Electron irradiation induced defects in high temperature annealed InP single crystal

Electron irradiation induced defects in InP material which has been formed by high temperature annealing undoped InP in different atmosphere have been studied in this paper. In addition to Fe acceptor, there is no obvious defect peak in the sample before irradiation, whereas five defect peaks with activation energies of 0.23 eV, 0.26 eV, 0.31 eV, 0.37 eV and 0.46 eV have been detected after irradiation. InP annealed in P ambient has more thermally induced defects, and the defects induced by electron irradiation have characteristics of complex defect. After irradiation, carrier concentration and mobility of the samples have suffered obvious changes. Under the same condition, electron irradiation induced defects have fast recovery behavior in the FeP2 ambient annealed InP. The nature of defects, as well as their recovery mechanism and influence on material property have been discussed from the results.

SiO2/Ta interface reaction in magnetic multilayers and its influence on Ta buffer layers

Ta is often used as a buffer layer in magnetic multilayers. In this study, Ta/Ni81Fe19/Ta multilayers were deposited by magnetron sputtering on sing-crystal Si with a 300-nm-thick SiO2 film. The composition and chemical states at the interface region of SiO2/Ta were studied using the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and peak decomposition technique. The results show that there is an 'inter-mixing layer" at the SiO2/Ta interface due to a thermodynamically favorable reaction: 15 SiO2 + 37 Ta = 6 Ta2O5 + 5 Ta5Si3. Therefore, the Ta buffer layer thickness used to induce NiFe (111) texture increases.

一种基于PDCA的软件过程控制与改进模型

CMM/CMMI(capabilitymaturitymodel/CMMintegration)自1999年开始为中国软件企业所接受并逐步得以推广,但目前中国实施CMM/CMMI的企业还不多,有些企业实施效果并不理想.通过调查软件企业在实施CMM/CMMI过程中存在的问题,并对发现的问题及其负面影响进行分析,提出了基于PDCA(plan-do-check-action)的软件过程控制与改进模型,开发了SoftPM软件质量管理平台.该平台的广泛应用表明,该模型对提高CMM/CMMI的企业软件过程的效率和改善实施效果很有帮助.

高温退火后非掺杂磷化铟材料的电子辐照缺陷

对不同气氛下高温退火非掺杂磷化铟(InP)材料的电子辐照缺陷进行了研究. 除铁受主外，磷化铁(FeP_2)气氛下退火后的InP中辐照前没有深能级缺陷，而辐照后样品的热激电流谱(TSC)中出现了5个较为明显的缺陷峰，对应的激活能分别为0.23 _eV, 0.26 _eV, 0.31 _eV, 0.37 _eV和0.46 _eV. 磷(P)气氛下退火后InP中的热生缺陷较多，电子辐照后形成的缺陷具有复合体特征. 与辐照前相比，辐照后样品的载流子浓度和迁移率产生显著变化. 在同样的条件下，经FeP_2 气氛下高温退火后的InP样品的辐照缺陷恢复速度较快. 根据这些现象分析了缺陷的属性、快速恢复机理和缺陷对材料电学性质的影响.

微结构疏水表面对界面流动的影响

<正>通过MicroPIV/PTV系统测量带有微结构的PDMS微流道(22μm×6μm,长8mm)内的速度分布。流道侧壁的PDMS微结构是通过软光刻微加工工艺制成,其特征宽度在1～10μm范围。为了研究微结构尺寸的影响,我们测量了3种不同尺度微结构对速度分布的影响。示踪粒子为200nm聚苯乙烯荧光粒子。实验管道Re约0.01。

一氧化氮对人肝癌细胞SMMC-7721辐射敏感性的增强效应

目的:观察一氧化氮对肿瘤细胞SMMC-7721辐射敏感性的作用效果。方法:实验于2005-06/09在兰州大学生命科学学院和中科院近代物理研究辐射医学实验室进行。处于对数生长期的肝癌细胞SMMC-7721,在用X射线照射前4h,换入含有0.1mmol/L硝普钠(一氧化氮的前体)的培养液,与对照组(不加硝普钠)一起,在200cGy/min的剂量率下,分别照射0,1,2,4,6,8Gy,换为正常培养液培养。用集落形成法计算细胞的存活率,用吖啶橙/溴乙啶双染法检测细胞的死亡情况,用流式细胞仪检测细胞周期。结果:①存活曲线细胞存活率随照射剂量增加而减少,硝普钠组细胞的克隆形成率低于对照组(2Gy时,P<0.01)。②细胞死亡百分率(坏死细胞与凋亡细胞总数/总细胞数):与照射剂量呈正相关,硝普钠组高于对照组(P<0.05)。对照组从(9.95±3.53)%(0Gy)逐渐升至(58.74±3.46)%(6Gy),而硝普钠组则从(18.53±12.02)%(0Gy)迅速升至(61.57±9.53)%(2Gy)。③细胞周期检测结果:对照组细胞经过X射线照射后,出现了G2/M期阻滞[从0Gy时(12.50±5.76)%逐渐增加到8Gy(40.36±2.74)%],而硝普钠组细胞在低剂量时主要表现为G0/G1期阻滞[0Gy:(16.06±7.19)%;2Gy:(17.93±0.92)%],而G2/M期阻滞仅在高剂量时明显[8Gy时为(50.10±3.93)%,P<0.05]。结论:经硝普钠产生的一氧化氮,通过与X射线协同作用,减少了肝癌细胞SMMC-7721的细胞存活率,促进细胞死亡,阻止细胞被阻滞至G2/M期,是一种有效的辐射增敏剂。

河北木兰围场油松年轮生态学的初步研究

运用树木年轮气候学方法,研究了河北木兰围场油松的生长与气候要素之间的关系.结果表明:油松生长对环境变化十分敏感,以早材最为敏感.5、6月气温与油松生长存在显著的负相关关系;6月的降水和相对湿度对油松早材的生长有促进作用,上年9月到翌年9月的降水对油松生长有更强的促进作用;12月到翌年3月的相对湿度对油松晚材生长的促进作用较干旱和全轮显著;油松的生长与大尺度气候波动存在一定的相关性.1951—2006年间,围场地区增温明显.随气温的升高,油松生长对温度和降水的敏感性下降,且有向相反方向转变的趋势.百年尺度上5—6月平均气温的重建值与观测值差异较大,说明当地油松的宽度生长对气候因子变化的敏感性波动较大.