VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质

研究了垂直梯度凝固法（VGF法）生长的掺Si低阻GaAs单晶材料的晶格缺陷和性质,并将VGF法和LEC法生长的非掺半绝缘GaAs单晶进行了比较.利用A-B腐蚀显微方法比较了两种材料中的微沉积缺陷,对其形成原因进行了分析.利用荧光光谱研究了掺Si-GaAs单晶中Si原子和B原子的占位情况和复合体缺陷.Hall测量结果表明,掺Si低阻VGF-GaAs单晶中存在很强的Si自补偿效应,造成掺杂效率降低.VGF-GaAs单晶生长过程中高的Si掺杂浓度造成晶体中产生大量杂质沉积,而杂质B的存在加重了这种现象.对降低缺陷密度,提高掺杂效率的途径进行了分析.

室温铁磁性半导体Mn_xGa_(1-x)Sb

采用离子注入、离子沉积及后期退火方法制备了稀磁半导体单晶Mn_xGa_(1-x)Sb，在室温下（300 K）获得了单晶的磁滞回线。用X射线衍射方法分析了铁磁性半导体单晶Mn_xGa_(1-x)Sb的结构，用电化学C-V法分析了单晶的载流子浓度分布。由X射线衍射得知，Mn_xGa_(1-x)Sb中Mn含量逐渐由近表面处的x = 0.09下降到晶片内部的x = 0。电化学C-V测得单晶的空穴浓度高达1 * 10~(21)cm~(-3)，表明Mn_xGa_(1-x)Sb单晶中大部分Mn原子占据Ga位，起受主作用。

多环芳烃降解菌筛选及其降解特性

通过选择性富集培养,从辽河油田稠油污染土壤4号土样中,获得了能以高浓度菲(2000 mg·L-1)为唯一碳源和能源快速生长的优势菌系和优良菌株ZL5.16S rDNA核苷酸序列分析表明,ZL5菌株归类于鞘氨醇单胞菌属.分得的菌系和菌株有较强的降解菲能力,120 h混合菌系降解了投加菲的95.28％,菌株降解了69.24％,但它们对芘的降解能力均较低.外加碳源葡萄糖可提高菌系和菌株的菲、芘降解能力,加量多,提高幅度大,但超过一定量,降解速率开始下降,表现出抑制效应.所以,应用时需控制适宜的浓度.

干旱区典型农业绿洲的景观变化与原因分析

应用 GIS和 RS技术 ,运用 FRAGSTATS格局分析软件 ,从景观破碎度、分维数和分离度等综合分析了河西走廊武威绿洲的景观格局十多年的变化情况。并通过建立景观类型转移矩阵和转换图 ,详细描述了各类型间的转化情况。武威绿洲各项格局指数的变化都可表明人类影响不断加大 ,发生变化最大的在绿洲边缘地带。从人类活动和水资源的变化找到绿洲景观变化的驱动因子 ,并提出了可持续利用的对策。

外源添加物对秸秆还田土壤中无机氮转化影响

采用室内培养方法,研究秸秆不同还田方式土壤中加入无机氮肥和玉米秸秆对无机氮转化的影响。在田间秸秆不同还田处理的土壤中加入氮肥(硫酸铵)培养,初期土壤NH_4~+-N的含量较高,随着培养时间延长,NH_4~+-N的含量下降,培养15天后NH_4~+-N的含量趋于平衡;而土壤中NO_3~--N含量在培养期间逐渐增加,培养30天后NO_3~--N含量趋于平衡;秸秆不同还田处理土壤中添加秸秆培养,粉碎还田处理的土壤中NH_4~+-N的含量在整个培养过程中处于最低,培养后期覆盖还田和高茬还田的土壤NH_4~+-N的含量略有下降。