基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合
| Data(s) |
2005
|
|---|---|
| Resumo |
提出一种新的基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合技术.在360℃的退火温度下,获得了1.2MPa的键合强度.基于这种低温键合技术,可将外延生长在InP衬底上的In0.53Ga0.47As/InP多量子阱(MQW)键合并转移到GaAs衬底上.X射线衍射表明量子阱的结构未受键合过程的影响.光致发光谱分析表明键合后量子阱的晶体质量略有改善.电流电压特性的测试表明n-InP/n-InP的键合界面具有良好的导电特性;在n-InP/n-GaAs 的键合界面存在着电荷势垒,这主要是由于键合界面存在GaAs氧化物薄层所致. 提出一种新的基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合技术.在360℃的退火温度下,获得了1.2MPa的键合强度.基于这种低温键合技术,可将外延生长在InP衬底上的In0.53Ga0.47As/InP多量子阱(MQW)键合并转移到GaAs衬底上.X射线衍射表明量子阱的结构未受键合过程的影响.光致发光谱分析表明键合后量子阱的晶体质量略有改善.电流电压特性的测试表明n-InP/n-InP的键合界面具有良好的导电特性;在n-InP/n-GaAs 的键合界面存在着电荷势垒,这主要是由于键合界面存在GaAs氧化物薄层所致. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:04:14导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:04:14Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4431.pdf: 326561 bytes, checksum: 1669426ac7ebbaeb87d5d947d9707403 (MD5) Previous issue date: 2005 国家自然科学基金重大项目,国家高技术研究发展计划,国家重点基础研究发展计划 北京邮电大学;中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金重大项目,国家高技术研究发展计划,国家重点基础研究发展计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
黄辉;王兴妍;王琦;陈斌;黄永清;任晓敏;孙增辉;钟源;高俊华;马骁宇;陈弘达;陈良惠.基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合,半导体学报,2005,26(8):1667-1670 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
