721 resultados para Yb:Y2O3
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Diode-pumped passively mode-locked laser operation of Yb3+,Na+:CaF2 single crystal has been demonstrated for the first time. By using a SESAM ( semiconductor saturable mirror), simultaneous transform-limited 1-ps passively mode-locked pulses, with the repetition rate of 183MHz, were obtained under the self-Q-switched envelope induced by the laser medium. The average output power of 360mW was attained at 1047nm for 3.34W of absorbed power at 976nm, and the corresponding pulse peak power arrived at 27kW, indicating the promising application of Yb3+,Na+-codoped CaF2 crystals in achieving ultra-short pulses and high pulse peak power. (c) 2005 Optical Society of America.
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Intense room-temperature near infrared (NIR) photoluminescence (980 nm and 1032 nm) is observed from Yb,Al co-implanted SiO2 films on silicon. The optical transitions occur between the F-2(5/2) and F-2(7/2) levels of Yb3+ in SiO2. The additional Al-implantation into SiO2 films can effectively improve the concentration quenching effect of Yb3+ in SiO2. Photoluminescence exitation sprectroscopy shows that the NIR photoluminescence is due to the non-radiative energy transfer from Al-implantation-induced non-bridging oxygen hole defects in SiO2 to Yb3+ in the Yb-related luminescent complexes. It is believed that the defect-mediated luminscence of rare-earth ions in SiO2 is very effective.
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A passively Q-switched Yb: YAG microchip laser has been constructed by using a doped GaAs as the saturable absorber as well as the output coupler. At 13.5 W of pump power the device produces high-quality 3.4 muJ 52 ns pulses at 1030nm with a pulse repetition rate of 7.8kHz in a TEM00-mode.
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目前,国内外对于铕和铽等稀土配合物的可见区发光和应用都有大量研究,但对具有近红外发光(800-1700 nm)性能的稀土配合物的研究还处于起步阶段。由于稀土的近红外发光在光纤通讯、激光系统及诊断学等方面应用具有特殊的优点,越来越引起人们的兴趣和重视。 稀土近红外发光配合物的致命弱点是其光、热和化学稳定性较差,从而限制了其在很多领域的实际应用。而溶胶-凝胶材料和介孔材料具有良好的光、热和化学稳定性,能改善客体分子的结构环境和化学微环境,从而能有效提高客体分子的发光性能。因此,本论文将具有优良近红外发光性能的稀土配合物分别与上述两种基质复合,从实验和理论研究稀土近红外发光杂化材料的性能和应用价值,制备出具有良好稳定性的高效稀土近红外发光杂化材料,以期为光纤通讯、激光等领域提供潜在的候选材料。围绕这一宗旨,开展了如下工作: 通过原位技术分别得到了掺杂和嫁接[Ln(dbm)3phen]化合物(Ln = Er, Nd, Yb)的杂化凝胶材料,Ln-D-P gel和Xerogel-Ln。通过对其近红外发光性能的研究,表明材料中配体能很好的保护稀土离子,并将能量有效的传递给稀土离子。采用Judd-Ofelt理论对所得部分材料进行了光谱分析,基于实验数据和理论分析表明其具有潜在的光放大和激光应用价值。 选择了两种含全氟化烷基链的β-二酮配体Hhfth和Htfnb,通过功能化的phen-Si配体,将三元配合物[Ln(hfth)3phen] (Ln = Er, Nd, Yb, Sm)和[Pr(tfnb)3phen]成功共价嫁接到介孔MCM-41和SBA-15杂化材料中,得到的衍生材料Ln(hfth)3phen–MCM-41、Pr(tfnb)3phen–MCM-41和Ln(hfth)3phen–SBA-15、Pr(tfnb)3phen–SBA-15都保持了高度有序的介孔p6mm结构,并展现出稀土离子特征的近红外发射。所得稀土配合物功能化的材料的发射光谱能完全覆盖对光通讯极具应用价值的1300-1600nm区域。 通过对Er(dbm)3phen–M41(X, Y) (X = 1~14, Y = 3, 6, 12, 18, 24 h)材料系统的比较研究,选择了X = 12, Y = 6作为合成目标材料的优化参数,通过功能化的phen-Si配体将[Ln(dbm)3phen]配合物共价嫁接于有序介孔MCM-41和SBA-15中(Ln = Er, Nd, Yb),所得两类材料Ln(dbm)3phenM41和Ln(dbm)3phenS15都保持了很好的介孔有序性,并具有良好的近红外发光性能。通过对Ln(dbm)3phenM41和Ln(dbm)3phenS15两类材料发光行为的比较,以及两类材料中稀土离子的含量及孔结构的分析,推出以SBA-15为载体得到的材料在相对发光强度和荧光寿命上,均比以MCM-41为载体的材料有所提高。 通过对8-羟基喹啉配体进行改性,合成了具有双功能的配体Q-Si,继而合成了共价嫁接8-羟基喹啉衍生物的介孔杂化材料Q–SBA-15,其形貌均一,并具有高度有序的介孔p6mm结构。通过配体交换反应,得到了嫁接稀土喹啉配合物的具有近红外发光性能的介孔杂化材料LnQ3–SBA-15 (Ln = Er, Nd, Yb),其仍然保持高度有序的介孔结构,且外形呈现与母体材料Q–SBA-15相似的弯曲圆柱状。激发配体的吸收,LnQ3–SBA-15材料都分别展现出相应稀土离子特征的近红外发射,并详细分析和讨论了所得介孔杂化材料的近红外发光性能。
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本文分另研究了H[DEHP]从不同酸性介质中萃取稀土(III)(Sc、Y、Ho、Er、yb、Lu)及Fe(III)、Zn(II)的机理及性能。一、H[DEHP]从 H_2SO_4介质中萃取Sc(III)的机理 1. H[DEHP]萃取H_2SO_4及其机理 2. H[DEHP]萃取Sc(III)的机理,用斜率法和饱和法确定了H[DEHP]的正庚烷溶液从H_2SO_4溶液中萃取Sc_2(SO_4)_3的机理及萃合物组成。研究表明,H[DEHP]萃取Sc(III)在高、低两种酸度范围内存在着两种不同的萃取机理。二、H[DEHP]从HCl介质中萃取Ln(III)和Fe(III)的性能及H[DEHP]萃取Ln(III)的机理研究了H[DEHP]的正庚烷溶液从HCl介质中萃取稀土(III)(Sc、Y、Ho、Er、Yb、Lu)和Fe(III)的性能,得出H[DEHP]在相同条件下萃取以上各金属离子的顺序是:Sc(III)>Fe(III)>Lu(III)>Yb(III)>Er(III)>Y(III)>Ho(III), 并计算了各金属离子之间的分离因素(β)。文中还讨论了Sc(III)、Fe(III)、Lu(III)之间的分离以及重稀土离子间的萃取分离,同时与相同实验条件下HEH[EHP]的萃取性能进行了比较,为新的萃取体系提供了一些参数。三、H[DEHP]从不同介质中萃取Fe(III)的机理,研究了H[DEHP]的正率烷溶液从Hcl介质中和H[DEHP]的正庚烷溶液从H_2SO_4介质中萃取Fe(III)的平衡规律;用斜率法、饱和法以及IR和NMR谱等讨论了低酸度下的萃取机理。四、H[DEHP]萃取Zn(II)的机理,研究了H[DEHP]的正率烷溶液从Hcl介中萃取Zn(II)的平衡,利用斜率法、饱和法及SR、NMR谱等讨论了低Hcl浓度下的萃取机理。