的S=0伸缩振动频率和Ln-O键伸缩振动在Gd络合物后出现分裂,因而可以利用此结果可以区分两种不同配位数的络合物,通过考虑振动频率同稀土物化性质L间的关系及近似计算,初步可以确定Ln-O键振动频率在~400 cm~(-1)附近。有“斜W”效应存在。

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从 1999 年4 月至2002 年六月间,对黑白仰鼻猴种群(Rhinopithecus bieti ) 的分布和生境状况进行了调查。与十年前的调查结果相比,本次调查新发现了4 个亚种群(指存在生境走廊的若干群体),但有5 个以前存在的群已经消失,现 存猴群数量为13 群,总体数量约为1200-1700 只。从西藏的芒康到云龙的龙马 山,随着海拔的降低,猴群可利用的植被类型也随之多样化。但由于砍伐、放牧、 开矿等因素的影响,猴群生境破碎化程度较高,连接猴群的生境走廊状况极差, 多数猴群孤立分布,并且存在小种群问题,生境走廊的维护和恢复已成为该物种 保护成功与否的关键。种群的总体数量下降了32%(不含4 个新发现的亚种群), 其中4 群数量下降,4 群持平,1 群有所增长,5 群消失,这不容乐观的状况给 我们保护敲响了警钟。此外,基于以前的研究结果,暗针叶林、针阔混交林和栎 树林均为其适宜生境,夏季高山牧场则是由当地居民为放牧而砍伐、焚烧高海拔 带的暗针叶林而形成的林间空地。我们使用了1997 年的卫星影像和1958 年的航 拍地图来估算适宜生境和夏季高山牧场的面积。结果表明;1)在1997 年,黑白 仰鼻猴的适宜生境面积为4169 km2,夏季高山牧场的面积为1923 km2。2)在近 40 年中,黑白仰鼻猴的适宜生境面积下降了31%(约1887 km2),而夏季高山牧 场的面积则增加了204%(约1291 km2)。3)森林斑块的平均面积从15.6 km2 下降到5.4 km2。此外,夏季高山牧场的面积与当地居民的人口数量增长之间呈 正相关关系 (R2 ≥ 0.53,p < 0.05)。除非当地居民的人口数量增长模式或者传统 的生产生活方式发生改变,这种破碎化趋势将继续下去。 从1999 年三月至2000 年十二月对云南塔城(99o18’E, 27 o36’N, 活动范围在 2,700 – 3700 m asl)的一群黑白仰鼻猴收集了食性和时间预算的数据。通过状态 行为扫描的方式,主要记录了树冠中单雄组食用植物种类—部位。同时用显微镜对每个月的粪便样本进行了显微分析,以此作为食性的补充数据。仰鼻猴食用属 于28 科、42 属的59 种植物,共计90 个食用的植物种类—部位,其中冬季利用 21 个植物种类—部位,春季38 个,夏季39 个,秋季47 个。另一方面,该群年 平均花费日活动时间的35%进食,33%休息,15%移动,13%社会行为。日活 动时间预算分配、摄食不同食物类别的时间、粪便中食物残留物及食用植物种 类―部位的数目存在着季节性变化。食物种类与时间分配之间和之内的相关显然 是为了最大化觅食效率与最小化能量消耗。考虑到来自北面与南面的群的相关报 道,这个种对生境的适应性似乎与其他疣猴没什么区别,并无特化之处。因此, 这个种的最终生存预期要比以前乐观。 我们利用整个塔城猴群沿地面通过开阔地或喝水的机会,使我们能记录野外 种群的大小和组成(如性比等)以及通过分析依次经过个体间的时间间隔以量化 反映社会组织单元之间和之内的空间距离,用统计分析的方式来量化描述社会组 织的模式,发现塔城猴群由9 个单雄单元(OMUs)、5 个多雄单元(MMUs)和2 个全雄单元(AMUs)组成, 单雄单元、多雄单元和全雄单元内的个体分别约占 总数的58%、34%和8%,无论在开阔峡谷地域或水潭旁,单元内的时间间隔显 著短于单元间的时间间隔(开阔峡谷地域:非配对 t 检验,df = 49; p < 0.01, 水潭:非配对t 检验,df = 35; p < 0.01)。 在单雄单元的成年不等性比和成 年雌性与婴猴的比例显著大于多雄单元(开阔峡谷地域:非配对t 检验,df = 40; p < 0.05,水潭:非配对t 检验,df = 16; p < 0.05)。在全雄单元中有大量的 性别不明的未成年个体。此外,加之某些个案描述,论述了多雄单元存在的可能 性及与全雄单元和单雄单元之间的关系。

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以国内海岛型旅游地空间利用现状为研究基础,通过文献分析,发现影响我国海

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分析了珠江口海域采集的12个表层沉积物样品重金属(Cu、Pb、Zn、Cd、Hg)的含量分布特征,并对其环境质

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This paper presents the total dose radiation performance of 0. S^m SOI CMOS devices fabricated with full dose SIMOX technology. The radiation performance is characterized by threshold voltage shifts and leakage currents of transistors and standby currents of ASIC as functions of the total dose up to 500krad(Si) .The experimental results show that the worst case threshold voltage shifts of front channels are less than 320mV for pMOS transistors under off-gate radiation bias at lMrad(Si) and less than 120mV for nMOS transistors under on-gate radiation bias. No significant radiation-induced leakage current is observed in transistors to lMrad(Si). The standby currents of ASIC are less than the specification of 5μA over the total dose range of 500krad(Si).

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High-quality GaN epilayers were consistently obtained using a home-made gas-sourer MBE system on sapphire substrates. Room-temperature electron mobility of the grown GaN film is 300 cm(2)/V s with a background electron concentration as low as 2 x 10(17) cm(-3) The full-width at half-maximum of the GaN (0 0 0 2) double-crystal X-ray rocking curve is 6 arcmin. At low temperature (3.5 K), the FWHM of the: near-band-edge photoluminescence emission line is 10 meV. Furthermore, using piezoelectric effect alone with the high-quality films, two-dimensional electron gas was formed in a GaN/AlN/GaN/sapphire structure. Its room-temperature and low-temperature (77 K) electron mobility is 680 cm(2)/V s and 1700 cm(2)/V s, and the corresponding sheet electron density is 3.2 x 10(13) and 2.6 x 10(13) cm(-2), respectively. (C) 2001 Published by Elsevier Science.

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岷江上游干旱河谷是岷江上游地区的生态脆弱带和敏感区,也是存在问题最多,在山区治理中最关键和最困难的一种特殊地域类型,其显著特征是年降水少、蒸发量大、土壤贫瘠、植被稀少,是泥石流、滑坡、崩塌等自然灾害频发的区域,其恶劣的生态环境条件严重影响当地及下游的工农业生产和群众的生活。 基于RS和GIS,本文研究了岷江上游干旱河谷从1974到2000年间的景观变化情况。主要结论如下: 1.岷江上游干旱河谷高程介于1200-3200m之间,干旱河谷在坡度26º-35º之间分布最广,坡度大于25º的陡坡上干旱河谷的分布面积约占59%左右。干旱河谷边界的上限沿垂直方向迅速抬升,1974到2000年间岷江上游干旱河谷边界最高上限沿垂直方向抬升了53m,大约平均每年抬升2m。岷江上游干旱河谷边界的影响域为800米。 2.灌木林地的面积占整个景观面积的60%以上,构成了干旱河谷区的景观基质。耕地是干旱河谷中重要的景观类型,其变化幅度是所有景观类型中最大。耕地和居民用地斑块的平均面积和密度较小,形状简单。耕地大多分布在干旱河谷中海拔1700-3000m的区域,并且陡坡耕种比较严重;居民用地的分布在低海拔地区相对较密,在海拔高的地方分布较分散。 3.干旱河谷的面积在不断的扩大,1995-2000年间干旱河谷面积年变化速率与1974-1995年间相比有所降低。1974-1995年景观的破碎化程度和异质性程度增大,斑块内部的连通性降低;1995-2000年则表现出相反的趋势。具体表现为岷江上游干旱河谷景观的斑块密度、多样性指数先增大后减小,蔓延度指数先减小后增大,而边界密度和分维数一直减小。导致干旱河谷景观变化的驱动因素主要有:自然地理条件、人口增长和政策导向。 4.干旱河谷范围的扩大,对周围景观造成了深刻的影响,如果气候朝着干旱化加剧的方向发展,人为活动强度不断加大,岷江上游干旱河谷的潜在干旱化趋势和潜在次生干旱化趋势将加剧,干旱河谷范围可能进一步扩大。

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本文以土壤一植物系统为中心,通过铜在三个类型区黑土中的作物效应,作物残毒,环境效应,封对铜的自净能力,综合确定了黑土中铜的临界含量,根据野外调查和室内模拟的各项物质平衡参数,代入数学模型,计算出不同年限黑土中铜的环境容量。作物盆栽(春小麦、大豆)试验表明,作物受铜害的起始浓度在200-400ppm以上。以作物减产10%为依据,经相关方程计算,黑土中铜作物效应的临界值为348.46ppm(全铜),和217.93ppm(有效铜,0.1N Hcl)。在本实验土壤铜浓度范围内(0-1000ppm),作物籽实,茎(叶、荚)中铜含量很少超过20ug/g毒性标准。土壤对铜的吸附一解吸试验表明,代表土壤对铜自净能力的指标一固态吸附量在本实验条件下为806.77-1456.16ug/g土。铜对环境影响试验表明,土壤投加铜1204.09ppm和土壤投加铜200ppm不导致地下水和地表水超标。综合以上各个单一体系的临界指标,选择限制性因子,确定黑土中铜的临界值为348.46ppm(全铜)。根据野外调查和模拟的各项物质平衡参数,经数学模型计算出了黑土中不同年限的变动容量(Q)和总容量(Q总)。如,t = 50年,Q = 1700.58g/亩·年,Q总 = 85029 g/亩。