GSMBE 生长掺杂 Si 及GeSi/Si合金及其电学性质研究

用气态源分子束外延法对Si及GeSi/Si合金进行了N、P型掺杂研究，结果表明，杂质在外延层中的掺入行为取决于生长过程中乙硅烷与相关掺杂气体的竞争吸附与脱附过程，所获得的N型及P型载流子浓度范围分别为1.5×10~(16)～4.0×10~(19)cm~(-3)及1.0×10~(17)～2.0×10~(19)cm~(-3),基于对n型Si外延材料中迁移率与杂质浓度、温度的关系，用Klaassen模型对实验结果进行拟合，分析了不同散射机制，特别是少数载流子电离散射对迁移率的影响。此外，样品的二次离子谱及扩展电阻分析表明，N、P型杂质浓度纵向分布较为均匀，无明显的偏析现象。

Transport properties through quantum dot in a vertical electric field

The transport properties through a quantum dot are calculated using the recursion method. The results show that the electric fields can move the conductive peaks along the high- and low-energies. The electric field changes the intensity of conductance slightly. Our theoretical results should be useful for researching and making low-dimensional semiconductor optoelectronic devices. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

构筑湿地部分亚硝化－厌氧氨氧化自养脱氮研究

废水部分亚硝化—厌氧氨氧化自养脱氮研究是目前废水生物脱氮领域研究的热点。为了开发低浓度小城镇废水构筑湿地可持续自养脱氮新工艺，提高脱氮效率，减少占地面积，论文在对构筑湿地自养脱氮前置部分工作性能进行研究的基础上，在法国东部Evieu构筑湿地污水处理场对传统脱氮工艺及改进用于部分亚硝化—厌氧氨氧化脱氮的工艺进行了对比实验研究。 研究结果表明，采用改进的非饱和层(25cm)与饱和层(55cm)结合的湿地床与60cm深度的水平流构筑湿地床组合工艺，进行着完全不同于传统垂直流构筑湿地硝化与水平流构筑湿地反硝化的脱氮反应。氮平衡分析表明，这一脱氮过程是以厌氧氨氧化反应为主的脱氮反应。经分子生物学荧光免疫原位杂交（Fluorescent in situ hybridization, FISH）技术鉴定，证明了传统的垂直流构筑湿地以好氧氨氧化细菌为主，但厌氧氨氧化细菌与之共存；而在改进的湿地床及后续水平流湿地床低氧环境则是以厌氧氨氧化细菌为主。论文首次为构筑湿地系统在自然条件下通过合理设计实现厌氧氨氧化自养脱氮提供了可行的实验证据。实验研究得出如下主要结论： 1. 构筑湿地可通过合理设计促进自养脱氮反应实现；传统硝化反硝化脱氮工艺VF1-1+HF3-2总氮平均去除率为66.3%，VF1-3+HF3-2总氮平均去除率为59.4%，而改进后的VF1-2+HF3-2总氮平均去除率为71.0%；含有厌氧氨氧化自养脱氮反应的工艺提高了总氮去除率； 2. 构筑湿地自养脱氮反应过程不排斥异养反硝化作用存在，两者协同进行脱氮，脱氮效果稳定；而全程硝化的出水在水平流构筑湿地进行传统反硝化脱氮的同时，会存在异化性硝酸盐还原作用，使出水的氨氮浓度增加； 3. 构筑湿地具有较好的蓄积培养厌氧氨氧化细菌的能力，在19.7℃的进水水温条件下启动反应装置，运行培养100天即观察到所需要的生物体颜色呈棕红色；调整pH至适宜厌氧氨氧化反应的范围6.81-7.18；控制氧化还原电位Eh值在-148.34至120.18mV；反应装置进水的氨饱和，并且稳定进水水力负荷在构筑湿地污染物去除能力范围内以及为避免外环境因素如降雨量过大等对反应装置造成的冲击，设置缓冲装置等，是构筑湿地实现自养脱氮主要控制的工艺参数； 4. 水力停留时间设计为5天的水平流构筑湿地HF3-3更适合传统反硝化脱氮工艺；水力停留时间的延长并不能使厌氧氨氧化工艺进一步提高脱氮效率，采用厌氧氨氧化自养脱氮工艺为减少构筑湿地占地面积提供了可能。