~(19)F+~(27)Al耗散反应产物激发函数的长程关联

在中国原子能科学研究院的HI-13串列静电加速器上完成了19F+27Al耗散反应产物的激发函数测量。束流19F的入射能量从110.25MeV到118.75MeV,步长250keV,测量了实验室系+57°,+31°,-15°和-29°出射的类弹产物B,C,N,O,F和Ne的激发函数。观测到激发函数具有耗散反应的特征涨落结构,分析了激发函数之间的长程角度关联以及强烈的电荷数关联。

高电荷态离子入射Al表面库仑势对靶原子特征谱线强度的影响

用同一动能(150keV)而不同电荷态的40Arq+(8≤q≤16)离子入射金属Al表面,靶原子受激辐射产生特征光谱线.实验结果表明:高电荷态离子与金属表面相互作用过程中,经过与靶原子碰撞(Penning碰撞)交换动能和共振电子俘获(resonant capture)释放库仑势能,将携带的能量沉积于靶表面,使靶原子激发.这种激发不同于光激发,它不仅激发了原子复杂电子组态之间的跃迁,而且跃迁辐射的特征谱线强度增强的趋势与入射粒子的库仑势能随其电荷态增加的趋势一致.

~(19)F+~(27)Al耗散反应中双核系统的转动与形变

测量了19F+27Al耗散反应产物B,C,N,O,F和Ne的激发函数,入射束流的能量从110．25MeV 到118．75MeV,能量步长为250keV．从产物的能量自关联函数中提取了反应中所形成的中间双核系统的转动惯量,与相粘模型计算的刚体转动惯量相比较,结果表明形成的双核系统有大的形变．

~(19)F+~(27)Al耗散反应产物截面测量中的不重复性

在中国原子能科学研究院的HI-13串列静电加速器上完成了114MeV和118．75MeV的19F+27Al 耗散反应产物B,C,N,O,F,Ne,Na和Mg的微分截面测量．条形27Al同位素靶的大小尺寸为 10mm×50mm,平均厚度约67μg／cm2．固定入射束流19F的能量,通过移动靶位,先后轰击了靶上20个不同的位置．实验结果表明,在弹靶系统、入射能量以及探测系统都相同的多次独立的微分截面测量中,截面的涨落不呈现高斯型几率分布．截面测量的这种不重复现象难以用有限计数率的统计性质来解释．

(19)~F+(27)~Al耗散反应中双核系统的转动与衰变

测量了19F+27Al耗散反应产物B,C,N,O,F和Ne的激发函数,入射束流的能量从110.25MeV 到118.75MeV,能量步长为250keV.用能量自关联函数方法从激发函数中提取了各反应产物的平均衰变宽度,利用同时考虑反应中所形成的中间双核系统的转动特性和衰变特性而发展了的Ericson核反应统计理论,讨论了19F+27Al耗散反应中双核系统随时间的演化过程.

~(19)F+~(27)Al反应产物的角分布、角分散与耗散机制

完成了114MeV19F+27Al深部非弹性碰撞产物的角分布测量.分析了反应产物B,C,N,O,F,Ne,Na,Mg和Al的实验室系角分布,讨论了反应形成的中间双核系统随时间演化过程中角分布所表现出的耗散特点.从实验上提取了反应产物各元素的角分散参数并作了角分散参数的理论拟合,讨论了角分散参数的物理意义以及角分散参数与耗散反应产物的电荷数Z之间的依赖关系.

~(19)F+~(27)Al深部非弹性碰撞产物的角分布

完成了19F+27Al深部非弹性碰撞产物的角分布测量.初步分析了反应产物B,C,N,O,F,Ne,Na,Mg和Al的实验室系角分布,展现出深部非弹性反应机制的特点,显示了反应系统随时间的演化过程.

~(126)Xe~(q+)轰击Al表面产生的原子和离子光谱线

报道了高电荷态离子12 6Xeq + (6≤q≤ 30 )入射到固体Al表面产生的 2 0 0～ 10 0 0nm波段的发射光谱的实验结果。实验表明 ,在弱束流 (nA量级 )高电荷态的情况下 ,通过入射离子与固体靶的相互作用可有效地产生原子和离子的复杂组态间跃迁所形成的可见光波段的特征谱线 ,而且当入射离子的电荷剥离数超过一临界值后 (对Al,q=2 6 ) ,谱线相对强度突然显著增强。根据经典过垒模型COB(Theclassicover barriermodel) ,在入射离子的动能较小 (～ 1keV/u)的条件下 ,高电荷态离子与表面相互作用过程中电子的俘获或转移起着非常重要的作用 ,通过提高入射离子的电荷态可增强入射离子俘获电子的能力 ,显著增强激发粒子的光谱线的强度。

~(40)Ar~(10+)轰击Al和Si固体表面形成的200～1000nm光谱

报道了利用兰州重离子加速器国家实验室ECR离子源提供的高电荷态离子~(40)Ar~(10+)入射到Al和p型Si表面所产生的Al,Si,Ar原子的200～1000nm特征光谱的实验测量结果。结果表明,低速高电荷态离子与团体表面原子相互作用可有效地激发靶原子和靶离子的特征谱线,而且由于发射二次电子的无辐射退激与辐射光子退激过程的竞争,使得在p型Si表面上Ar原子的光谱强度总体大于在Al表面上的光谱强度。

~(23)Al 的β~+延发质子测量

利用ＴＯＦ－ Ｅ和０°注入探测器的方法，鉴别并测量了２３Ａｌβ＋延发质子衰变能谱，通过精密脉冲发生器和计数器测得２３Ａｌ的半衰期 Ｔ１／２＝（４７６±４５）ｍｓ．实验中重现了能量为０．２１６，０．２７８，０．４３８，０．４７９ＭｅＶ的低能衰变质子．另外，还观察到了一个新的β＋延发衰变能级 Ｅｘ＝ ８．９１６ＭｅＶ，并给出了它们的相对强度．

~(27)Al+~(27)Al重离子耗散碰撞中能量自关联函数的分析

测量了2 7Al+ 2 7Al耗散反应产物的激发函数 ,束流2 7Al8+的入射能量从1 1 4MeV到 1 2 7MeV变化 ,能量步长为 2 0 0keV .探测角度覆盖了实验室系1 0°— 57°的连续区域 .用不同的理论模型分析了耗散产物的能量自关联函数 .结果表明 ,反应所形成的中间双核系统的阻尼相干转动造成了激发函数中不可平滑的涨落结构 ,相干转动的阻尼来自量子混沌运动

~(27)Al+~(27)Al耗散反应截面涨落的角度关联测量

在2 7Al+ 2 7Al(Elab≈ 1 2 0MeV)耗散反应激发函数涨落的实验研究中 ,首次在较大的角度范围内获得截面涨落的角度关联系数和角度关联函数 .实验结果表明 ,角度关联函数的形状呈现明显的非对称性 ,角度相干宽度至少为 4 0°;截面涨落在前后角区表现出明显不同的角度相关性 .