La-Ba-Cu-Sn-O钙钛矿型多元复合氧化物的制备、组成、结构、电学性质和气敏性质的研究

本文合成了LaBa_2Cu_(3-x)Sn_xO_(6.5) + x (x = 0.2; 0.5; 0.7; 1.0; 1.2; 1.5; 1.7; 2.0; 2.2; 2.5; 2.7; 3.0)系列，2aBaCu_(2-x)Sn_xO_(4.5) + x (x = 0; 0.2; 0.5; 0.7; 1.0; 1.2; 1.5; 1.7; 2.0)系列和La_3Cu_(3-x)Sn_xO_(7.5) + x (x = 0.5; 1.0; 1.5; 2.0; 2.2; 2.5; 2.7)系列等二十八个新复合氧化物。这三个系列二十八个新复合氧化物直至目前为止，文献上未见过报道。我们通过x-ray粉末衍射图分析了它们的结构，肯定了它们是新的单一化合物，计算了它们的晶胞参数并确定它们的所属晶系。元素化学分析表明，所有这些化合物均可用原始计算配比化学式表示。干湿两种合成方法所合成的结构相同。对于这三个系列二十八个瓣复合氧化物，我们选用LaBa_2-Cu_(3-x)Sn_xO_(6.5) = x (x = 0.5;1.0;1.5;2.0;2.5),LaBaCu_(2-x)Sn_xO_(4.5) = x(x = 0.5; 1.0; 1.5;2.0), La_3Cu_(3-x)Sn_xO_(7.5) + x (x = 0.5; 1.0; 1.5; 2.0; 2.5)等十四个化合物，对它们的低温，高温和高湿下的电阻率和导电类型进行了测试，绘得了它们的电阻率和温度的关系曲线。在一定温度下，一个系列内的化合物电阻率随锡的分子含量增加而增大。La_3Cu_(3-x)Sn_xO_(7.5) = x系统人物的电阻率明显大于其它二个系列相应化合物的电阻率。所有化合物在液氮至室温温区内，基本上呈半导体导电类型。在高温以上温区，当温度升至一定温度时之前，化合物呈本导体导电类型达到一定温度之后，当金属导电类型所有新复合氧化物在高温均属P型半导体。本文还研究了这三个系列化合物和将它们掺入二氧化锡中的气敏性能。结果表明：所有这类化合物和将它们掺入二氧化锡中作为添加剂做成的气敏材料，除LaBa_2Cu_(1.5)Sn_(1.5)O_8掺入SnO_2做成的气敏材料外，在本文实验条件下做成的气敏元件对氧化性和还原性气体均无或只有很差的气敏性。LaBa_2Cu_(1.5)Sn_(1.5)O_8作为添加剂掺入SnO_2中(摩尔比0.2:0.8; 0.1:0.9)所制得的气敏文件对高浓度(1%-10%)的一氧化碳，液化气和煤气具有很好的气敏线性响应，当加热电流为300mA时，酒精，汽油和石油醚等还原性气体基本上无干扰。实验表明当摩尔比为0.1:0.9时，材料的气敏性能最佳，但重现性较差，当摩尔比为0.2:0.8时，气敏性稍低，但重现性较好。本文还合成了La_xBa_(1-x)SnO_3(x = 0; 0.05; 0.10; 0.15, 0.20)系列化合物，并确定了它们的结构和所属晶系。从结构上分析我们认该系列化合物相互之间为置换固溶体。其晶胞参数随镧的加入量增加而减小。该系列均属几型半导体材料。我们利用该系列材料进行了过敏性研究。结果表明。由La_(0.1)Ba_(0.9)SnO_3制得的高热式气敏器件对低浓度酒精(<1000 ppm)有很好的气敏线性响应。在加热电流为250 mA时，基本上排除了煤气，一氧化碳，液化气和汽油等可燃性气体的干扰。但香烟烟雾对器件检测酒精有一定的影响。La_(0.1)Ba_(0.9)SnO_3气敏材料多添加1%而制得的器件，机械强度达到很好的效果，器件对酒精的灵敏度有降低，而响应浓度区间宽度增加近一倍，选择性几乎不变。该材料具有较好的实验重现性。该系列的其它化合物在本实验条件下所制得的器件对可燃性气体的敏感性较差。

~(12)C与~(133)Cs反应中Ba同位素的Q_(gg)产额依赖

使用47MeV/u12C离子轰击133Cs靶,由多核子转移反应产生Ba同位素。使用放射化学方法,从133Cs和反应产物中分离出产物Ba,再使用高纯Ge探测器测量Ba放射性同位素的γ活性,根据Ba同位素的活度和其他相关数据,确定Ba同位素的产生截面。通过分析测得的Ba同位素的厚靶平均产生截面,发现缺中子Ba同位素的独立截面不遵从规则的Qgg系统性。该结果可用重离子碰撞中的次级过程加以解释。

从CsCl靶中分离I、Ba和Ce的化学流程

用47MeV/nucleon的12C离子轰击133Cs靶,产生许多种不同元素的同位素。利用经典的化学分离方法,从大量的Cs和其它反应产物混合物中分离出I、Ba和Ce等。使用离线γ谱学方法,完成I、Ba、Ce等样品的γ活性测量。根据每种元素不同同位素的特征γ射线峰的强度和丰度,对I、Ba和Ce等样品中杂质的含量进行分析。结果显示该流程对杂质元素去污的效果是满意的。

60MeV/u~(18)O与~(232)Th反应的Ba同位素产生截面

60MeV/u18O离子与232Th反应产生放射性Ba同位素。通过3次BaCl2沉淀,将Ba从大量的Th和其他反应产物混合物中分离出来。使用离线!谱学方法完成Ba样品!活性的测量。根据各个Ba同位素的特征!射线峰的活度和其他相关数据,得到Ba同位素的产生截面。

~(134)Ba能级结构的在束γ谱学研究

利用在束γ谱学技术 ,通过 12 8Te(10 B ,1p3n) 13 4 Ba反应研究了 13 4 Ba的中、高自旋激发态 .实验中采用 9套BGO(AC)HPGe探测器进行了γ γ t符合测量 .基于γ γ符合关系、γ射线的相对强度和各向异性度的测量结果建立了 13 4 Ba的能级纲图 .比较N =78的同中子素链的负宇称能级结构的系统性 ,发现激发能位于 4 14 2keV ,Jπ 值为 11-的能级很可能是与 13 6Ce具有相似内禀结构特征的相似态

~(136)Ba的10~+同质异能态

利用 450MeV的82 Se束流轰击139La靶 ,通过核子转移反应产生了136 Ba ,用在束γ谱学方法测量了其激发态的γ衰变 ,观测到了它的 1 0 +态同质异能态并得到该同质异能态的寿命为 94ns.

Ba同位素的截面测量

用 60MeV/u18O离子轰击天然铀靶 ,通过2 38U( 18O ,X)反应产生钡的放射性同位素 .使用放射化学分离方法从被照射过的铀靶中分离出Ba ,用HPGeγ射线探测器测量Ba样品的γ射线谱 ,经对所得时间累计谱的处理和分析得到了Ba同位素的产生截面 ,并观察到Ba同位素分布中的双峰分布现象 .

分子镀法制备Ba靶

用铂丝作阳极 ,不锈钢底衬作阴极 ,在异丙醇 -盐酸介质中制备 Ba靶。对影响 Ba电镀的因素——电镀时间和电流密度进行了探讨。通过高纯锗探测器测量 13 3 Ba示踪剂的活性确定 Ba的电沉积效率。结果表明 ,电流密度为 4 .0～ 6 .0 m A/cm2 时 ,通过分子镀沉积 30 min可在不锈钢片上获得均匀、牢固的 Ba镀层 ,其厚度为 0 .5～ 1.0 mg/cm2 。

Ba放射性同位素生成截面的测定

用 60 Me V/u18O离子轰击 2 32 Th靶产生 Ba放射性同位素 ;通过 Ba Cl2 沉淀使 Ba从大量钍靶材料和复杂反应产物混合物中分离并被纯化 ;用 13 3Ba做示踪剂确定 Ba的化学产额 ;通过离线 γ谱测量Ba样品 ;根据每个 Ba同位素的γ射线峰的强度以及相关的核数据计算它们的生成截面。结果显示在中能和厚靶的情况下 ,缺中子 Ba同位素仍有较高的生成截面

Ammonia-treated activated carbon as support of a Ru-Ba catalyst for ammonia synthesis

Ammonia-treated activated carbon has been studied as a support of Ru-Ba catalyst for ammonia synthesis. It is shown that the introduction of nitrogen leads to a decrease of ammonia synthesis activity for the catalysts with a low Ba/Ru molar ratio, while no significant changes are obtained for the catalysts with a high Ba/Ru molar ratio, confirming that electronegative impurities suppress the activity in ammonia synthesis and consume part of the promoters.

Crystal structure of microwave dielectric ceramics Ba[(Mg1-xCdx)(0.33)Nb-0.67]O-3

A series of complex perovskite solid solutions of Ba[(Mg1-xCdx)(0.33)Nb-0.67]O-3 have been synthesized by the columbite method. Detailed Rietveld refinement of their X-ray diffraction data show that Ba[(Mg1-xCdx)0(.33)Nb(0.67)]O-3 has an order trigonal structure. The ordering degree as determined by the B-site occupancies increases with the partial substitution of Cd for Mg.