SiO2/Si波导应力双折射数值分析
| Data(s) |
2005
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| Resumo |
采用有限元法对SiO2/Si掩埋光波导制备工艺中的应力变化进行了系统的分析,在此基础上,应用有限差分束传播法(FDBPM)对应力光波导的双折射进行了计算.结果表明上包层的玻璃化过程是SiO2/Si波导形成水平方向和垂直方向应力差的主要原因,相应的应力双折射系数B在10-4量级.进一步的分析表明上包层B,P重掺杂可明显减小波导的双折射系数. 国家重点基础研究发展规划,国家自然科学基金资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
安俊明;班士良;梁希侠;李健;郜定山;夏君磊;李健光;王红杰;胡雄伟.SiO2/Si波导应力双折射数值分析,半导体学报,2005,26(7):1454-1458 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
