55 resultados para Masaniello, 1620-1647.
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从一种来自中国日行性萤火虫(云南窗萤)发光器官mRNA中克隆、测序并表达了有功能的荧光素酶.云南窗萤荧光素酶的cDNA序列有1647个碱基,编码548个氨基酸残基.从推测得到的氨基酸序列的比对分析得出:云南窗萤的荧光素酶与来自Lampyris noctiluca,L.turkestanicus和Nyctophila cf.caucasica三种萤火虫的荧光素酶有97.8%的序列一致性.从推测得出的氨基酸序列进行系统发育分析,其结果表明:云南窗萤和Lampyris+Nyctophila聚在一起,与同属的发光强夜行性的萤火虫不形成的单系.云南窗萤荧光素酶在大肠杆菌中表达的条带大约70kDa,并且在有荧光素存在时发出黄绿色荧光.对荧光素酶的结构模拟和分析表明,云南窗萤荧光素酶基因的氨基端和羧基端结构域之间的裂沟处存在这5个多肽环,这正是从其他荧光素酶推测得到的催化荧光反应时的底物结合位点.云南窗萤和窗萤属的其他3种萤火虫的荧光素酶卡目比,有13个不同氨基酸位点,位于模拟分子结构的表面.对于这些多肽环、不刚氨基酸残基和晶体结构的进一步研究有利于解释日行和夜行性萤火虫荧光素酶的差异.
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对行为的定义和描述是定量开展行为学研究的前提与基础。通过对人工饲养环境下长江江豚行为的观察、记录和分析,定义和描述了长江江豚近40种行为。在此基础上,初步构建了人工饲养环境下长江江豚行为学研究所必需的行为谱,由活跃的水面行为、玩耍、索食、社群行为、性行为、休息、摩擦、杂类八个类别组成。文中对某些行为可能具有的生物学意义进行了初步的分析和讨论。
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In China, especially in Three-Gorges Reservoir, our knowledge of the algal growth potential and nutrient limitation was still limited. In the spring of 2006, the water column ratios of total nitrogen/total phosphorus were investigated and algal bioassays performed to determine algal growth potential of waters and nutrient limitation of mainstream and Xiangxi Bay of Three-Gorges Reservoir. The results showed sampling sites in mainstream were co-limited by N and P or P-limited alone, and sites in Xiangxi Bay were N-limited alone. Fe likely played an important role in determining the appearance and disappearance of algal blooms of Three-Gorges Reservoir. Native algae, Pseudokirchneriella subcapitata and Cyclotella meneghiniana, had high growth potential in Three-Gorges Reservoir.
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Submitted by 张磊 (zhanglei@semi.ac.cn) on 2010-06-03T13:47:18Z No. of bitstreams: 1 Directed XOR_XNOR.pdf: 556366 bytes, checksum: c67167a8648c1242c1eec35d6cca24f6 (MD5)
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提出了一种句法语义一体化的语言分析方法,句法分析和语义理解时采用并行方法,利用两者之间的相互关系实现句法和语义的分析。针对自然语言理解在几何特定领域的约束性,以依存语法为基础,利用标注过的语料库知识,采用规则统计模型,对已经标注好词性语义的句子词串进行句法语义一体化分析,生成符合数学规范的数学表达式。实验证明,建立的系统对100个几何描述的句子进行测试,得到的正确率为98%,在几何领域具有良好的实用性,能够满足实际的需要。
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全因态激光器集半导体激光器和固体激光器优势于一体,具有高效、高功率、高光束质量、高可靠性、小体积和长寿命等优点,近年来已成为激光领域的重要发展方向,高功率全固态激光器在科研、工业加工和国防等领域有十分重要的用途。中国科学院半导体研究所集成技术中心自主研制了半导全权激光器抽运的高功率激光头,采用Nd
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在GaAs基In x Ga1-xAs( x =0.15)应变层上生长了InAs 量子点(QD)层,通过分析各层之间的应力状况和位错的演变过程,配合生长过程中对反射式高能电子衍射仪(RHEED)实时监测,并观察生长后的表面形貌,发现可以通过控制应变层厚度来控制应变层表面布纹结构的宽度,而且在应变层厚度低于位错增殖的临界厚度时布纹宽度较窄.如果同时控制QD层在刚刚出点,则QD主要沿着较窄的布纹结构排列,从而得到有序排列的QD.