高超声速喷管非平衡尺度效应的数值分析

采用轴对称热化学非平衡全N-S方程,数值分析了高超声速喷管流场中非平衡引起的尺度效应.并给出计算条件下喷管轴线上的物理量和化学组元分布.计算结果表明,在喉部下游不远处流动趋近于化学冻结和热力冻结状态.流场(特别是核心无粘流区)的特性不仅取决于流动尺度的相对值,也取决于其绝对值.

飞秒脉冲通过散射表面后的时域特性

从理论上和实验上对飞秒激光脉冲通过散射表面后的时域特性进行了研究分析。用频率分辨光学开关法对通过散射表面前后的飞秒脉冲进行了测量和对比。理论分析和实验结果表明, 由于散射表面对飞秒脉冲的散射导致飞秒脉冲的展宽和形状的畸变。输入脉冲在时间相关函数的半峰全宽为64 fs; 透射脉冲在时间相关函数半峰全宽的平均值为117 fs。对透射脉冲场的统计特性进行了讨论, 透射脉冲场实部和虚部的概率函数分布遵从高斯函数分布; 强度的概率分布遵从指数分布规律; 给出了入射飞秒脉冲强度的自相关函数分布和飞秒时域散斑场强度的互相关函数分布的实验结果, 并且对二者的时间相关函数进行了讨论。

灵长类和反刍动物生长激素受体的快速进化

在大部分哺乳动物的进化历程中, 垂体生长激素的进化非常缓慢, 各类群之间没有很大的差别, 但在灵长类和反刍动物的进化过程中却出现了明显的快速进化, 即所谓“插曲式”的进化模式. 我们获 得了4 种灵长类动物的生长激素受体的膜外区序列, 并结合已有的序列数据进行系统的进化分析, 结果 表明, 哺乳动物生长激素受体也经历了一种类似垂体生长激素的所谓“插曲式”的进化模式. 考虑到垂 体生长激素的生物学效应需要通过其受体的介导才能实现, 结合相关性分析的结果, 推测垂体生长激 素受体的这种进化模式可能是与垂体生长激素发生了协同进化的结果.垂体生长

温度和培养体积对大型溞种群动态和两性生殖影响的研究

研究了5个培养体积(50、100、200、400、1000 mL)和2个温度(20℃、25℃)下大型溞(Daphnia magnaStraus)种群动态和两性生殖的变化,结果表明:(1)在相同培养体积下,随温度升高,大型溞首次抱卵时间缩短、首次产幼溞时间提前。在相同温度下,大型溞首次抱卵体长随培养体积的增大而增大。20℃和25℃下,1000 mL组大型溞首次抱卵体长分别是(2.54±0.02)mm和(2.71±0.01)mm。(2)在一定时间内,大型溞种群数量快速增加。但在较小培养体积下大型溞种群增长明显

抚仙湖子陵吻鰕虎鱼繁殖策略的可塑性研究

通过比较子陵吻鰕虎鱼的一个入侵种群(抚仙湖)和两个原产种群(巢湖和洞庭湖)的繁殖策略的异同,研究了该物种在被引入抚仙湖后所作出的繁殖策略上的变化。入侵种群的产卵时间为7—10月份,产卵持续时间长达4个月;而两个原产种群的产卵时间均为7—9月份,产卵持续时间达3个月。三个种群的个体相对繁殖力分别为2826.5±827.4(抚)、3657.9±366.5(巢)和3592.2±1160.5(洞)粒/g,两个原产种群之间无显著差异(p>0.05),而入侵种群的相对繁殖力显著下降(p<0.05)。另外,入侵种群的月

略论我国长江渔业资源的法律保护

从我国长江渔业资源管理角度出发,全面阐述了我国在加强管理的同时,着重在立法上从不同层面直接或间接地加大了长江渔业资源的保护力度,初步形成了长江渔业资源保护法律体系,从而有效遏制了长江渔业资源不断遭到破坏的趋势,最大限度保证其可持续利用。阐述了长江渔业资源现状、地位及破坏长江渔业资源的几种因素、相关的法律规定以及它们相互之间的关系,一方面肯定长江渔业资源保护法律体系在保护长江渔业资源方面所发挥的作用,另一方面也指出其不足之处。长江渔业资源在整个社会经济生活中所处的地位及立法工作的不完善,决定了长江渔业资源保

银鲫卵对两类精核发育的初级控制作用模式的研究

通过对银鲫(雌核发育型)和红鲤、红鲫、转性红鲤(两性融合发育型)两类精子在雌核发育银鲫卵中的不同发育行为的比较研究,初步证实银鲫卵的初级控制对精核发育的抑制作用具有选择性:对同源精子,初级控制呈负抑制作用模式,精核可以在银鲫卵中不同程度的发育;而对异源精子,初级控制呈正抑制作用模式,精核处于固缩状态.两类精核在银鲫卵质中的特殊发育行为可能与银鲫种群中性比的变化存在着某种关系,雄性银鲫的出现可能与“精核遗传物质”的随机渗入有关。

高温退火处理提高半绝缘VGF-GaAs单晶的电学性能

垂直梯度凝固法（VGF）生长的低位错半绝缘（SI）GaAs单晶存在电阻率和迁移率低、电学补偿度小、均匀性差等问题.在3种不同温度条件下,对VGF-SI-GaAs晶片进行了加As压的闭管退火处理.结果表明,经过1160℃/12h的高温退火处理后,VGF-SI-GaAs单晶的电阻率、迁移率和均匀性均得到了显著提高.利用Hall、热激电流谱（TSC）、红外吸收法分别测试分析了原生和退火VGF-SI-GaAs单晶样品的电学性质、深能级缺陷、EL2浓度和C浓度,并与常规液封直拉法（LEC）SI-GaAs单晶样品进行了比较.原生VGF-SI-GaAs单晶中的EL2浓度明显低于LEC-SI-GaAs单晶,经过退火处理后其EL2浓度显著增加,电学补偿增强,而且能级较浅的一些缺陷的浓度降低,因而有效提高了其电学性能.

折射微光学结构出射复杂光学波前

通过单掩模紫外(UV)光刻、感应耦合等离子体(ICP)刻蚀及KOH:H_2O化学腐蚀,在硅片上制作5×5元面阵硅折射微光学结构.通过电化学方法将制成的硅精细图形结构转换成镍版,进而通过压制法将精细的镍版图形进一步转印到有机玻璃材料上,从而制成面阵光学波前出射结构.光刻版由结构尺寸在微米量级的大量微孔组成,其特征尺度和排布方式由算法生成.微形貌测试显示了制作的折射微光学波前出射结构具有预期的表面形貌特征.通过常规光学测试,比较和分析了出射复杂波前的情况.

1550nm偏振不灵敏半导体光放大器的研制

研制了有源区为InGaAs张应变体材料的1．55μm偏振不灵敏半导体光放大器（SOA）。采用束传播法计算了偏离镜面垂直方向7°的埋层波导结构模式场分布，并用平面波展开法设计了多层抗反射膜，在TE模和TM模反射率同时小于10^-4时膜厚允许误差为3％。对放大自发发射谱（ASE）和增益谱的分析表明，他们具有基本一致的偏振灵敏度。对一腔长800μm的SOA在注入电流250mA时，测量得出TE模和TM模的ASE谱偏振灵敏度小于0．5dB，增益谱3dB带宽为63nm，1550nm处光纤到光纤增益为11．9dB，3dB饱和输出功率为5．6dB，在1570nm处的噪声指数为7．8dB。而一腔长1000μmSOA耦合封装后得到的最大增益为15dB。