MALDI-TOF质谱技术在高聚物分析中的应用及新基质的筛选

利用MALDI-TOF质谱研究了非极性高聚物PS，通过此研究获得了PS的分子量、分子量分布和重复单元等信息。同时利用同位素分析和PSD-MALDI-TOF质谱证明了[M+Ag3]+的存在。并在此基础上，推断出了PS的端基结构信息，这在大分子高聚物端基分析方面尚属首次。 利用MALDI-TOF质谱研究了MALDI条件下四种黄酮类化合物在银簇合离子形成过程中的作用以及影响。结果表明，有机物中对紫外区激光有较强吸收的不饱和结构、影响有机物离子化的基团以及影响π-d共轭的空间位阻效应的基团都是影响银簇合离子形成的重要因素。 利用MALDI-TOF质谱结合PSD-MALDI-TOF碎片信息对两嵌段共聚物MPEG-PCL进行了研究。准确地分析了嵌段共聚物的嵌段长度和嵌段分布情况，为更好地认识和应用这类嵌段共聚物提供了重要的依据，同时也建立了分析这类嵌段共聚物的方法。 利用MALDI-TOF 质谱对具有特异物化性能的共聚物—超支化聚酯酰胺进行了研究。通过对质谱结果的分析，揭示了聚合过程中出现的多种现象及产生这些现象的原因，这对优化此类超支化聚酯酰胺的反应条件有着非常重要的意义。 结合基质的应用现状和作为基质应具备的条件，对六种含有酚羟基的弱酸性黄酮类化合物进行了筛选研究。讨论了它们成为基质的可能性以及它们在MALDI-TOF质谱实验中的应用表现，确定了其中四种黄酮类化合物可以作为有效的基质。 总结了MALDI-TOF质谱分析特殊样品的思路与经验，有些种类的样品是首次得到成功地分析。这对从事MALDI-TOF质谱分析的工作者有一定的参考价值，同时也对开拓MALDI-TOF质谱分析的应用范围有着极其重要的意义。

Catalytic Activation of Mg-Doped GaN by Hydrogen Desorption Using Different Metal Thin Layers

The annealing of Mg-doped GaN with Pt and Mo layers has been found to effectively improve the hole concentration of such material by more than 2 times as high as those in the same material without metal. Compared with the Ni and Mo catalysts, Pt showed good activation effect for hydrogen desorption and ohmic contact to the Ni/Au electrode. Despite the weak hydrogen desorption, Mo did not diffuse into the GaNepilayer in the annealing process, thus suppressing the carrier compensation phenomenon with respect to Ni and Pt depositions, which resulted in the high activation of Mg acceptors. For the GaN activated with the Ni, Pt, and Mo layers, the blue emission became dominant, followed by a clear peak redshift and the degradation of photoluminescence signal when compared with that of GaN without metal.