面向高性能数值计算的并行计算模型DRAM(h)

提出了一个基于存储层次的新并行计算模型DRAM（h），并在该模型下对两个经典并行数值计算算法的不同实现形式：四种形式并行了三角方程求解（PTRS）和六种形式无列选主元并行LU分解（PLU），进行了分析。模型分析表明，具有近乎相同时间和空间复杂性的同一算法不同实现形式在该模型下会有完全不同的存储复杂度。作者在日立公司SR2201 MPP并行机、曙光3000超级服务器和中国科学院科学与工程计算国家重点实验室（LSEC）的128节点Linux Cluster等三种并行计算平台上对模型分析结果进行了实验验证。结果表明，该模型分析在绝大数情况下都能较好地与不同实验枰台上的实验结果吻合。个别出现偏差的分析结果，在根据计算平台的存储层次特点修改模型分析的假定后，也能够进行解释。这说明了该模型以不同形式的算法实现进行存储访问模式区分的有效性。对在计算模型中加入指令/线程级并行的可行性和方法的研究是下一步的工作。

基于安全多方计算的数字作品所有权证明

数字作品的所有权证明允许在不泄漏任何秘密信息和防止所有者欺骗的前提下，对版权声明进行验证,提出一种基于Proactive可验证秘密共享和安全多方计算的数字作品所有权证明方案．在该方案中，可验证秘密共享，保证了所有权秘密的正确性，并防止对协议参与者的欺骗逼过Proactive安全提供自动恢复功能来保证协议生存周期内秘密的完整性和安全性．使用安全多方计算和同态承诺的零知识证明，实现了所有权验证，在不假设可信方存在的前提下，所提出方案能够在没有太多成员合谋的情况下，完成有效计算并发现不忠实成员．

热化学法闭路循环制氢和氧－新能源开发的研究

本文提出了一个三段热化学循环分解水制氢和氧的方法以及将此三段热化学法改为二段热化学循环分解水制氢和氧的新方法。本三段热化学法由下列三个反应组成：{Cr_2O_3+6KoH=2K_3CrO_4+H_2O+2H_2 6K_3CrO_4+5H_2O=Cr_2O_3+4K_2CrO_4+10KOH 4K_2CrO_4+4KOH=4K_3CrO_4+2H_2O+O_2本二段热化学法由下列二个反应组成：{Cr_2O_3+6KOH=2K_3CrO_4+H_2O+2H_2 2K_3CrO_4+3H_2O=Cr_2O_3+6KOH+O_2上面的三步法和二步法分别通过正交试验，讨论了影响各个反应产率的主要因素，利用最小二乘法在计算机上对试验结果进行了回归分析和方差分析，得到了下面几个数学模型。利用x－光射线粉末衍射对反应产物进行了测定，提出了有关反应机理，并对这两种方法的特点给予了评价。三段法的数学模型：(1)y=-0.8295+1.7681*10~(-6)T~2+7.4750*10~(-2)t+0.2753n (2)y=0.2730+0.5301t+3.2600*10~(-4)V (3)y=-0.1785+2.6999*10~(-4)T+3.5259*10~(-3)t~2+0.3370n二段法的数学模型：(1)y=-0.8295+1.7681*10~(-6)T~2+7.4750*10~(-2)t+0.2753n (2)y=-0.1670+4.3999*10~(-4)T+7.2500*10~(-3)t+1.5599*10~(-3)V式中，T：反应温度（℃）V：水的通水量（ml）n：氢氧化钾的实际加入量与其理论量的比y：转化率t：反应时间（hr）

基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合

提出一种新的基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合技术.在360℃的退火温度下,获得了1.2MPa的键合强度.基于这种低温键合技术,可将外延生长在InP衬底上的In0.53Ga0.47As/InP多量子阱(MQW)键合并转移到GaAs衬底上.X射线衍射表明量子阱的结构未受键合过程的影响.光致发光谱分析表明键合后量子阱的晶体质量略有改善.电流电压特性的测试表明n-InP/n-InP的键合界面具有良好的导电特性;在n-InP/n-GaAs 的键合界面存在着电荷势垒,这主要是由于键合界面存在GaAs氧化物薄层所致.

Ar~+和He~+离子与C_(60)碰撞后富勒希离子的激发机制

C60 在与重离子作用下的激发机制与入射离子能量、质量及电荷态有关。核阻止主要出现在低能重离子与C60 的碰撞中 ;而高能轻离子作用下 ,电子阻止迅速增强 ,成为主要的激发方式。本文中直接观察到由弹性碰撞引起的C+ 峰 ,及其丰度依赖于入射离子的质量。同时我们还发现电子阻止随入射离子能量 (7～ 2 0keV)增大相应增加 ,这与绝热量子分子动力学计算的结果一致。