高温退火后非掺杂磷化铟材料的电子辐照缺陷
| Data(s) |
2007
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|---|---|
| Resumo |
对不同气氛下高温退火非掺杂磷化铟(InP)材料的电子辐照缺陷进行了研究. 除铁受主外，磷化铁(FeP_2)气氛下退火后的InP中辐照前没有深能级缺陷，而辐照后样品的热激电流谱(TSC)中出现了5个较为明显的缺陷峰，对应的激活能分别为0.23 _eV, 0.26 _eV, 0.31 _eV, 0.37 _eV和0.46 _eV. 磷(P)气氛下退火后InP中的热生缺陷较多，电子辐照后形成的缺陷具有复合体特征. 与辐照前相比，辐照后样品的载流子浓度和迁移率产生显著变化. 在同样的条件下，经FeP_2 气氛下高温退火后的InP样品的辐照缺陷恢复速度较快. 根据这些现象分析了缺陷的属性、快速恢复机理和缺陷对材料电学性质的影响. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王博;赵有文;董志远;邓爱红;苗杉杉;杨俊.高温退火后非掺杂磷化铟材料的电子辐照缺陷,物理学报,2007,56(3):1603-1607 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
