光子晶体波导定向耦合型1×3光分束器

将五光子晶体单模波导平行、邻近放置构成定向耦合器,依据自映像原理,数值分析了输入光场对称入射时,该系统中光的传播行为.基于此结构,设计了1×3光分束器,其器件长度可短至14.26μm.仅仅通过对称地改变耦合区中两个介质柱的有效折射率,使光场在横向发生重新分布,便可实现输出能量的均分或自由分配.通过非对称地改变耦合区中的一个介质柱,可实现3个输出端的输出能量的自由分配.该光分束器具有微小尺寸和各输出端输出能量的比例可自由调制的特点,在未来集成光回路中具有广泛的应用价值.

制备几种典型复合纳米线的相关实验及其分析

近年来，复合纳米线的制备成为低维纳米结构研究的一个热点。综述了几种典型复合纳米线的生长方法，分析了它们的生长机制，以及影响它们生长的各种因素。希望通过这几个制备复合纳米线的实验的分析与研究能对相关实验研究工作提供一些参考。

MOCVD生长大功率单量子阱激光器

介绍了MOCVD生长的高质量GaAs和AlAs材料以及(Al)GaAs/AlGaAs分别限制单量子阱激光器.GaAs材料的77K迁移率为122.700cm~2/(V·s),GaAs/AlAs具有均匀陡变的界面.激光器的最大光输出功率为4W,平均光功率密度达4MW/cm~2,斜率效率为1.2W/A,在1W恒功老化4000小时电流增加小于10%,预计寿命可超过两万小时.

镜像核~(13)N-~(13)C和~(15)N-~(15)O中的激发态晕或皮(英文)

用非线性相对论平均场对两对镜像核13N 13C和15N 15O进行了研究. 发现无论在基态还是激发态, 用两套参数所得的结合能都跟实验值很接近. 计算结果显示13N的第一激发态 (2s1 /2 )和第三激发态(1d5 /2 )各存在一个非束缚的质子晕, 而13C的第三激发态 (1d5 /2 )存在一个弱束缚的中子皮. 另外研究表明, 在另一对镜像核15N 15O的第二激发态 (2s1 /2 )和第一激发态 (2s1 /2 )分别存在一个中子晕和质子皮.