SiO2/Si波导应力双折射数值分析

采用有限元法对SiO2/Si掩埋光波导制备工艺中的应力变化进行了系统的分析,在此基础上,应用有限差分束传播法(FDBPM)对应力光波导的双折射进行了计算.结果表明上包层的玻璃化过程是SiO2/Si波导形成水平方向和垂直方向应力差的主要原因,相应的应力双折射系数B在10-4量级.进一步的分析表明上包层B,P重掺杂可明显减小波导的双折射系数.

用于光网络通信的Si基光子集成器件的研究

报导了可用于光网络系统终端OADM和OXC的Si基长波长量子阱窄带响应光电接收器，MOEMS和F-P TO宽频域光学滤波器，M—Z型TO光开关和MMI多路分束器以及可变光强衰减器．用应变层SiGe/Si MQW研制的RCE光电接收器响应谱半宽FWHM<6mm，外量子效率η>4．2％；采用表面微机械加工的桥式光学滤波器，当外加电压0→50V，连续可调谐范围达90nm；采用全平面工艺研制的F-P腔TO滤波器，当外加电流0→57mA时，连续可调谐范围达23nm，FWHM<0．5nm．在SOI Si基片上研制的M—ZTO波导光开关，开关时间<30μs，功耗～100mW．开关消光比-13dB和-10dB，1×4MMI多路分束器输出光场的不均衡性<0．36dB，总插入损耗6．9dB．用背向对接的MMI构成的M-Z干涉仪实现了光强的可变调最大衰减量26dB，响应时间100μs，插入损耗4．8～7dB．