LaX(X=N,P,As,Sb)晶体的能带结构和化学键性质研究

用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ能带程序计算了ＬａＸ（Ｘ＝Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ）晶体的能带结构，得到的晶体能隙分别为ＬａＮ２．３０ｅＶ，ＬａＰ２．０５ｅＶ，ＬａＡｓ１．６６ｅＶ，ＬａＳｂ１．３４ｅＶ，与实验结果基本相符．利用价电子总数在阴阳离子上的分配数之比，给出计算晶体化学键性质的经验关系式，根据该式计算晶体化学键的共价性与文献结果非常吻合，说明了该关系式的合理性

Crystal Radii and Their Application on the Study of Electronic Structures of LaX(X=N,P,As,Sb)

以Ｐｈｉｌｉｐｓ－ＶａｎＶｅｃｈｔｅｎ理论和晶体光学性质为基础，计算了ＬａＸ（Ｘ＝Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ）晶体的离子半径（单位：ｎｍ）：（Ｌａ：Ｎ）为（０．１４１４，０．１２３６），（Ｌａ：Ｐ）为（０．１５１８，０．１４８９），（Ｌａ：Ａｓ）为（０．１５３６，０．１５２６），（Ｌａ：Ｓｂ）为（０．１５８６，０．１６５１）．用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法对ＬａＸ系列晶体的能带结构进行了计算．所得到的能隙是：ＬａＮ为２．３０ｅＶ，ＬａＰ为２．０５ｅＶ，ＬａＡｓ为１．６６ｅＶ，ＬａＳｂ为１．３４ｅＶ．与实验结果相符．这也证明了作者得到的半径的合理性.