Las agencias de calificación crediticia (Las hijas de Elena: La triple a)

En este trabajo, en primer lugar, se analiza la estructura (accionariado), funcionalidad (cómo funcionan y emiten sus opiniones) y el comportamiento (cómo actúan en los mercados) de las tres agencias más importantes de calificación de activos financieros, de emisores y emisiones de activos financieros. En segundo término, se señalan sus poco, si algo, científicas evaluaciones basadas en conceptos y actuaciones tan poco adecuadas como: profecía autocumplida, carencia de fecha de caducidad, catastrofismo, que, a veces, imponen con comportamientos gansteriles. Asimismo, se destaca la importancia y trascendencia que suponen las opiniones que emiten dichas agencias, auténticos ucases, que las convierten, de facto, en auténticos señores de horca y caudillo que acondicionan la vida y hacienda de inversores y emisores. En realidad, su comportamiento es tan deplorable y funesto, que como las hijas de Elena, de ahí el título del trabajo, ninguna es buena. Finalmente, se presenta, en forma de decálogo, los hechos, irrefutables, que justifican el calificativo de malvadas de dichas agencias: S&P, Moody?s y Fitch, hasta el punto de que son el antimefistofelismo personificado. Mefistófeles se definía a sí mismo como un pobre diablo que pretendiendo hacer el mal, acababa haciendo el bien, justo al revés que las hijas de Elena.

Highly conductive p++-AlGaAs/n ++-GaInP tunnel junctions for ultra-high concentrator solar cells

Tunnel junctions are key for developing multijunction solar cells (MJSC) for ultra-high concentration applications. We have developed a highly conductive, high bandgap p  + + -AlGaAs/n  + + -GaInP tunnel junction with a peak tunneling current density for as-grown and thermal annealed devices of 996 A/cm 2 and 235 A/cm 2, respectively. The J–V characteristics of the tunnel junction after thermal annealing, together with its behavior at MJSCs typical operation temperatures, indicate that this tunnel junction is a suitable candidate for ultra-high concentrator MJSC designs. The benefits of the optical transparency are also assessed for a lattice-matched GaInP/GaInAs/Ge triple junction solar cell, yielding a current density increase in the middle cell of 0.506 mA/cm 2 with respect to previous designs.

Characterization of the manufacturing processes to grow triple-junction solar cells

A number of important but little-investigated problems connected with III-V/Ge heterostructure in the GaInP/GaInAs/Ge multijunction solar cells grown by MOVPE are considered in the paper. The opportunity for successfully applying the combination of reflectance and reflectance anisotropy spectroscopy in situ methods for investigating III-V structure growth on a Ge substrate has been demonstrated. Photovoltaic properties of the III-V/Ge narrow-band subcell of the triple-junction solar cells have been investigated. It has been shown that there are excess currents in the Ge photovoltaic p-n junctions, and they have the tunneling or thermotunneling character. The values of the diode parameters for these current flow mechanisms have been determined. The potential barrier at the III-V/Ge interface was determined and the origin of this barrier formation during MOVPE heterogrowth was suggested.