利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点
| Data(s) |
2004
|
|---|---|
| Resumo |
在GaAs基In x Ga1-xAs( x =0.15)应变层上生长了InAs 量子点(QD)层,通过分析各层之间的应力状况和位错的演变过程,配合生长过程中对反射式高能电子衍射仪(RHEED)实时监测,并观察生长后的表面形貌,发现可以通过控制应变层厚度来控制应变层表面布纹结构的宽度,而且在应变层厚度低于位错增殖的临界厚度时布纹宽度较窄.如果同时控制QD层在刚刚出点,则QD主要沿着较窄的布纹结构排列,从而得到有序排列的QD. 国家重点基础研究发展计划,国家自然科学基金,国家高技术研究发展计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
张春玲;赵凤瑗;徐波;金鹏;王占国.利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点,半导体学报,2004,25(12):1647-1651 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
