双δ掺杂In_(0.65)Ga_(0.35)As/In_(0.52)Al_(0.48)As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究

研究了基于InP基的In_(0.65)Ga_(0.35)As/In_(0.52)Al_(0.48)As赝型高迁移率晶体管材料中纵向磁电阻的Shubniko-de Haas (SdH)振荡效应和霍耳效应,通过对纵向磁电阻SdH振荡的快速傅里叶变换分析,获得了各子带电子的浓度,并因此求得了各子带能级相对于费米能级的位置.联立求解Schrodinger方程和Poisson方程,自洽计算了样品的导带形状、载流子浓度分布以及各子带能级和费米能级位置.理论计算和实验结果很好符合.实验和理论计算均表明,势垒层的掺杂电子几乎全部转移到了量子阱中,转移率在95%以上.

溶胶-凝胶法制备纳米Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3

以醋酸铅 ,硝酸氧锆 ,钛酸四丁酯为原料用溶胶 -凝胶法制备了纳米 Pb( Zr0 .52 Ti0 .48) O3 ( PZT)。结果表明 ,随溶剂中乙二醇单甲醚与水的比例的增大 ,PZT粉体的晶化温度增高 ,晶粒的粒径尺寸也增大 ,当V( C3 H8O2 ) / V( H2 O) =4 .4 7时 ,不仅凝胶完成时间短 ,且可得到粒度分布集中、晶化温度低的 PZT粉体。用原子力显微镜测定 PZT的粒径为 6 0～ 70 nm,用 TG-DTA分析确定在 4 43℃即可发生晶化反应 ,在 5 0 0℃下结晶完善。通过对不同温度下热处理的粉体的红外光谱和 X射线衍射的分析 ,对溶胶 -凝胶法制备 PZT粉体形成钙钛矿结构的过程进行了研究。