MOCVD生长大功率单量子阱激光器
| Data(s) |
1996
|
|---|---|
| Resumo |
介绍了MOCVD生长的高质量GaAs和AlAs材料以及(Al)GaAs/AlGaAs分别限制单量子阱激光器.GaAs材料的77K迁移率为122.700cm~2/(V·s),GaAs/AlAs具有均匀陡变的界面.激光器的最大光输出功率为4W,平均光功率密度达4MW/cm~2,斜率效率为1.2W/A,在1W恒功老化4000小时电流增加小于10%,预计寿命可超过两万小时. 介绍了MOCVD生长的高质量GaAs和AlAs材料以及(Al)GaAs/AlGaAs分别限制单量子阱激光器.GaAs材料的77K迁移率为122.700cm~2/(V·s),GaAs/AlAs具有均匀陡变的界面.激光器的最大光输出功率为4W,平均光功率密度达4MW/cm~2,斜率效率为1.2W/A,在1W恒功老化4000小时电流增加小于10%,预计寿命可超过两万小时. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:13:49导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5960.pdf: 370169 bytes, checksum: 482321385d673c7768e89f843a363217 (MD5) Previous issue date: 1996 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
郑联喜;肖智博;韩勤;金才政;周帆;马朝华;胡雄伟.MOCVD生长大功率单量子阱激光器,半导体学报,1996,17(5):392 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
