Ba放射性同位素生成截面的测定
| Data(s) |
20/05/2000
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| Resumo |
用 60 Me V/u18O离子轰击 2 32 Th靶产生 Ba放射性同位素 ;通过 Ba Cl2 沉淀使 Ba从大量钍靶材料和复杂反应产物混合物中分离并被纯化 ;用 13 3Ba做示踪剂确定 Ba的化学产额 ;通过离线 γ谱测量Ba样品 ;根据每个 Ba同位素的γ射线峰的强度以及相关的核数据计算它们的生成截面。结果显示在中能和厚靶的情况下 ,缺中子 Ba同位素仍有较高的生成截面 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
杨维凡,袁双贵,熊兵,徐岩冰,何建军,潘强岩,王栋,李英俊,马桃桃,杨振国.Ba放射性同位素生成截面的测定, 同位素, 2000-05-20, 2000( 02):73-77 |
| Palavras-Chave | #Ba放射性同位素 #放射化学分离 #生成截面 |
| Tipo |
期刊论文 |